Peng, L. (2012)。用于集成电路 3-D 堆叠的晶圆级细间距 Cu-Cu 键合。博士论文,南洋理工大学,新加坡。
在半导体和高级材料行业中需要使用非接触式和非毁灭性工具,以表征散装,薄膜和2D材料的电气性能。
摘要:三级烧伤受伤构成了重大的健康威胁。迫切需要更安全,更易于使用,更有效的技术来治疗。我们假设脂肪酸和三肽的共价结合物可以形成与伤口兼容的水凝胶,从而加速愈合。我们首先将共轭结构设计为脂肪酸 - 氨基酸1 – amonoacid2-Apartate Am- phiphiles(CN酸– AA1 – AA2 – D),它们有可能根据每个小节的结构和特性自组装成水凝胶。然后,我们通过使用两种FMOC/TBU固相肽合成技术,基于该设计生成了14种新型结合物。我们通过串联质谱和核磁共振光谱验证了它们的结构和纯度。在低浓度(≥0.25%w / v)中形成13个结合物,但是C8酸性-ILD-NH 2显示出最佳的水凝胶化,并进一步研究了。扫描电子显微镜表明,C8酸性NH 2形成纤维网络结构和迅速形成的水凝胶,这些水凝胶在磷酸盐缓冲盐水中稳定(pH 2-8,37°C),这是一种典型的病理生理条件。注射和流变学研究表明,水凝胶表现出重要的伤口治疗特性,包括注射性,剪切稀疏,快速再凝胶和与伤口兼容的力学(例如Moduli g'''和g',g',〜0.5-15 kpa)。C8酸-ILD-NH 2(2)水凝胶显着加速了C57BL/6J小鼠上三级烧伤伤口的愈合。在一起,我们的发现证明了CN脂肪酸-AA1 – AA2-D分子模板的潜力,以形成能够促进三级燃烧的伤口愈合的水凝胶。
sylvain.poulet@cea.fr 摘要 — 超薄基板上柔性薄膜电子设备的出现是由开发与前端和后端工艺完全兼容的替代处理方法的需求所驱动。这项研究的目的是提出一种新的超薄玻璃基板处理方法,该方法基于直接玻璃-玻璃键合和室温剥离脱粘。通过在超薄玻璃基板(<100µm)上实现薄膜电池(<20µm)来评估这一概念。为了键合,将超薄玻璃层压在厚的载体玻璃(>500µm)上,没有中间层。薄膜电池堆栈采用连续物理气相沉积法制造,温度高达 400°C。脱粘过程在室温下通过机械剥离层压在薄膜电池上的封装膜完成。结果,脱粘后超薄玻璃(<100µm)没有任何裂纹的迹象。此外,脱粘过程之前和之后进行的电化学阻抗谱 (EIS) 和恒电流循环表明器件性能略有稳定。
Jean-FrançoisSilvain,LoïcConstantin,Jean-Marc Heintz,SylvieBordère,LionelTeulé-Gay等在液相键合中控制界面交换,可以为高功率和温度应用形成强可靠的Cu – SN焊接。ACS应用电子材料,2021,3(2),pp.921-928。10.1021/acsaelm.0c01040。hal-03153399
ARC机会旨在使个人研究人员有机会和时间专注于新生的,范式转移的想法。虽然可以提出来自同一组织的多个研究人员,但预计提议的研究概念的总体努力水平应等于一个全职等价(FTE),而12个月作为ARC主题设计的想法是针对名义上将在1年内进行全年努力(1 fte)的想法而设计的。darpa预计,从事拟议思想的个人主要关注整个绩效期间的努力,以最大程度地实用。最高性能为12个月。每个ARC奖的总费用应从100,000美元到300,000美元不等,包括直接和间接费用以及研究生学费(如果适用)。根据Master Arc EA,DARPA-AE-25-02中概述的材料,设备和其他直接成本(ODC)的拟议费用受到限制。在任何情况下都不会授权获利。虽然没有预期的资源共享,但可以在提案中提供。darpa了解并非所有的想法和组织都可能适合此参数范围,并将与建议者合作,以确保可以使用所需的资源来探索真正的创新想法。可能不提出旅行和出版费用。不允许亚武器。
在这里报告了一组扩展的替代吡啶与d -x分子(d = x,cn)形成的复合物中x n(x = i,br)卤素键的详细研究。通过Bader的分子中的原子量子理论(QTAIM)和Penda的相互作用量子原子(IQA)方案,已经在不同的(MP2和DFT)理论水平上研究了这些相互作用的性质。吡啶环上的取代基和卤素键特征上的卤代残基。我们发现,交换相关能量代表了对IQA总能量的实质性贡献,在某些情况下,与(I 2个复合物)甚至是dominited(ICN复合物)相当。有意义的信息是由源函数提供的,表明X N相互作用的键临界点对电子密度的主要贡献是从卤素原子得出的,而氮原子的贡献要低得多,该氮原子充当电子密度的源或源。从远端原子的相关贡献(包括吡啶环不同位置的各种电子支持和吸引电子取代基)也被确定,突出了电子密度的非局部特征。已经检查了结合能,根据IQA的相互作用能量和QTAIM描述符(例如DELECALIZERIAD指数和源函数)之间可能存在的关系。通常,只有在直接涉及的卤素和氮原子外部环境中,才能发现良好的相关性,在相互作用中起较小的作用。
功率模块中的引线键合是封装中最薄弱的环节之一,通常会导致整个功率模块故障。与 CTE 不匹配相关的引线键合中的热机械应力会导致裂纹扩散到键合界面附近的区域。在本文中,键合过程后的扫描电子显微镜 (SEM) 分析清楚地显示了引线和芯片金属化界面附近的小晶粒和不同的纹理。为了提高引线键合的可靠性,建议在功率模块制造后进行热处理。热处理通过增加晶粒尺寸、降低位错密度和合并引线和金属化的晶粒,对键合区域产生积极影响。此外,已进行的功率循环显示,与由未经处理的相同(交付时)功率 IGBT 模块组成的参考产品相比,经过热处理的功率模块的使用寿命有所增加。
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摘要:键合线是电力电子模块 (PEM) 中最容易发生故障的部件之一,通常使用硅胶包裹键合线。为了研究硅胶包裹键合线的变形,本文报告了使用线场光学相干断层扫描 (LF-OCT) 技术精确测量键合线的电-热-机械 (ETM) 变形的方法。由于 LF-OCT 系统具有有利的并行检测方案,因此我们开发了一种 LF-OCT 系统,该系统可一次性捕获键合线样品的整个横截面图像 (B 扫描)。结合傅里叶相位自参考技术,可以定量测量键合线的变形,精度可达 0.1 nm。当将相机成像尺寸设置为 1920×200 像素时,实现的变形测量的最大采样率(帧率)为 400 Hz,为监测键合线的 ETM 变形动态提供 2.5 ms 的时间分辨率。我们发现凝胶包裹的键合线的 ETM 变形比裸键合线的 ETM 变形大约小三倍。这些结果首次实验证明,LF-OCT 可成为研究硅凝胶包裹键合线随时间变化的 ETM 变形的有用分析工具。索引术语-键合线可靠性、硅凝胶、电-热-机械变形、线场光学相干断层扫描 (LF-OCT) I. 引言电力电子模块 (PEM) 广泛用作可再生能源发电和运输电气化中的开关半导体器件 [1]。由于 PEM 通常应用于安全和关键任务场景,如电力列车、航空航天和海上风电,因此 PEM 的可靠性受到学术界和工业界的广泛关注 [2-4]。引线键合技术是目前最广泛使用的封装方法