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简介 磁阻效应最广为人知的是计算机硬盘的读取头或磁存储器 (MRAM) 应用，但它也非常适合用于传感器技术。它有着悠久的历史，各向异性磁阻 (AMR) 效应于 1857 年由开尔文勋爵首次发现。AMR 效应发生在铁磁材料中，例如结构为条带元素的镍铁层，其比阻抗随施加磁场的方向而变化。由于条带的特殊结构，电阻变化与施加的磁场在很宽的范围内成正比。这意味着通过巧妙设计传感器结构，可以非常高精度地检测非常小的磁场。
航空航天应用中的高度集成磁阻传感器
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