机构名称：
¥ 1.0
纳米结构锗在 300-1600 nm 波长处的吸收率 > 99 % Toni P. Pasanen*、Joonas Isometsä、Moises Garin、Kexun Chen、Ville Vähänissi 和 Hele Savin Toni P. Pasanen 博士、Joonas Isometsä、Kexun Chen 博士、Ville Vähänissi 博士、Hele Savin Aalto 教授University, Department of Electronics and Nanoengineering, Tietotie 3, 02150 Espoo,Finland E-mail: toni.pasanen@aalto.fi Dr. Moises Garin Aalto University, Department of Electronics and Nanoengineering, Tietotie 3, 02150 Espoo,Finland Universitat de Vic – Universitat Central de Catalunya, Department of Engineering, c/ de la Laura 13, 08500 Vic, 西班牙大学Politècnica de Catalunya, Gran Capità s/n, 08034 巴塞罗那, 西班牙 关键词：锗、纳米结构、干法蚀刻、传感器、近红外
DOI: 10
主要关键词
相关文件推荐
