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World File Search System一维
使用相干状态
摘要：我们提出了一个具有连贯状态的一维双向连续变量量子键分布协议，在该协议中，发件人调节了相干状态的单个正交，而不是两个二次化，以简化双向系统的结构。安全分析是通过一般攻击策略（称为两模式攻击）进行的，这有助于减少分析中的限制。在所有可访问的两模式攻击下以固定距离的距离进行了协议的性能。此外，从中获得了两种典型的两模式攻击策略，这是一模式攻击策略和最佳的两模式攻击策略。之间，单模式攻击是两种模式攻击的最简单形式，而最佳的两模式攻击是最复杂的攻击。模拟显示，尽管简化了系统，但具有一维调制的双向协议的性能仍然可与具有高斯调制的对应物相当，即使在Eve的能力最大化时，甚至针对最佳的两模式攻击也是如此。因此，提出的协议简化了双向系统，同时保证其性能在一定程度上。尤其是在传输距离短且高度噪声的实用系统中，该协议具有良好的应用前景。
准一磁结构的特殊性...
准一维（Q1D）自旋链体系由于其量子磁性而在高密度信息存储设备、量子信息和计算机中有着巨大的潜在应用。人们在 ANb 2 O 6（A = Mn、Fe、Co 或 Ni）化合物中研究了其低维磁行为，其结构和磁性非常有趣，因为该系统呈现出弱相互作用的伊辛链，从而导致了这种准一维磁序。我们的研究结合了比热和磁测量；X 射线和中子衍射（ND）。在这项工作中，我们提出了一种 Co/Ni 正交结构，称为铌矿，它与 Pbcn 空间群结晶，其分子式为 Co 0.4 Ni 0.6 Nb 2 O 6 。Co 取代 Ni 导致晶格体积连续减小，从而保持正交晶体结构。磁化率和比热测量表明，由于链间相互作用较弱，在 3.4 K 时会出现反铁磁序。磁性离子的部分取代往往会改变在 CoNb 2 O 6 和 NiNb 2 O 6 中观察到的磁序。最后，我们展示了这种磁结构随 Ni-Co 取代而发生的变化。
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arXiv:2408.07115v1 [quant-ph] 2024 年 8 月 13 日
量子态断层扫描 (QST) 仍然是量子计算机和量子模拟器的基准测试和验证的黄金标准。由于通用量子多体状态中的参数数量呈指数级增长，实验量子设备的当前规模已经使直接量子态断层扫描变得难以实现。然而，大多数物理量子态都是结构化的，通常可以用少得多的参数来表示，这使得高效的 QST 成为可能。一个突出的例子是矩阵乘积状态 (MPS) 或矩阵乘积密度算子 (MPDO)，矩阵维度较小，据信它代表了一维 (1D) 量子设备生成的大多数物理状态。我们研究是否可以仅使用量子比特数多项式的状态副本数来恢复一般的 MPS/MPDO 状态，并且误差有界，这对于高效的 QST 是必要的。为了使这个问题在实践中变得有趣，我们假设只对目标状态上的量子比特进行局部测量。通过使用只需要单一测量设置的局部对称信息完备正算子值测量（SIC-POVM），我们对各种常见的多体量子态，包括典型的短程纠缠态、随机 MPS/MPDO 态和一维哈密顿量的热态，给出了上述问题的肯定答案。此外，我们还对某些长程纠缠态（如一族广义 GHZ 态）给出了肯定的否定答案，但已知具有实值波函数的目标态除外。我们的答案得到了 Cramer-Rao 界限的有效计算与使用机器学习辅助最大似然估计（MLE）算法的数值优化结果之间近乎完美的一致性的支持。该一致性还导致了使用局部 SIC-POVM 的最佳 QST 协议，该协议可以在当前的量子硬件上实际实现，并且对大多数一维物理状态都非常高效。我们的结果还表明，即使长距离纠缠量子态能够被有效表示，通常也无法有效恢复。
计算机科学理学士第一学期和第二学期课程大纲
编写并执行以下 C 程序：1. 读取圆的半径并求出面积和周长。2. 读取数字并找出三个中最大的一个。3. 检查数字是否为质数。4. 求二次方程的根。5. 读取数字，求出各位数字之和，反转数字并检查其是否为回文。6. 连续从键盘读取数字直到用户按下 999 并求出仅正数之和。7. 读取分数百分比并显示适当的信息。如果百分比为 70 及以上 - 优异，60-69 - 一等，50-59 - 二等，40-49 及格，低于 40 - 不及格。（演示 if-else 阶梯）8. 模拟一个带有加、减、乘、除功能的简单计算器，并使用 switch case 显示除以零的错误消息。 9. 读取 n 名学生的成绩并计算平均成绩（一维数组演示） 10. 删除一维数组中的重复元素。 11. 求一个数的阶乘。 12. 生成斐波那契数列。 13. 使用嵌套 for 循环设计以下模式：
PM6的性能：Y6有机太阳能使用SCAPS模拟
在这项研究中，具有活性层的有机太阳能电池（OSC），非富烯烯（NFA）Y6作为受体的多种混合物，以及供体PBDB-T-2F作为供体的供体，通过一维太阳能能力模拟（SCAPS-1D）的一维太阳能（SCAPS-1D）模拟了这种类型的polimer-iC-IC-IC-IC-IC-IC-IC-IC-IC-IC-IC-IC-IC-IC-IC-IC-IC-IC-IC-IC-IC-IC的型号模拟。活动层。pfn-br界面层固定在OPV设备中，可提供总体增强的开路电压，短路电流密度和填充因子，从而显示设备的性能。PEDOT：PSS是一种电导性聚合物溶液，由于其较强的孔亲和力，良好的热稳定性，高功能和高透明度在可见范围内，它已在太阳能电池设备中广泛使用作为孔传输层（HTL）。有机太阳能电池的结构是ITO/PEDOT：PSS/BTP-4F：PBDB-T-2F/PFN-BR/AG。首先，将活动层厚度优化为100 nm；之后，活动层厚度最高为900 nm。这些模拟的结果表明，活动层厚度可能明显达到500 nm，然后随着600 nm的活性层的增加而降低，还注意到短路电流和填充因子随着600 nm的增加而增加，而填充层则从600 nm的增加，而开放电压电路则随着活性层的增加而增加。最佳厚度为500 nm。
物质的手性对称高阶拓扑相
高阶拓扑能带理论扩展了物质拓扑相的分类，涵盖了绝缘体[1-13]、半金属[13-18]和超导体[19-31]。它推广了拓扑相的体边界对应性，使得d维n阶拓扑相仅在其(d-n)维边界上具有受保护的特性，例如无带隙态或分数电荷。目前，已知有两种互补机制可产生高阶拓扑相（HOTP）：（1）由于某些 Wannier 中心配置引起的角诱导填充异常[2, 5, 9, 32, 33]，以及（2）边界局域质量域的存在[2, 3, 6 – 8, 34, 35]。这两种机制分别导致了角电荷的分数量子化和角处单个间隙态的存在。在一阶拓扑系统中，还存在保护每个边界上的多个状态的相。这发生在奇数维度的手性对称系统（十重分类中的 AIII 类[36 – 38]）中。例如，在一维系统中，此类相由一个 Z 拓扑变量（称为绕组数 [ 39 , 40 ]）来识别，它将哈密顿量的同伦类归类在第一个同伦群 π 1 [ U ( N )] 内，并对应于每个边界上简并零能态的数量。相反，应用于手性一维系统的 Wannier 中心方法仅根据电偶极矩（由 Wannier 中心的位置给出）是否量化为 0 或 e/ 2 产生 Z 2 分类。因此，从这个意义上说，Wannier 中心方法的范围相对于绕组数的范围较小；它将所有具有偶数绕组数的一维手性对称系统标记为平凡的。观察到 AIII 类 1D 系统具有比 Wannier 中心图提供的更完整的 Z 分类，这表明，类似地，AIII 类 HOTP 可能存在更完整的分类。例如，考虑堆叠 N 个拓扑四极子绝缘体 [1]。如果它们以手性对称方式耦合，则整个系统在每个角将具有 N 个零能态。然而，没有已知的拓扑四极子绝缘体 [2]。
第 2 章 量子力学
现在，我们可以使用玻尔原子来演示能量量化。更简单的方法是考虑一个一维问题，即一个电子被限制在一个盒子里。当我们研究量子力学本身时（即通过求解所谓的薛定谔方程），我们会发现盒子里的电子问题在数学上等同于弦上的波问题。在波动图中，这种对应关系是显而易见的，因为电子是波，而盒子是边界条件。然后，电子的（非相对论）能量由其动能给出：
入学博士学位。程序2024入学博士学位。程序2024
热转移：传热模式；一维热传导，抗性概念和电类比喻，通过鳍的传热；不稳定的热传导，集总参数系统，Heisler的图表；热边界层，自由和强制对流传热中的无量纲参数，扁平板上流动和通过管道的传热相关性，湍流的影响；热交换器性能，LMTD和NTU方法；辐射传热，Stefanboltzmann法律，WIEN的位移法，黑色和灰色表面，视图因素，辐射网络分析
ECE III TO VIII.pdf - 学术课程中心
傅里叶积分定理 – 傅里叶变换对-正弦和余弦变换 – 性质 – 基本函数变换 – 卷积定理 – 帕塞瓦尔恒等式。第三单元偏微分方程 9+3 形成 – 一阶方程的解 – 标准类型和可简化为标准类型的方程 – 奇异解 – 拉格朗日线性方程 – 通过给定曲线的积分曲面 – 具有常数系数的高阶线性方程的解。第四单元偏微分方程的应用 9+3 变量分离法 – 一维波动方程和一维热方程的解 – 二维热方程的稳态解 – 笛卡尔坐标中的傅里叶级数解。第六单元 Z – 变换和差分方程 9+3 Z 变换 – 基本性质 – 逆 Z 变换 – 卷积定理 – 初值和终值定理 – 差分方程的形成 – 使用 Z 变换求解差分方程。L：45，T：15，总计：60 节课 教科书 1.Grewal，B.S.“高等工程数学”，Khanna Publications（2007） 参考文献 1.Glyn James，“高级现代工程数学”，Pearson Education（2007） 2.Ramana，B.V. “高等工程数学”Tata McGraw Hill（2007）。3.Bali, N.P.和 Manish Goyal，“工程教科书第 7 版 (2007) Lakshmi Publications (P) Limited，新德里。