自从在 Cr 2 Ge 2 Te 6 [1] 和 CrI 3 [2] 的单层和双层中发现长程磁序以来,许多单层或几层厚度的(反)铁磁范德华材料已被发现。由于层间和层内交换以及磁各向异性的相互作用导致自旋纹理丰富,它们是自旋电子学的理想平台。许多反铁磁范德华材料在低温下是电绝缘的,这意味着不存在自由载流子引起的磁化衰减。因此,它们对于研究磁序的集体激发,即自旋波及其量子,磁振子 [3, 4] 具有吸引力。传统磁体中的磁振子输运已得到广泛研究,例如,通过自旋泵浦 [5]、自旋塞贝克效应 (SSE) [6] 和电磁振子自旋注入/检测 [7]。反铁磁体赤铁矿 [8]、氧化镍 [9] 和 YFeO 3 [10] 中的长距离磁振子传输已被证实。低阻尼亚铁磁钇铁石榴石 (YIG) 超薄膜是高效磁振子传输的首选材料,它以强烈增强的磁振子电导率形式显示出二维 (2D) 相对于三维 (3D) 传输的有益效应 [11]。温度梯度驱动的磁振子自旋输运 (SSE) [12] 已被报道存在于铁磁和反铁磁范德华材料中 [13, 14]。然而,局部和非局部 SSE 仅提供有关磁振子传输特性的复杂信息。热磁振子电流是由整个样品中的热梯度产生的,因此很难区分磁振子弛豫长度和磁振子自旋电导率 [7, 11]。CrCl 3 [15] 的反铁磁共振揭示了声学和光学磁振子模式的存在,但并未解决它们在自旋输运中的作用。因此,为了评估范德华磁体在自旋电子学应用中的潜力,我们必须研究由微波或我们将在此处展示的电注入局部产生的磁振子的传播。
摘要 宽温度范围内液滴可控操控在微电子散热、喷墨打印、高温微流控系统等领域有着广阔的应用前景。然而,利用工业上常用的方法构建可控液滴操控平台仍然是一个巨大的挑战。流行的液滴控制方法高度依赖于外界能量输入,对液滴运动行为和操控环境(如距离、速度、方向和宽温度范围)的可控性相对较差。本文报道了一种简便易行、工业适用的制备Al超疏水(S-phobic)表面的方法,该表面能够在宽温度范围内控制液滴的弹跳、蒸发和传输。并进行了系统的机理研究。采用电化学掩模刻蚀和微铣削复合工艺在Al基底上制备了极润湿性表面。为了研究蒸发过程和热耦合特性,进行了宽温度范围内液滴的受控蒸发和受控弹跳。基于液滴在极端润湿性表面的蒸发调控和弹跳机理,利用拉普拉斯压力梯度和温度梯度,实现了在较宽温度范围内合流、分流、抗重力输运的液滴受控输运,为新型药物候选物、水收集等一系列应用提供了潜在的平台。
葛先辉教授2006年于中国科学院上海天文台获博士学位。2006年至2008年在韩国亚太理论物理中心从事博士后研究。2008年至今在上海大学物理系工作,现担任系主任。其研究主要集中于引力与宇宙学、AdS/CFT对应、黑洞物理和强耦合量子多体系统。致力于强耦合量子输运中的规范引力对偶、黑洞信息丢失问题和量子多体SYK(Sachdev-Ye-Kitaev)模型的研究。 ————————————-
基于相对论输运模型ART,利用MIT袋模型将强子状态方程扩展为具有相变,研究了相对论重离子碰撞中形成的致密核物质的相变特性。在束流能量为2、4、6和8 GeV/核子的Au + Au碰撞中,用不同的状态方程计算了质子的侧向和定向流。与现有的AGS实验数据相比,一级相变的边界大致被限制在2.5-4倍饱和密度范围内,温度约为64-94 MeV。这些约束对正在进行的RHIC束流能量扫描-II计划研究QCD物质相图很有用。
与《CHIPS和科学法案》相关的研究。最重要的是,Daniel Gall教授领导了未来半导体芯片互连领域的许多重大新研究项目。此外,我们的几位教师从IBM获得了与CHIPS相关的资金。石建教授再次成为铁电体和自旋输运领域的新星,他涉足量子材料领域,并在芝加哥大学进行了为期一年的研究,研究得到了著名的西蒙斯基金会的Pivot奖学金的支持。魏宝教授刚刚开始在RPI的第二年,但已经展现出伟大的迹象;他在光子学方面的前沿研究使他发表了一篇《自然纳米技术》论文,海军研究办公室授予他青年研究员奖以及DURIP设备补助金。
近年来,人们发现了由电子自旋自由度与新出现的几何和拓扑效应相互作用而产生的令人着迷的新型凝聚态现象。[1,2] 其中最突出的是贝里曲率 Ω 的概念,它源于电子波包穿过闭合环路时积累的几何相。[3,4] 在晶体固体中,这种贝里曲率可以解释为作用于运动电子的有效磁场,因此在霍尔输运实验中表现突出。[1] 例如,其积分在动量空间的量化,一种称为能带拓扑的现象,导致量化电荷和自旋霍尔效应。[5–8] 另一方面,磁性材料表现出丰富的实空间和动量空间贝里曲率表现。[9,10]
二维拓扑绝缘体又称量子自旋霍尔绝缘体,具有受拓扑结构保护的边缘态[1]。由于该通道可支持无耗散电子传输,有望实现下一代低损耗电子器件,得到了广泛的研究[2−4]。自2006年起,斯坦福大学Zhang团队预言在HgTe/CdTe量子阱中存在量子自旋霍尔效应(量子自旋霍尔效应,QSH)[5]。次年,维尔茨堡大学物理研究所Molenkamp团队的实验证实了这一点[6]。研究人员进行了大量的理论预测和实验探索,以寻找更加实用的天然QSH材料[7−9]。与复杂量子阱结构相比,天然QSH材料在样品制备和异质结器件构筑方面更具有优势。但在天然单层二维体系中实现QSH效应仍然十分困难,自上而下的机械剥离法和自下而上的外延生长法是成功制备单层QSH材料的两种常用方法。
基于输运模型,结合现实的三维体介质展开,研究了粲偶素定向流。非中心对称核-核碰撞可以产生具有对称破缺纵向分布的旋转夸克胶子等离子体(QGP)。在√sNN=200GeVAu+Au半中心碰撞中,粲偶素在初始硬过程中原始产生,它们主要被初始高温倾斜源解离,然后移出体介质,以保留介质的早期信息。原始产生的粲偶素的动量分布受QGP流体动力学膨胀的影响较小,因为其倾斜形状被稀释。这种有偏解离可以产生J/ψ和ψ(2S)的定向流,它们比轻带电强子和开重味子的值大得多。粲偶素定向流有助于量化原子核-原子核碰撞中 QGP 初始能量密度的快度奇数分布。
无限层 (IL) 镍酸盐为解决非常规超导领域的突出问题提供了一条超越氧化铜的新途径。然而,它们的合成面临着巨大的挑战,在很大程度上阻碍了这类新型氧化物超导体的实验研究。该合成过程分为两步:首先生成热力学最稳定的钙钛矿相,然后通过拓扑还原生成 IL 相,其中起始相的质量起着至关重要的作用。本文报道了一种可靠的超导 IL 镍酸盐薄膜合成方法,该方法是在对母体钙钛矿相进行连续拓扑化学还原后,以接近最优的化学计量比合成超导 IL 镍酸盐薄膜。仔细分析未完全还原薄膜的输运特性,发现在随后的拓扑化学还原过程中,其正常态电阻率的奇异金属行为有所改善,从而为还原过程提供了新的见解。
有效的磁化控制是磁学和自旋电子学的核心问题1-8。特别是,对于具有非常规功能的自旋电子器件,对范德华 (vdW) 磁体中磁态的多功能操控的需求日益增加9-13。已经实现了通过自旋扭矩对 vdW 磁体进行磁化切换的电控制,但在没有外部磁场的情况下铁磁状态到反铁磁状态之间的电流诱导相变尚未得到证明12,14,15。在这里,我们报道了电流诱导的 vdW 铁磁体 Fe 5 GeTe 2 中的磁相变,从而产生了巨磁电阻。基于磁输运测量和相关理论分析,我们证明该转变是通过平面电流诱导的跨 vdW 间隙电压差在各层中依次发生的。 34 Fe 5 GeTe 2 中磁相的电流可调性为磁性能的电控制开辟了一条道路,扩展了我们将 vdW 磁体用于各种自旋电子器件应用的能力。36