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未来的设备肯定需要较小的临界维度（CD）并包含新材料和结构。虽然考虑到某些结构和材料的自组装，但在可预见的将来，干燥的蚀刻将仍然是不断变形光刻特征的模式转移的主要方法。在某些情况下，新材料将被纳入传统半导体材料中形成的腔体中。在其他材料中，这些材料将需要干蚀刻，因此需要开发新的蚀刻过程。选择结构和材料的选择将受到可用的干蚀刻工艺和设备功能的很大影响。
革命性的等离子体功率解决方案用于蚀刻和沉积
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