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World File Search System铁磁材料
通过刺激响应聚合物实现双稳态、剩磁、读/写存储器和逻辑门功能
原则上，如果状态之间的转变表现出导致双稳态的磁滞现象，则在不同状态之间切换可以读取和写入信息。响应性聚合物在其体积相变时表现出磁滞现象，例如热响应性聚合物。这是溶剂膨胀单相状态和溶剂消肿两相状态之间的转变。两种状态之间的转变在热力学上对应于铁磁材料中两种磁化状态之间的转变。对于铁磁材料，磁滞现象的特征是矫顽场强度 H c ，它是逆转磁化并从而改变磁化状态所需的，以及零场强度下的剩磁 M r。信息被编码在磁化状态中。在双稳态区域内，对于足够大的矫顽力和剩磁，它是长期稳定的。同时，体积相变信息将由溶液状态编码，并且对于足够大的矫顽力温度范围和剩磁来说，这是可能的。最近，非传统非磁性材料表现出双稳态，这在折纸结构的折叠状态 [3]、玻璃体 [4] 和主客体功能化的热响应聚合物中得到了证实。[5] 有了两个状态控制变量，逻辑运算的实现也将成为可能。近年来，逻辑门响应功能已被用于控制溶胶/凝胶转变 [6]、水凝胶降解 [7] 或纳米载体拆卸 [8]，用于药物输送应用。对于响应性材料，到目前为止，双稳态和逻辑门功能都是通过使用化学反应来实现的，例如由外部刺激驱动的不稳定连接子的断裂/形成 [7] 或主客体复合 [5]。这导致化学状态和动力学方面的双稳态，
课程详细大纲（B.Tech）。计算机学院...
使用数字万用表测量电解槽。使用给定材料作为电容器内部的介电层来测量其介电常数。使用螺线管研究 CRO 上给定铁磁材料的磁滞回线，并计算给定材料的矫顽力、剩磁和饱和磁化强度。使用亥姆霍兹线圈研究磁场叠加的原理。研究非本征半导体样品中的霍尔效应，并确定霍尔系数和多数电荷载流子的密度。借助棱镜和光谱仪测定玻璃的折射率和柯西常数。使用单缝、双缝、圆形光圈和氦氖激光源研究衍射现象。测定线性晶体的比旋光度
航空航天应用中的高度集成磁阻传感器
简介 磁阻效应最广为人知的是计算机硬盘的读取头或磁存储器 (MRAM) 应用，但它也非常适合用于传感器技术。它有着悠久的历史，各向异性磁阻 (AMR) 效应于 1857 年由开尔文勋爵首次发现。AMR 效应发生在铁磁材料中，例如结构为条带元素的镍铁层，其比阻抗随施加磁场的方向而变化。由于条带的特殊结构，电阻变化与施加的磁场在很宽的范围内成正比。这意味着通过巧妙设计传感器结构，可以非常高精度地检测非常小的磁场。
托马斯·格雷伯（Thomas Greber），苏黎世大学14:00 101 14:15 102
物质中集体秩序的出现是物理学中最基本和有趣的素质之一。最近，已经引起了动态多效性的理论概念，以描述由于非铁磁材料中时间依赖性电化而引起的磁化的出现。在这里，由于这种机制，我们提供了原型perobelectric perovskite srtio 3中室温杂志的实验证据。我们以强烈的圆形极化的Terahertz电场来共鸣，并驱动红外的软声子模式，并检测到时间分辨的磁光kerr效应。我们的发现显示了控制磁性的新路径，例如，对于超快磁开关，通过一致控制晶格振动。
深入核磁共振研究分子层界面引起的钴薄膜磁硬化
铁磁薄膜和化学吸附分子层之间的界面表现出各种有趣的现象。[1] 对这些所谓自旋界面的积极研究 [2,3] 始于分子或有机自旋电子器件的发展，最初主要集中在铁磁材料附近引起的分子层的变化。局域 HOMO-LUMO 电子能级的自旋相关展宽 [2,4,5] 和相关的自旋过滤效应 [6–8] 在理解有机自旋阀和其他有机自旋电子器件中起着关键作用。此外，在邻位分子中建立可检测的自旋极化开辟了一个与分子材料中磁序传播相关的新研究领域。这导致分子组成元素上存在磁二向色信号 [9] 或形成自旋序作为分子电子态能量的函数的非平凡振荡。 [10,11]
军用车辆的磁性检测和跟踪
磁传感器可以检测含有铁磁材料的目标，因为它们会扭曲地球磁场。物体的磁场可以表示为多极级数展开。由于不存在单个磁荷，最低阶是偶极子，其衰减率为 1/r3。高阶多极子衰减的距离幂相应更高。对于大于最大目标维度阶的测量范围，偶极矩主导信号，定位和表征目标的问题变成了定位磁偶极子并测量其矩矢量的问题。在未知位置定位具有未知特征的目标需要确定六个未知数。三个未知数代表目标的位置，另外三个代表其磁矩矢量。检测和表征（就磁矩而言）不能分成不同的问题，而必须同时完成。对目标特征（例如，预先了解目标类型）或目标位置（例如，预先了解目标路径）应用不同的约束可以稍微降低问题的维数。在本文中，我们展示了无约束检测、定位和表征问题的结果。
1.5 特斯拉安全扫描的起搏器和导线系统随机试验
方法 起搏器系统 在将 Advisa MRI 系统引入人体之前，进行了涉及平台和动物研究以及计算机建模的临床前测试，以了解 MRI 对起搏系统的影响。16 需要对系统设计进行多项修改，以改善这些调查中发现的不良相互作用：(1) 修改导线以减少射频加热，(2) 设计内部电路以降低不适当心脏刺激的可能性，(3) 限制铁磁材料的数量，(4) 实施强大的前端保护网络和混合滤波，以防止内部电源中断并减轻 MRI 能量耦合到遥测线圈的影响，(5) 将簧片开关替换为霍尔传感器（在 MRI SureScan 模式下断开），有助于在 MRI 期间提供可预测的起搏，(6) 实施专用的编程护理路径，以方便执行 MRI 前检查表并在 MRI 期间选择适合患者的定制起搏设置。这些修改结合起来，有效地解决了起搏器患者进行 MRI 扫描的风险。
欧洲简历格式
ID N . 11300 – 个人研究工程师（意大利语：T ECNOLOGO）– 三级 2012 年 12 月/至今 国家研究委员会 (CNR) - 微电子与微系统研究所 (IMM)，Agrate Brianza Unit，Via Olivetti 2, 20864, Agrate Brianza (MB)，意大利 公共机构常设研究工程师（意大利语：Tecnologo）。技术领域：支持研究。主题：科学仪器和流程管理。 （Bando n. 364/114，Prot. AMMCNT CNR n.79896 28/12/2012；Prot. AMMCNT CNR n.8704 13/02/2013；Prot. IMM CNR n.769 31/01/2013）主要研究课题：I – 2D 材料（过渡金属二硫属化物，TMD）的各向异性工程：通过化学方法生长并主要通过 X 射线光电子能谱和拉曼光谱进行表征；目标应用在纳米电子学、光子学、光电子学、催化领域。 II – 通过 X 射线散射、X 射线光发射光谱和离子束技术（XRR、XRD、XPS、ToF-SIMS）对薄膜和多层膜的结构和化学物理特性进行表征，以便将其集成为双极 CMOS-DMOS（BCD）技术平台中的大电容器。III – （1）具有垂直磁各向异性的铁磁材料（PMA）和（2）非磁性材料，用于作为磁性结和自旋注入/过滤器中的隧道屏障；（3）稀磁氧化物（DMO）。研究结构和化学性质与磁性和磁输运性质之间的相关性。通过 X 射线散射（包括同步光）、X 射线光发射和离子束技术（XRR、XRD、XPS、ToF-SIMS、XRMS）对薄膜和多层膜的结构和化学物理进行表征，例如：（1）铁磁材料（Co、Fe、CoFe、CoFeB、Co/Ni）； (2) 非磁性材料（即 MgO、AlO x ）；(3) 稀磁氧化物（Fe、Ni 掺杂的 ZrO 2 ）。IV – 通过 X 射线散射、X 射线光发射和离子束技术（XRR、XRD、XPS、ToF-SIMS）研究高介电常数电介质或相变合金的 CMOS 兼容性在工艺集成中的热稳定性，以用于新兴的非挥发性存储器（TANOS、RRAM、PCM、MRAM）。V – 通过 X 射线散射（主要是 XRD）对先进 MEMS 设备中集成的压电材料进行表征。
使用忆电感器的神经形态计算
i。在国际单位制中，电感的单位是亨利 (H)。如图 1 所示，通过在线圈内添加由铁磁材料（例如铁）制成的磁芯，来自线圈的磁化通量会在材料中感应出磁化，从而增加磁通量。铁磁芯的高磁导率可以使线圈的电感比没有铁磁芯时增加数千倍 [1]。变形虫等生物表现出原始的学习以及记忆、计时和预测机制。它们的自适应行为可以通过基于忆阻器的 RLC 电路模拟 [2]。受这项工作的启发，我们将设计一种基于忆阻器的神经形态架构，该架构可根据外部刺激频率以自然的方式自行调整其固有谐振频率。与之前的研究相比，我们的创新之处在于，该架构使用独特的记忆电感器来增加其时间常数，然后降低其谐振频率以匹配刺激频率。我们的目的是利用这种架构来帮助更好地研究原始智能的细胞起源。这也是这类研究的意义所在，不仅可以理解原始学习，还可以开发一种新颖的计算架构。