Loading...
机构名称:
¥ 1.0

摘要:用于集成光子和自由空间平台的下一代光相变为变化技术的开发取决于可以在大量大量且光学损失低的情况下反复切换的材料的可用性。近年来,由于在光谱的近红外透明度和接近硅接近的高折射指数中,由于良好的光学透明度,基于基于锑的硫化硫化硫化材料SB 2 SE 3 SE 3 SE 3被确定为许多应用。SB 2 SE 3的结晶温度左右允许使用光学或电气控制信号在中等能量下实现切换,同时为非挥发性存储提供足够的数据保留时间。在这里,我们研究了与光学应用相关的一系列膜厚度的SB 2 SE 3膜光学切换的参数空间。通过识别最佳的切换条件,我们证明了在20 kHz的可逆切换速率下最多可忍受10个循环。我们的工作表明,固有膜参数与泵送条件的组合对于在光相变化应用中实现高耐力尤为重要。

光学切换超过一百万个低损耗相变材料SB2SE3

光学切换超过一百万个低损耗相变材料SB2SE3PDF文件第1页

光学切换超过一百万个低损耗相变材料SB2SE3PDF文件第2页

光学切换超过一百万个低损耗相变材料SB2SE3PDF文件第3页

光学切换超过一百万个低损耗相变材料SB2SE3PDF文件第4页

光学切换超过一百万个低损耗相变材料SB2SE3PDF文件第5页

相关文件推荐

1900 年
¥9.0
2024 年
¥2.0
2020 年
¥1.0
2024 年
¥1.0
2024 年
¥1.0
2024 年
¥1.0
2023 年
¥1.0
2018 年
¥1.0
2024 年
¥1.0
2004 年
¥1.0
2025 年
¥1.0
2025 年
¥24.0
2020 年
¥2.0
2024 年
¥1.0
2022 年
¥2.0
2024 年
¥1.0
2025 年
¥1.0
2020 年
¥1.0
2024 年
¥3.0
2021 年
¥5.0
2023 年
¥1.0
2024 年
¥1.0
2015 年
¥6.0
2019 年
¥3.0
2015 年
¥1.0