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壁壁的限制性墙壁变形是由深度发掘引起的：越南冲土的案例研究
摘要：这项研究的目的是评估利用BW（Buttress Wall）来控制越南胶质土壤条件下膜片壁的偏转的影响。使用在特定项目期间密切监视的数据评估了碰撞层的物理和机械性能，这是利用硬化土壤模型的3D数值模拟的验证。分析结果与现场监视数据非常匹配，该数据测试了模拟模型的准确性。这构成了进一步研究BW壁的维度参数的基础，包括它们之间的长度，厚度和间距。从参数研究中获得的结果表明，在BW壁之间改变壁的长度和间距显着限制了隔膜壁的变化，而厚度的变化具有可忽略的效果。通过3D数值模拟，已经建立了最大壁偏转与参数（例如壁长和BW壁之间的间距）之间的线性关系。
近场辐射传热（NFRHT）-CUHK EE
1。Rytov，Sergei Mikhailovich（1953）。“ [电波动和热辐射理论]”。科学学院出版社（俄语）。2。Emslie，A。G.（1961）。“通过紧密间隔的盾牌传递辐射”。3。Cravalho，E。G。; Tien，C.L。; Caren，R。P.（1967）。“小间距对两个介电辐射转移的影响”。传热杂志。89（4）：351–358。 doi：10.1115/1.3614396。 4。 domoto，G。a。; Tien，C。L.（1970）。 “平行金属表面之间辐射转移的厚膜分析”。 传热杂志。 92（3）：399–404。DOI：10.1115/1.3449675。 5。 Boehm，R。F。; Tien，C。L.（1970）。 “平行金属表面之间辐射转移的小间距分析”。 传热杂志。 92（3）：405–411。doi：10.1115/1.3449676。89（4）：351–358。doi：10.1115/1.3614396。4。domoto，G。a。; Tien，C。L.（1970）。“平行金属表面之间辐射转移的厚膜分析”。传热杂志。92（3）：399–404。DOI：10.1115/1.3449675。5。Boehm，R。F。; Tien，C。L.（1970）。 “平行金属表面之间辐射转移的小间距分析”。 传热杂志。 92（3）：405–411。doi：10.1115/1.3449676。Boehm，R。F。; Tien，C。L.（1970）。“平行金属表面之间辐射转移的小间距分析”。传热杂志。92（3）：405–411。doi：10.1115/1.3449676。
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先进 CMOS 的性能和可靠性设计
在过去的几十年中，电子行业的中心主题是通过减小晶体管面积来增加晶体管密度，这是摩尔定律的要求。从平面 CMOS 技术到 FinFET 技术的范式转变将这种面积缩小趋势延续到了 20nm 以下时代。FinFET 中晶体管静电的增强使栅极长度和接触多晶硅间距 (CPP) 进一步缩小。同时，对面积缩小的追求也来自宽度（或鳍片间距）和高度尺寸。通过减小鳍片间距和增加鳍片高度，可以提高 FinFET 的电流密度。因此，电路设计人员可以使用更少的鳍片来满足相同的电流要求并同时节省面积，这种方案通常称为“鳍片减少”。然而，上述方法开始显示出收益递减，并面临过多的制造挑战。为了进一步提高电流密度并减小面积，未来预计将使用具有高迁移率的新型通道材料（例如 SiGe）和/或具有更好静电的新结构（例如插氧化物 FinFET (iFinFET)、Gate-All-Around FET、Nanosheet FET）。
先进 CMOS 的性能和可靠性设计
在过去的几十年中，电子行业的中心主题是通过减小晶体管面积来增加晶体管密度，这是摩尔定律的要求。从平面 CMOS 技术到 FinFET 技术的范式转变将这种面积缩小趋势延续到了 20nm 以下时代。FinFET 中晶体管静电的增强使栅极长度和接触多晶硅间距 (CPP) 进一步缩小。同时，对面积缩小的追求也来自宽度（或鳍片间距）和高度尺寸。通过减小鳍片间距和增加鳍片高度，可以提高 FinFET 的电流密度。因此，电路设计人员可以使用更少的鳍片来满足相同的电流要求并同时节省面积，这种方案通常称为“鳍片减少”。然而，上述方法开始显示出收益递减，并面临过多的制造挑战。为了进一步提高电流密度并减小面积，未来预计将使用具有高迁移率的新型通道材料（例如 SiGe）和/或具有更好静电的新结构（例如插氧化物 FinFET (iFinFET)、Gate-All-Around FET、Nanosheet FET）。
先进 CMOS 的性能和可靠性设计
在过去的几十年中，电子行业的中心主题是通过减小晶体管面积来增加晶体管密度，这是摩尔定律的要求。从平面 CMOS 技术到 FinFET 技术的范式转变将这种面积缩小趋势延续到了 20nm 以下时代。FinFET 中晶体管静电的增强使栅极长度和接触多晶硅间距 (CPP) 进一步缩小。同时，对面积缩小的追求也来自宽度（或鳍片间距）和高度尺寸。通过减小鳍片间距和增加鳍片高度，可以提高 FinFET 的电流密度。因此，电路设计人员可以使用更少的鳍片来满足相同的电流要求并同时节省面积，这种方案通常称为“鳍片减少”。然而，上述方法开始显示出收益递减，并面临过多的制造挑战。为了进一步提高电流密度并减小面积，未来预计将使用具有高迁移率的新型通道材料（例如 SiGe）和/或具有更好静电的新结构（例如插氧化物 FinFET (iFinFET)、Gate-All-Around FET、Nanosheet FET）。
先进 CMOS 的性能和可靠性设计
在过去的几十年中，电子行业的中心主题是通过减小晶体管面积来增加晶体管密度，这是摩尔定律的要求。从平面 CMOS 技术到 FinFET 技术的范式转变将这种面积缩小趋势延续到了 20nm 以下时代。FinFET 中晶体管静电的增强使栅极长度和接触多晶硅间距 (CPP) 进一步缩小。同时，对面积缩小的追求也来自宽度（或鳍片间距）和高度尺寸。通过减小鳍片间距和增加鳍片高度，可以提高 FinFET 的电流密度。因此，电路设计人员可以使用更少的鳍片来满足相同的电流要求并同时节省面积，这种方案通常称为“鳍片减少”。然而，上述方法开始显示出收益递减，并面临过多的制造挑战。为了进一步提高电流密度并减小面积，未来预计将使用具有高迁移率的新型通道材料（例如 SiGe）和/或具有更好静电的新结构（例如插氧化物 FinFET (iFinFET)、Gate-All-Around FET、Nanosheet FET）。