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两步方法启用可控制的WS₂外延增长
在美国化学学会杂志上发表的一项研究中，由中国科学技术大学（USTC）的Song Li教授（USTC）领导的中国科学院合成的单层WS2 WS2通过现场域工程，并启用了这些结构的可控制的直接化学蒸气（CVD）。
来源:英国物理学家网首页在美国化学学会杂志上发表的一项研究中，由中国科学技术大学（USTC）的Song Li教授（USTC）领导的中国科学院合成的单层WS2 WS2通过现场域工程，并启用了这些结构的可控制的直接化学蒸气（CVD）。
美国化学学会杂志二维（2D）过渡金属二核苷是理想的候选者，可以替代基于硅的半导体，因为它们在原子尺度下具有出色的电气性能。但是，设备应用需要跨低维单元的异质现场调制行为。范德华的相互作用或侧原子键合允许无损害的整合到同型/杂音中，但是由于严格的原子种类约束，直接的外在生长仍然具有挑战性。
过渡金属二分法在这项研究中，研究人员首先通过理论模拟确定最佳的内在缺陷配置。然后，他们采用了两步CVD方法来实现域级别的缺陷结构的原位调制，从而通过量身定制的缺陷体系结构产生同型。
在第一步中，在平衡生长条件下创建了六角形样品中的两种类型的域。在第二步中，为了满足设备要求，特定域的原子配置被原位操纵以设计同型的带状结构。
值得一提的是，要控制外观增长过程，研究人员操纵了三氧化钨和硫的前体喂养速率到平衡状态，这使S-Zigzag边缘的生长速率与W-Zigzag边缘的增长率相等。
平衡状态 更多信息： doi：10.1021/jacs.5c04546期刊信息：美国化学学会杂志