坡口焊接钢板中弯曲试样的空白位置. . . . . . . . . 27 坡口焊接钢板中弯曲试样的空白位置(续). . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 38 角焊管中弯曲试样的空白位置 . . . . . . . . . . . . . 39 14 环绕弯曲试验夹具。 . . . . . . . . 40 冲压和模具弯曲试验夹具。 . . . . . . . 41 开槽角焊缝。 . . . . . . . . . . . 44 fj?q~t-~~l~~d Shppt. 中的金相试样的空白位置,. . . 45
本研究研究并比较了不同热处理 (HT) 对采用激光粉末床熔合 (L-PBF) 和激光粉末定向能量沉积 (LP-DED) 技术制备的 Monel K500 的微观结构和力学性能的影响。由于制备过程中诱导的高冷却速度,制备的 Monel K500 试样表现出树枝状微观结构和元素微偏析。使用四种不同的 HT 程序(包括热等静压 (HIP)、固溶退火 (SA) 和时效)研究了文献中提出的 HT 对锻造 Monel K500 的适用性。使用室温单轴拉伸试验评估试样的力学性能。使用扫描电子显微镜分析了 HT 过程中试样的微观结构演变。对于所有研究的 HT 条件,与 LP-DED 试样相比,L-PBF Monel K500 试样始终表现出更高的强度和更低的延展性。 HT 工艺包括在 1160°C 下以 100 MPa 的压力进行 3 小时的 HIP、在 1100°C 下进行 15 分钟的 SA,以及在 610°C 下进行 16 小时、在 540°C 下进行 6 小时和在 480°C 下进行 8 小时的三步时效,从而使 L-PBF 和 LP-DED 制备的 Monel K500 均具有最高强度。
摘要:对 AISI-SAE AA7075-T6 铝合金进行了超声波和常规疲劳试验,以评估人工和诱导预腐蚀的效果。人工预腐蚀是通过在试样颈部沿试验试样的纵向或横向加工两个直径为 500 µ m 的半球形点蚀孔获得的。诱导预腐蚀是使用欧洲航天局的国际标准 ESA ECSS-Q-ST-70-37C 实现的。试样采用频率为 20 kHz 的超声波疲劳技术进行测试,采用频率为 20 Hz 的常规疲劳进行测试。两个施加的载荷比为:超声波疲劳试验中 R = − 1,常规疲劳试验中 R = 0.1。主要结果为人工和诱导预腐蚀对疲劳耐久性的影响,以及常规疲劳试验后的表面粗糙度变化。分析了裂纹萌生和扩展,并建立了数值模型来研究与预腐蚀坑相关的应力集中,以及从裂纹萌生到断裂的 I 型应力强度因子的评估。最后,获得了基材和横向有两个半球形坑的试样的应力强度因子范围阈值 ∆ K TH。
本 CWA 介绍了一种新的单试样试验方法,用于确定抗裂指数 (CRI),该指数能够对高强度金属板的抗裂纹扩展能力进行分类。该指数来自预裂纹或尖锐缺口试样的拉伸试验中获得的断裂能。由于 CRI 和 EWF 之间具有良好的相关性,因此建议将 CRI 作为估算 AHSS 开裂敏感性的有用参数 [14]。该程序快速简单,与传统拉伸试验相当,可用作质量控制和/或材料排名的额外常规试验。CRI 标准源自 EWF 方法,采用了一种简化的方法,需要测试更少的试样并减少后处理工作。
I.不要将样品带入离心管中。将散装样品带入烧杯,烧瓶等。II。 技术官员将在加载离心机之前评估散装样品的等分试样(约10毫升)。II。技术官员将在加载离心机之前评估散装样品的等分试样(约10毫升)。
微转移打印 (µ TP) 是一种很有前途的技术,可用于将 III-V 材料异质集成到基于 Si 的光子平台中。为了通过增加 III-V 材料和 Si 或 SiO 2 表面之间的粘附性来提高打印产量,通常使用像苯并环丁烯这样的粘附促进剂作为中间层。在这项工作中,我们展示了在没有任何粘合剂中间层的 SiO 2 中间层上基于 InP 的试样的 µ TP,并研究了无粘合剂键合的机理。源试样是基于 InP 的试样堆栈,位于牺牲层上,该牺牲层通过使用 FeCl 3 的化学湿法蚀刻去除。对于目标,我们在 8 英寸晶圆上制造了非晶硅波导,并用高密度等离子 SiO 2 封装,并通过化学机械抛光程序进行平坦化。我们使用 O 2 等离子体激活源和目标,以增加试样和基板之间的粘附性。为了更好地理解键合机理,我们应用了几种表面表征方法。利用原子力显微镜测量了等离子体激活前后 InP 和 SiO 2 的均方根粗糙度。利用光学台阶仪估算目标晶圆上微转移印刷源试样的台阶高度。利用 InP 的拉曼峰位置映射来分析等离子体激活前后 SiO 2 上可能的应变和接触角测量值,以观察表面亲水性的变化。利用 X 射线光电子能谱分析来表征 InP 源的 P2p、In3d、O1s 以及 SiO 2 目标的 Si2p、O1s 的表面能态。我们的结果表明,无需应变补偿层,就可以通过 µ TP 直接键合 InP 试样。这样,为使用 µ TP 进行 InP 异质集成提供了一种与互补金属氧化物半导体兼容的有希望的途径。
用于确定TOC的系统参数,应用了TOC差异方法。TOC等于TC和TIC之间的差异:TOC = TC - TIC。因此,必须确定每个样品的TC和TIC。通过使用“自动”和自动固体Sampler FPG 48的多EA 4000 C进行了两项测量。根据分析使用两个称重样品等分试样。用40%H 3 PO 4自动将第一个样品等分试样自动酸化,释放了来自碳酸盐的CO 2,并直接测量了TIC。使用第二艘船,将第二个样品等分试样引入1,200°C的电阻炉中,并在纯氧气中完全消化。在两种运行中,测量气体均干燥并清洁,并通过NDIR光谱法测量碳含量。TOC的计算是由设备的多翼软件自动执行的。
Martin 和 Rousseau 比较了 0~ ~ 层界面和玻璃/环氧胶带中 0~ ~ 层界面的 I 型分层增长行为。这项研究的动机是大多数结构性分层发生在不同的层界面,例如 0~ ~,而 ASTM 标准试样分层测试方法均使用单向试样(以尽量减少残余应力和自由边应力)。Martin 和 Rousseau 在他们的实验工作中观察到,两种铺层中的纤维桥接相似(0~ ~ 配置出乎意料),分层以自相似的方式增长(即不会跳转到其他层界面),并且 0~ ~ 铺层的静态临界应变能量释放率 Glc 比单向配置表现出更低的平均值和更高的散射(在小样本量上)。两种样品设计均产生类似的疲劳分层起始结果。这项工作的一个有用的亮点是开发了一种设计多向层压分层试样的通用方法,可最大限度地减少弯曲扭转耦合、自由边和残余应力。
机加工。厚度小于5mm的金属的试验要求应符合国家和/或国际标准。当材料厚度为40mm或以下时,试样的边缘应在距“轧制”表面2mm以内处切割,其纵轴应平行于材料的最终轧制方向,表面应机加工。对于厚度超过 40 毫米的钢材,应将试样的纵轴尽可能靠近表面与厚度中心之间的中点,并使缺口长度垂直于表面。V 形缺口应垂直于表面。
注意6·通过添加能够破坏二硫键键的还原剂(例如ß-甲醇(ß -me)或二硫代硫醇(DTT))的减少剂,从而污染了污染的RNass。为了促进二硫键的还原,使用前,每1 mL缓冲液DRP加入10 µLß -ME。添加ß -ME后,DRP缓冲液保持稳定1个月。使用前,每1 ml缓冲液在使用前,在RNase无rNase无水中添加10 µl [1 m] DTT的毒性但更昂贵的替代品。dtt在缓冲区DRP中不稳定,因此不得存储DTT-供应的DRP缓冲液等分试样。[1 M] DTT储备溶液在RNase无水酶中的工作等分试样必须存储在-20°C下,以保持稳定性。设置[1 M] DTT储备溶液(MW = 154.25 g mol -1),溶解1.54 g DTT每10 ml RNase无rNase无水,并将其存储在等分试样中以进行一次使用。