XiaoMi-AI文件搜索系统
World File Search System黑磷
有机染料负载减少了二氧化钛作为超快纤维激光器的宽带饱和吸收剂
Ultrafastber激光器广泛用于各种军事和平民应用中，1 - 3，例如光学通信4和精确加工。5,6产生超短脉冲的主要方法之一是被动模式锁定的技术，其中关键是将饱和吸收器（SA）引入激光腔。模式锁定的ber激光器可以使用合适的配对作为SAS实现，从而在性能和输出稳定性方面具有优势。6现有的饱和吸收材料包括半导体可饱和吸收镜7,8和由石墨烯，9,10钼二钼de（MOS 2）11,12和黑磷所代表的二维材料。13,14此外，多种材料已用于超快激光器中的模式锁定设备，包括SNSE 2，15 GEAS 2，16 RGO-CO 3 O 4（参考17）和WCN。18然而，对SAS使用的新材料的调查仍处于早期阶段。因此，有必要探索新型材料作为具有出色非线性光学特性的替代SAS，以实现模式锁定的超短脉冲激光器。
用于废水处理的二维材料
全球人口增长、经济扩张和气候变化使水资源短缺成为日益复杂的挑战。需要先进的废水处理或净化系统，以可扩展、可靠、经济高效和可持续的方式生产清洁水。由于二维材料具有卓越的品质和独特的结构，其最新发展为解决水净化这一巨大问题提供了一条新途径。新兴的二维材料具有前所未有的表面体积比，包括石墨烯、氧化石墨烯、MXenes、硼碳氮化物、gC 3 N 4、金属有机骨架和黑磷，它们在水清洁和监测方面具有极低的材料消耗、极快的处理时间和极高的处理效率。本综述将重点介绍二维材料的最新进展及其在废水处理中的污染物检测、分离、吸附和光催化中的应用。由于二维材料具有高导电性、亲水性和催化活性等独特品质，人们对其在水处理和环境修复中的潜在用途产生了浓厚的研究兴趣。本综述还将提供有关二维材料在水净化领域作为吸附剂、脱盐、光降解和催化活性的合成和用途的信息。综述最后概述了新的研究途径，并展望了这一发展领域面临的困难。关键词：二维材料、废水处理、吸附、光催化过程。
Wenjun Liu*, Hemei Zheng, Kahwee Ang, Hao Zhang, Huan Liu, Jun Han, Weiguo Liu, Qingqing Sun*, Shijin Ding and David Wei Zhang* Temperature-stable bla
摘要：黑磷（BP）在电子和光电子应用方面表现出巨大的潜力，然而如何保持BP器件在整个温度范围内的稳定性能仍然是一个难题。本文展示了一种在原子层沉积AlN/SiO 2 /Si衬底上制备的新型BP场效应晶体管（FET）。电学测试结果表明，与传统SiO 2 /Si衬底上制备的BP FET相比，AlN衬底上的BP FET具有更优异的电学性能。在77至400 K的温度范围内，它表现出5 × 10 8 的大开关电流比、< 0.26 V/dec的低亚阈值摆幅和1071 cm 2 V −1 s −1的高归一化场效应载流子迁移率。然而，当温度升至400 K时，SiO 2 /Si衬底上的BP FET不再具有这些稳定的电学性能；相反，SiO 2 /Si 衬底上的 BP FET 的电性能却急剧下降。此外，为了从物理上了解 AlN 衬底上 BP FET 的稳定性能，进行了低频噪声分析，结果表明 AlN 薄膜
水凝胶在癌症免疫治疗中的应用
结果：共收集到422篇与水凝胶在癌症免疫治疗中相关的英文出版物。2021年后，年度出版物数量迅速增加，并且在过去两年中保持不变。中国在该领域发表的文章最多。发表文章最多的机构是中国科学院。陈庆是最多产的作者，刘哲是第二多的作者。在期刊贡献方面，《生物材料》期刊的出版物数量最多（n = 30）。《生物材料》、《先进功能材料》和《控释杂志》是最具影响力的期刊。关键词分析显示，癌症免疫治疗、药物输送、免疫原性细胞死亡、肿瘤微环境、可注射水凝胶和免疫检查点阻断是主要的研究热点。近3年来，过继性T细胞治疗、黑磷、细胞捕获、适应性细胞治疗、肿瘤微环境、光动力治疗、缓释等是该领域的研究热点。本文总结了近年来水凝胶在癌症免疫治疗中的应用，为相关领域的研究人员提供参考。
纳米技术-NSF -PAR-国家科学基金会
摘要这项实验研究揭示了在Si（111）上呈厚度⩽30nm的二维（2D）鞭毛的外延雄性苯乙烯中有趣的热电效应和装置。bismuthene表现出有趣的各向异性塞贝克系数在不同的晶体方向上变化了2-5倍，这意味着存在像黑磷这样的冰泡原子结构。Seebeck系数的绝对值高达237 µ V K -1设置了有史以来最佳知识测量的元素BI的记录。bismuthene的电导率最高可达到4.6×10 4 S m -1，对厚度和磁场敏感。以及所需的低热导率约为1.97 w m -1 K，是其大体形式的20％，测量了bismuthene的室温下的第一个实验ZT值〜10 –2，比许多其他VA Xenes高得多，与其大量化合物相当。上面的结果表明，在Si上的外延2D二晶曲菌的混合屈曲和皱纹的BI原子结构（111）。我们的工作为探索潜在应用（例如热通量传感器，能量转换设备等）铺平了道路。
纳米级
识别靶DNA，然后利用内切酶Cas9蛋白在靶基因位点引入位点特异性双链断裂（DSB）。3已经通过使用CRISPR/Cas9 DNA（可以编码Cas9的质粒DNA和病毒基因组）、mRNA或蛋白质获得了成功的基因编辑活动。4,5通常，直接递送Cas9/sgRNA RNP复合物是近年来最广泛的方法，因为它具有速度快、基因编辑效率高、离靶效应低和免疫反应低等优点。6然而，尽管基于RNP的治疗方法具有诸多优势，但仍存在一些挑战。目前，物理方法（电穿孔、显微注射等）和病毒载体（腺病毒、腺相关病毒等）仍然是主要的递送策略。 7,8 尽管已报道了一些非病毒纳米载体（如 DNA 纳米线、9 阳离子脂质或聚合物 10 和黑磷 11）用于 RNP 递送，但它们仍然难以在体外和体内实现有效的基因编辑。一般来说，有三个递送问题需要考虑。首先，CRISPR/Cas9 RNP 尺寸较大，表面带电较多，难以浓缩成小尺寸或封装。12
gardnerella，prevotella和...物理评论B 108，165415（2023）超薄膜...
磷烯是黑磷的单层，是一种二维材料，在布里渊区缺乏多杂志结构，并且具有可忽略的旋转轨道耦合。这使其成为独立于山谷或旋转大厅效应的轨道厅效应的有前途的候选人。为模型磷烯，我们利用了一种密度功能理论的紧密结合哈密顿量，该密集结合哈密顿量是通过假性轨道轨道投射方法构建的。为此，我们使用新实施的内部基础的Paoflow代码，该代码提供了对磷烯传导带的相当好的描述。通过采用线性响应理论，我们表明磷烯在轨道霍尔电导率中表现出相当的轨道霍尔效应，对轨道霍尔电导率有强各向异性，用于平面外轨道角度动量成分。电导率的大小和符号取决于施加的电场的平面内方向。这些独特的特征使能够明确地观察该材料中的轨道大厅效应。还探索了应变和垂直施加的电场对磷酸轨道霍尔响应的影响。我们表明，在其导电状态下，垂直于磷酸层的补充电场可产生诱导的平面内轨道磁化强度。
1 二维材料的制备
二维 (2D) 材料是一类新兴的纳米材料，具有丰富的结构和卓越的性能，将带来许多变革性的技术和应用 [1]。自 2004 年首次发现石墨烯以来，二维材料家族已急剧扩展，包括绝缘体（六方氮化硼 [h-BN]）、半导体（大多数过渡金属二硫属化物 [TMDCs]、黑磷 [BP] 和碲 [Te]）、半金属（部分 TMDCs 和石墨烯）、金属（过渡金属碳化物和氮化物 [MXenes]）、超导体（NbSe 2 ）和拓扑绝缘体（Bi 2 Se 3 和 Bi 2 Te 3 ）[2, 3]。二维材料的原子厚度和悬挂自由表面以及优异的光学、电学、磁学、热学和机械性能使其在光通信、电子学、光电子学、自旋电子学、存储器、热电学以及能量转换和存储器件中具有巨大的应用前景[4, 5]。著名纳米材料学家刘忠范指出，“制备决定未来”是所有材料的必然规律。在过去的十年中，一系列的制备技术被开发来制备二维材料，以满足其基础研究和各种应用的需要。鉴于二维材料的层状结构，主要的制备技术可分为两大类：自上而下和自下而上的方法。在本章中，我们将介绍近年来发展的二维材料制备技术，包括两种自上而下的方法（机械剥离和液相剥离）和一种自下而上的方法（气相生长）。这里我们给予更多的篇幅来介绍二维材料气相生长中的单晶生长、厚度控制和相位控制。
纳米级-RSC Publishing
识别靶DNA，然后使用核酸内切酶Cas9蛋白在靶基因位点引入位点特异性双链断裂（DSB）。3通过使用CRISPR/CAS9 DNA（可以编码Cas9的质粒DNA和病毒基因组），mRNA或蛋白质获得了成功的基因编辑活性。4,5通常，CAS9/ SGRNA RNP复合物的直接递送是近年来最广泛的方法，因为其快速作用，高基因编辑效率，低邻靶效应和免疫反应。6然而，对于基于RNP的治疗剂的所有优势，仍然存在一些挑战。目前，物理方法（电力，显微注射等）和病毒载体（腺病毒，腺病毒相关病毒等）仍然是主要的交付策略。7,8尽管已经报道了一些非病毒基纳米载体，例如DNA纳米载体，9张阳离子脂质或聚合物，10和黑磷11用于RNP递送，但它们仍然难以实现，无法实现在体外和体内进行效率的基因。一般而言，需要考虑三个交付过程。首先，CRISPR/CAS9 RNP尺寸较大，表面高度高，因此很难将其凝结成小尺寸或封装。12
可伸缩2D纳米电子的结晶绝缘子-IUE
在半个多世纪的时间里，微电子学是由摩尔定律驱动的，摩尔的定律预测每18个月的整合密度将增加一倍，从而指数增长，这对于经济和绩效原因非常有益。根据IRDS [1]的规模，尽管摩尔法律已经结束，但在未来十年中，尽管摩尔的法律已经结束。然而，必须克服许多挑战，其中许多与材料缩放达到原子维度的事实有关，尤其是在垂直区域中。例如，硅的迁移率开始恶化在5 nm以下[2]，这对于其他3D材料可以预期。因此，IRDS将分层的2D半导体列为2028年以后超级FET和内存设备的有前途的选择。符合这些要求，有几个组报告了石墨烯[3]，硅[4]，黑磷[5]和过渡金属二北卡尔科氏菌[6,7]表现出极好的晶体管特征。研究工作主要集中在寻找具有最高迁移率和体面的带镜头的最佳渠道材料上。此外，已经进行了MOS 2 FET的电路集成尝试[8]。然而，2D FET还需要合适的绝缘体来将控制门与通道分开，该通道应该是可扩展的，并且理想地与2D半导体一起搭配，就像SIO 2一样，与Sio 2一起使用。缺乏这些绝缘子使得完全利用2D电子设备的预先定价性能潜力是复杂的，尽管