在集成电路制造过程中,晶圆表面状态及洁净度是影响晶圆良率和器件质量与可靠性的最重要因素之一,化学机械抛光 ( CMP )、湿法清洗、刻蚀、电化学沉积(电镀)等表面技术扮演重要的作用。公司围绕液体与固体衬底表面的微观处理 技术和高端化学品配方核心技术,专注于芯片制造过程中工艺与材料的最佳解决方案,成功搭建了 “ 化学机械抛光液 - 全品类 产品矩阵 ” 、 “ 功能性湿电子化学品 - 领先技术节点多产品线布局 ” 、 “ 电镀液及其添加剂 - 强化及提升电镀高端产品系列战略供 应 ” 三大核心技术平台。
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图2 利用基因组编辑技术建立疾病模型的研究a:利用源自患有遗传性疾病患者的疾病特异性iPS细胞株,利用基因组编辑技术建立基因修复型iPS细胞株。通过比较两种菌株的受影响细胞类型,我们将分析病理并发现治疗药物。将来,还有望进行通过移植修复型iPS细胞系诱导分化的细胞的基因治疗(细胞治疗)。 b:利用基因组编辑技术将基因突变引入来自健康个体的iPS细胞系,以建立针对疾病的iPS细胞系。通过比较两种菌株的受影响细胞类型,我们将分析病理并发现治疗药物。
回想起来,早在 20 世纪 60 年代或 70 年代,人们就预测到微量放射性可能导致计算机电路出现软故障。十年来,电子元件变得越来越小,电压越来越低,电荷包中指示零或一的电子越来越少。随着 1977 年 16Kb 内存芯片的推出,内存单元中的存储电荷已从 4Kb LSI(大规模集成电路)电路的约 4M 个电子减少到约 1M 个电子。最令人不安的放射性衰变粒子是阿尔法粒子,这种衰变产物主要来自铀或钍原子的衰变链。阿尔法粒子可以在半导体中导致 1M 个电子在几微米的路径长度内突然爆发。这是新的 16Kb FET 内存单元的尺寸。这是第一次,内存单元信息量子能够被放射性衰变产物改变。
Subject Code Course Name Name of the Faculty 19BT501 Bioprocess principles Dr. R. Karthikeyan /BT - 19BTS02 Molecular biology Dr. M. L. Stephen Raj /BT 19BT503 Mass transfer operation Dr. K. Sriram /BT 19BTCO1 Bioremediation technology Mr. R.Vigneshwaran /BT 19EEP04Soft computing techniques Dr. K. Banumalar /eee Open选修(OE)19ITP02数据科学使用R S. Rajesh博士/IT -19BTPO1生物传感器技术A.P. A.P.sasikumar /bt 19eea04绿色能源dr.M.Muhaidheen /eee 19eca04 | MATLAB工程师S. Selva Nithiyananthan / ECE Allied 19CSA03数据库选举简介(AE)M.S.Bhuvaneswari /CSE | R. Saravana Sathiya Prabhahar博士 /Mech J. Nagarajan博士 /Mech L. Prasika夫人 /MCA < /div < /div>
与 Haimeng Zhao、Ishaan Kannan、Yihui Quek、Hsin-Yuan Huang 和 Matthias C. Caro 合作