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在确定Diffie-Hellman键
摘要。Diffie-Hellman协议是由Whitfield和Martin Hellman提出的。diffie和Hellman想要一个数学函数，其中加密和解密并不重要，即（𝑔（𝑥））=𝑔。存在这样的功能，但主要是双向，即查找逆函数很容易工作，例如。这样的功能为𝑓（𝑥）=2𝑥这些函数的实际示例是电开关。但是，这些功能在密码学中不可用。最重要的是所谓的单向函数的混凝土形式。这些功能似乎可以找到它们的逆函数，这些功能是通过复杂过程找到的。因此，对于给定的𝑥，我们可以轻松计算𝑓（𝑥），但是对于给定的𝑓（𝑥），很难测量𝑥，但是如果已知秘密值，那么直接值和逆值都很容易计数。模块化算术是指大量此类单时间函数的存在。因此，在本节中，我们将探索以找到此类功能。关键字：单向，逆，加密，DH协议。
引线键合技术大辩论：球形键合与楔形键合
图 2：典型球/月牙互连的简化表示 自动引线键合机于 20 世纪 80 年代初推出。当时，大多数互连都是使用铝线制作的。随着对高可靠性需求的增加，金线变得更加普遍。随着封装密度的增加，引线互连键合间距减小。细间距的初始解决方案是楔形键合，因为楔形工具设计允许将引线紧密键合（并排）。 细间距互连 在更小的空间内封装更多元件的需求导致 ASIC 设计变得更加密集。人们曾认为，互连细间距封装的最佳方法是通过楔形键合。在 20 世纪 90 年代后期，典型的键合间距从约 110µm 减小到约 90µm。在此期间，平均楔形工具尖端大约是球键合毛细管工具尖端宽度的三分之一。毛细管材料缺乏支持细间距工艺的稳健性。从那时起，改进的材料使细间距设计成为可能，其中尖端尺寸小于 70µm 的情况并不罕见。更小的特征、更高的密度和更多的 I/O 需要细间距。在当今的细间距环境中，任何使用楔形键合机键合的设备都可以使用球焊设备更快地键合。图 3 和图 4 描绘了使用 1.0 mil 导线通过球焊互连的 55µm 细间距架构。
能量转移 - 键 - 挑战者 - 招待会 - ...
2021年8月发表的有关气候变化的IPCC报告提供了一个明显的提醒，人类活动无疑负责地球上的全球变暖和不断变化的环境状况。1这样说，全球政府和公司对净零排放目标的越来越多的承诺既令人鼓舞，这既令人鼓舞，即现在已经了解了世界气候危机的现实，同时也急剧提醒，如果全球温度的升高要限制为本世纪的1.5 o o c。许多机构对实现这一目标进行了各种途径的详细分析，最新的是IEA的“净零”报告。尽管IEA分析仅提出了实现零净目标的潜在途径，但它强调了更普遍的观点，即接下来的三十年将需要大幅度减少和/或撤离，这反过来又需要无与伦比的投资和国际合作水平，因为这是“我们时代最大的挑战（[和需要）所能使我们的能源系统的最大变化，这是我们的经济体系的不足。 2
糖尿病和癌症：扭曲的键
本文概述了与癌症和2型糖尿病（T2DM）相关的各种因素之间的互连。高血糖，高胰岛素血症，慢性炎症和肥胖参与这两种疾病的发展和进展，但缺乏有力的糖尿病与癌症直接因果关系的证据。几项研究描述了在细胞，组织和生物体水平上高血糖与癌症之间的关系，但与此同时，最近的孟德尔随机研究证明只有高血糖和乳腺癌之间的显着因果关系。另一方面，高胰岛素血症与肥胖症与几种癌症类型之间的关联似乎是强大的，如门德尔随机研究所证明的那样。代谢改变，包括沃尔堡效应和肿瘤的过度消耗葡萄糖，强调了饮食限制的潜在影响，例如禁食和低碳水化合物饮食，对肿瘤生长和炎症。最近的数据表明，循环的分支链氨基酸水平可能代表了新型的生物标志物，这可能会导致更好的糖尿病控制和早期胰腺癌检测。了解癌症和T2DM之间的潜在机制和共享风险因素可以为预防癌症，早期发现和管理策略提供宝贵的见解。
GoComet-横滨的AI键...
摘要：我们的世界在隐藏的贸易网络上蓬勃发展，一种发条机制，提供了从衣服到药物的所有东西。但是，当发生意外的干扰时，这种复杂的系统与纸牌屋一样脆弱。苏伊士运河的阻塞，政治冲突，甚至全球大流行者都可能陷入困境。只有可以在这些高风险游戏中占上风的组织才能占上风。Cue GoComet，骑士骑士穿着现代供应链的闪亮盔甲。GoComet的AI驱动平台提供了智能自动化和实时数据，将建模作为生命线。此案件讨论了GoComet如何帮助全球公司的横滨，由于苏伊士运河危机，Yokohama节省了80万美元。，GoComet的模型具有货运可见性，预测分析和自动报告，授权企业能够做出明智的决策，重新货运货物并与客户进行通信。此案还探讨了整个全球供应链的脆弱性，以及GoComet的创新解决方案如何彻底改变全球企业的危机管理。
临时键合和解键合过程中的清洁和颗粒挑战
电话：707-628-5107 电子邮件：jbahena@veeco.com 摘要 5G、物联网和其他全球技术趋势的需求，加上缩小工艺节点成本的增加，已导致向更集成的封装要求转变。扇出晶圆级封装、2.5D/3D IC 封装和异构集成等先进封装技术的出现，为更小尺寸、更高功能和带宽带来了潜力。为了实现这些技术，通常需要对器件晶圆进行背面处理或减薄。这就要求使用临时粘合材料将器件晶圆粘附到刚性载体晶圆上，以便在处理和加工过程中提供机械支撑。释放载体后，必须彻底清除器件晶圆上的临时粘合材料。许多此类粘合剂都暴露在高功率激光或高温下，这使得清除更具挑战性。临时键合材料去除的亚微米级颗粒清洁要求也达到了通常为前端处理保留的标准。这在 3D 工艺中尤其重要，例如混合键合，其中特征和间距尺寸接近 < 1 µm，清洁不充分会导致后续键合工艺失败。因此，必须仔细考虑所有处理步骤以满足严格的颗粒要求。这项工作研究了硅晶片上涂层和烘烤的临时键合材料的去除，重点是获得最佳颗粒结果的加工条件。通过进行试样级研究和测量表面特性，在烧杯级评估了几种化学物质。根据这些发现，使用可定制的单晶圆加工工具对 300 毫米晶圆进行了研究。关键词临时键合材料、湿法清洗、晶圆级封装、单晶圆加工。I.简介 虽然晶体管和节点缩放一直在不断进步，但相关的成本和复杂性要求采用其他途径来提高性能。最突出的是，先进封装中的 2.5D/3D 集成通过将不同尺寸和材料的不同组件集成到单个设备中，显示出巨大的前景 [1]。由于许多当前的集成工艺流程都需要对设备晶圆进行背面处理或减薄，因此使用临时键合和脱键合 (TBDB) 系统已被证明是必要的多种类型的集成技术已经得到开发，例如扇出型晶圆级封装 (FOWLP)、2.5D 中介层、3D 硅通孔 (TSV) 和堆叠封装 (PoP)，具有高集成度、低功耗、小型化和高可靠性等预期优势 [1-3]。
氮化铝与 Cu–P–之间的界面结构...
由于环保法规和节能需求[1–5]，功率模块基板需要将铝或铜等金属层键合到氮化铝 (AlN)、氮化硅 (Si 3 N 4 ) 或氧化铝 (Al 2 O 3 ) 等陶瓷绝缘体上。根据基于金属层和键合方法的分类，这些基板称为直接键合铝 (DBA) 基板[1, 6, 7]、直接键合铜 (DBC) 基板[8, 9] 和活性金属键合 (AMB) 基板[10–15]。AMB 基板是通过使用钎料金属（例如 Ag-Cu-Ti 基合金）将铜键合到 AlN 上而制成的。这些系统中的 Cu/AlN 界面结构以 Ag-Cu 合金层和
