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带有新的记忆芯片突破的主要节能
在全球范围内存储，处理和传输的数据量正在迅速增长，因此为其供电所需的能量也是如此。几乎所有处理和存储信息的现代技术都需要存储芯片，从人工智能系统到计算机，自动驾驶汽车和医疗设备。现在，研究人员已经开发了分层[…]
来源:宇宙杂志在全球范围内存储，处理和传输的数据量正在迅速增长，因此为其供电所需的能量也是如此。
几乎所有处理和存储信息的现代技术都需要存储芯片，从人工智能系统到计算机，自动驾驶汽车和医疗设备。
现在，研究人员开发了分层材料，可以通过消除对渴望强力的外部磁场的需求，从而将记忆设备消耗的能量减少10倍。
合金由磁元素钴和铁制成，以及非磁性元素和渗透元素。它允许2种相对的磁力在相同的薄材料中共存。
到目前为止，只有通过在多层结构中堆叠不同的“铁磁”和“抗磁性”材料，这是可能的。
在铁磁铁中，材料的电子将其“自旋”的方向对准相同的方向（向上或向下），以创建一个统一的磁场。在抗铁磁材料中，电子的旋转对齐相反的排列，因此没有总体外部磁性。
“在单个薄材料中找到这种磁性的共存是一个突破，”瑞典Chalmers Technology Quantum Device Physics的研究人员Bing Zhao博士说，该研究的主要作者发表了高级材料。
发表在高级材料上的研究“它的属性使其非常适合为AI，移动设备，计算机和未来数据技术开发超高效率的存储芯片。”
这是因为内存设备可以使用电子旋转方向存储信息。这些“自旋”设备必须能够改变电子自旋方向，这通常需要外部磁场。
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