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商务部和 NIST 宣布与 xLight, Inc. 就极紫外光刻技术签署 CHIPS 研究和开发意向书
华盛顿 - 美国国家标准与技术研究院 (NIST) 旗下的商务部 CHIPS 研究与开发办公室今天宣布签署一份不具约束力的初步意向书 (LOI)，提供高达 150 美元的资金
来源:美国国家标准与技术研究院__电子产品信息华盛顿 — 美国国家标准与技术研究院 (NIST) 旗下的商务部芯片研究与开发办公室今天宣布签署一份不具约束力的初步意向书 (LOI)，根据《芯片与科学法案》向 xLight, Inc. 提供高达 1.5 亿美元的联邦激励措施。这将是 NIST 在特朗普政府领导国家半导体技术中心后获得的第一个奖项。该意向书表明了特朗普政府致力于通过寻求投资突破性技术来实现美国在前沿半导体制造领域的领导地位，从而实现下一代光刻技术。
潜在的激励措施将是建造、扩建和演示自由电子激光 (FEL) 原型，作为极紫外 (EUV) 光刻的替代光源。商务部将获得 xLight 价值 1.5 亿美元的股权。
随着半导体行业不断突破摩尔定律的极限，EUV 光刻已成为实现 7nm 节点以上微芯片晶体管大批量制造的关键技术。然而，对更强大和更具成本效益的手段来制造前沿半导体的需求仍然存在，FEL 源有潜力使商业晶圆厂的光刻能力、生产率和成本取得显着进步。
商务部长霍华德·卢特尼克“商务部和其他联邦合作伙伴的参与致力于帮助验证并快速加速这种新型家用光源的商业化，用于当前和未来最先进的半导体光刻，”副部长 Paul Dabbar 说。
副国务卿保罗·达巴尔 Nicholas Kelez，xLight 首席执行官兼首席技术官