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植物病原体重编程主机替代mRNA剪接
替代剪接（AS）是真核生物中进化保守的细胞过程，其中从单个基因中产生了多个Messenger RNA（mRNA）转录本。随着增加转录组复杂性和蛋白质组多样性的概念，它引入了一种新的观点，以理解植物病诱导的宿主变化作为原因疾病。最近，人们已经认识到，在寄生，共同和符号相互作用期间代表了植物免疫系统的组成部分。在这里，我提供了最近的进展概述，详细介绍了植物病的重编程以及疾病表型的功能性影响。此外，我讨论了免疫受体在调节植物免疫中的重要功能，以及phy-topathogen如何使用效应子蛋白来靶向剪接机械的关键成分，并利用免疫调节剂的交替剪接变体来否定防御反应。最后，在植物 - 病原体界面的背景下，AS和废话介导的mRNA衰变之间的功能关联被概括。
用物理学弥合量子设备中的现实差距...
理论和实验之间的差异遍及整个科学，是人类发现的驱动力之一。模拟通常比实际实验所需的资源少，但很少捕获系统的全部复杂性，从而限制了它们的实际应用。缩小模型和现实世界之间的差距是使用机器学习控制复杂系统的关键，尤其是当机器学习模型在模拟上训练之前，然后将其应用于真实系统之前[1,2]。当存在无法直接观察到的数量时，现实差距将进一步扩大。可以通过对系统的其他特征的影响来估算这种不可观察的数量，例如，间接观察黑洞[3]，观察到希格斯玻色子衰变的特征[4]或从后面墙壁后面的人类姿势估计的机器学习估计[5]。名义上相同设计的固态量子设备通常会显示出不同的特征。这种可变性阻碍了原本有希望的量子实现的可伸缩性，例如在电子的自旋状态
探究飞秒热载流子动力学揭示等离子体光催化中的意外机制
摘要：等离子体驱动的光催化可实现无法通过其他方式实现的反应选择性。热载流子（即金属纳米结构中等离子体衰变产生的电子和空穴）起着根本性的作用，它们与分子物种相互作用。了解这种选择性背后难以捉摸的微观机制是合理设计热载流子反应的关键步骤。为了实现这一点，我们提出了最先进的多尺度模拟，超越了密度泛函理论，对光催化反应速率决定步骤的热载流子注入进行了模拟。我们专注于二氧化碳还原，实验表明，在光照下存在铑纳米立方体会导致选择性地生成甲烷而不是一氧化碳。我们表明，选择性是由于铑向反应中间体 CHO 直接注入空穴（主要是）。出乎意料的是，这种注入并不是通过有利于适当的键断裂来促进选择性反应路径，而是通过促进适当的分子片段与表面结合来促进选择性反应路径。 ■ 简介
核数据服务
2020 年 1 月 13 日至 17 日，在维也纳国际原子能机构总部，日本原子能机构、洛斯阿拉莫斯国家实验室和国际原子能机构核数据部门共同召开了一次特别会议，重点讨论了 Hauser-Feshbach 理论在裂变产物产量 (FPY) 评估和裂变建模中的应用。这次会议是为各研究所计划建立新的 FPY 数据库所做的准备工作。我们讨论了 Hauser-Feshbach 统计衰变模型的实施情况，以计算裂变碎片的去激发，并对各研究所可用的三个代码进行了相互比较——CCONE（日本原子能机构）、CoH/BeoH（洛斯阿拉莫斯国家实验室）和 TALYS（国际原子能机构）。讨论包括我们可以通过模型生成的裂变可观测量类型、初始碎片配置的估计（裂变后和瞬时粒子发射前），以及这些代码的未来开发，以使其适用于 FPY 数据评估。
多量子比特 Toffoli 门和带有里德堡原子的最佳几何结构
多量子比特 Toffili 门具有实现可扩展量子计算机的潜力，是量子信息处理的核心。在本文中，我们展示了一种原子排列成三维球形阵列的多量子比特阻塞门。通过进化算法优化球面上控制量子比特的分布，大大提高了门的性能，从而增强了非对称里德堡阻塞。这种球形配置不仅可以在任意控制目标对之间很好地保留偶极子阻塞能量，将非对称阻塞误差保持在非常低的水平，而且还表现出对空间位置变化的前所未有的稳健性，导致位置误差可以忽略不计。考虑到固有误差并使用典型的实验参数，我们通过数值方法表明可以创建保真度为 0.992 的 C 6 NOT 里德堡门，这仅受里德堡态衰变的限制。我们的协议为实现多量子比特中性原子量子计算开辟了一个高维原子阵列平台。
使用机器学习方法在高能量物理学中的数据分析
这个科学启动项目涉及使用机器学习（ML）方法对蒙特卡洛（MC）数据集进行分析。该数据集由实验性Hadronic Physics Group（Hadrex）与Alice实验直接合作，该实验与大型强子对撞机（LHC）直接合作。该研究专门针对多震颤的重子（例如ξ⁻，ξ⁺等）以及随后的衰减，这是一个称为“级联衰变”的过程。主要目的是使用生成机器学习模型通过其次要衰减来重建这些粒子。通过综合与实验观察相吻合的现实数据，该项目旨在优化常规的高能物理学分析并增强数据分析算法，以搜索稀有可观察物。为了应对这一挑战，采用了条件表格生成对抗网络（CTGAN）模型。结果表明，CTGAN在复制可变分布的同时有效地保留了原始数据的物理和内在相关性，从而增强了其改善高能物理学数据驱动研究的潜力。
等离子体在界面电荷转移中的作用
缺乏对金属 - 触发器界面处等离子体介导的电荷转移的详细机械理解，严重限制了有效的光伏和光催化装置的设计。与直接的金属到 - 触发器界面电荷转移相比，由金属中等离子体衰变产生的热电子产生的热电子的间接转移的相对贡献是相对的贡献。在这里，当对共振激发时，我们证明了从金纳米棒到氧化钛壳的总体电子转移效率为44±3％。我们证明，其中一半源自通过激发等离子的直接界面电荷转移。我们能够通过多模式的频率分辨方法来区分直接和间接途径，通过单粒子散射光谱和具有可变泵波长的时间分辨瞬态吸收光谱测量均相等离子体线宽。我们的结果表明，直接等离子体诱导的电荷转移途径是提高热载体提取效率的一种有希望的方法，该方法主要通过非特异性加热而导致的金属内在衰减。
复制意识测试结果的结果会导致使用
当前的研究是一种尝试复制先前采用sublim-inal启动来测试意识导致量子力学崩溃（CCC）解释的实验。刺激刺激素数直接从局部放射性衰减中的图案中得出，在屏幕上闪烁了一段时间的短暂短暂，无法有意识地体验。素数紧随其后，提出了刺激符号的介绍，要求人类参与者迅速做出反应。根据CCC的解释，由于素数尚未暴露于有意识的观察，因此它们应基于它们得出的放射性衰变，以叠加状态继续存在。可以假设，以这种方式产生的素数不应影响随后的响应时间，因为它是在预言中故意观察到的对照条件下会影响随后的响应时间。支持了这一假设。素数在观察到的条件下的影响明显大于在未经耐药条件下获得的效果。这一发现与以前的实验结果一致，并为CCC解释的量子力学提供了额外的支持。
2024日本白血病研究基金奖获得者
◆2024年日本白血病研究基金奖获奖者◆[Ogimura Takashi特别奖] Yasunobu Nagata [Nippon医学院血液学助理教授，助理教授]，“克服Bcl-2抑制剂 - 蒸发剂 - 溶性白血病，通过阐明分子麦克乳杆菌的抗抗菌抗菌抗衰变的分子抗衰变。。” [Takaku fumimaro奖] Kazumasa Aoyama [keio大学菲律学院，卫生化学司法部・助理教授]“识别EZH2功能障碍的药物目标骨髓发育异常综合症丧失“在AML理论中使用BCL2抑制剂开发新疗法” [Shimizu Yasunobu奖] Kohichi Kawahara [医学和牙科科学研究生院Kagoshima Univ，分子肿瘤学副教授]“分子肿瘤学的副教授”“ Molecuar the Molecuar the the Pediatrics Lew the Pediatrics Lew the Pate''[信用Saison Award] Yoshio Katayama [Kobe University Hospital，HemaTology ・ Junor副教授]“脂质介体概况老年骨髓及其用于控制骨髓软化疾病的应用。”[IDE Yukiko Award] Yasushige Kamimura [横滨城市大学医疗学院研究生院，干细胞和LMMUNE重新排出]“用于骨髓发育症的新治疗方法，用于脊髓卵形质量的脊髓石质量疾病的脑静脉曲张syudromes bascd。 [特别奖项---临床医学特别奖（无特殊顺序）]高摩·卡米亚（Takahiro Kamiya卢克国际医院儿科部长，参谋长]“用降低综合征的髓样白血病建立了新型风险分层疗法。” [一般研究奖（无特殊顺序）] Genki Yamato [Gunma University医学院，儿科教授，助理教授]，“小儿急性髓样白血病中的全基因组DNA DNA甲基拉顿分析”。 Dai Keino [卡纳那川儿童医疗中心，血液学 /肿瘤学系]“ ｓｔｕｄ y ｏｆ ｏｆ ｏｆ ｏｆ ｐ ｐ ｐ ｐ ｐ ｐ ｐ ｐ ｏｐ ｏｐ ｏｐ ｏｐ ｏｐ ｏｆ ｏｆ ｏｆ ｏｆ ｏｆ ｏｆ ｏｆ ｏｆ ｏｆ ｃｏｎｄ-代代代酪氨酸激酶抑制剂在治疗儿童的慢性和加速相的奇异性髓样性白血病。”
负偏置温度不稳定性对缩放逻辑电路中单粒子瞬变的影响
此外，当在这些先进节点中考虑单粒子瞬变 (SET) 时，对软错误的敏感性会变得更加糟糕。此类 SET 可能是由高能粒子（如宇宙中子）撞击半导体器件敏感区域引起的，这会影响电路性能。16,17 例如，当粒子撞击硅衬底时，它们会产生二次电子-空穴对，这些电子-空穴对可被周围的 pn 结收集，从而影响器件行为。18,19 发射的阿尔法粒子主要是由于芯片封装中的铀和钍杂质的放射性衰变。当阿尔法粒子穿过半导体器件时，电子会沿着阿尔法粒子的轨迹从晶格位置脱落。20,21 临界电荷是翻转逻辑所需的最小电荷。除了单粒子放电 (SET) 之外，撞击还可能导致单粒子翻转 (SEU)，这两者都会妨碍电路的正常运行，并导致软错误。22-25 质子的直接电离可能会导致临界电荷 (Q crit) 较低的器件发生 SEU。26