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回想起来，早在 20 世纪 60 年代或 70 年代，人们就预测到微量放射性可能导致计算机电路出现软故障。十年来，电子元件变得越来越小，电压越来越低，电荷包中指示零或一的电子越来越少。随着 1977 年 16Kb 内存芯片的推出，内存单元中的存储电荷已从 4Kb LSI（大规模集成电路）电路的约 4M 个电子减少到约 1M 个电子。最令人不安的放射性衰变粒子是阿尔法粒子，这种衰变产物主要来自铀或钍原子的衰变链。阿尔法粒子可以在半导体中导致 1M 个电子在几微米的路径长度内突然爆发。这是新的 16Kb FET 内存单元的尺寸。这是第一次，内存单元信息量子能够被放射性衰变产物改变。
软失败
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