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光刻技术在工业中用于制造半导体元件。由此，光掩模逻辑门的纳米结构以光学方式成像在半导体晶片上。对于过程控制，测量场由周期性排列的纳米结构组成，分布在整个光掩模的不同点上。由于可用的空间和资金有限，这些测量场大多不大于 50 µm × 50 µm。然后可以使用显微镜评估晶片上的光刻处理图像。为了在生产过程中进行质量控制应用，PTB 位于柏林阿德勒斯霍夫 BESSY II 电子存储环的实验室的 PTB 研究人员首次成功地通过反射几何中的小角度 X 射线散射表征了此类测量场。
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