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World File Search System与电路
Jaydeep P. Kulkarni研究兴趣：教育
T1。 研讨会，“有效机器学习硬件的模拟计算技术和电路”，《技术与电路》的VLSI研讨会，2020年6月T2。 “使用双向记忆延迟线进行节能边缘计算的全数字时域CNN发动机”硅实验室，奥斯汀，德克萨斯州，2019年11月，T3。 邀请了Talk，“使用RRAM和Selector作为技术辅助的高密度非挥发性SRAM”，IEEE非挥发记忆技术研讨会（NVMTS），北卡罗来纳州达勒姆，2019年10月，T4。 “使用双向内存延迟线进行节能边缘计算，北卡罗来纳州罗利市高通公司，2019年10月，T5。 主题演讲“高级CMO中的能源有效嵌入式记忆：趋势和前景”，VLSI设计与测试会议，印度技术研究院（IIT），印度印度印度印度印度，2019年7月，T6。 邀请谈话“高级CMO中的嵌入式记忆：ML/AI加速器的趋势和机遇”，印度理工学院（IIT）孟买，印度，2019年7月，T7。 “高级CMO中的嵌入式记忆：ML/AI加速器的趋势和机会”，印度班加罗尔的三星研发研究所，2019年7月，T8。 “高级CMO中的嵌入式记忆：趋势和前景”，印度高通班加罗尔，2019年7月T9。 “高级CMO中的嵌入式记忆：ML/AI加速器中的趋势和机遇”，印度班加罗尔，2019年7月，T10。 邀请演讲“高级CMO中的嵌入式记忆：ML/AI 中的趋势和机会T1。研讨会，“有效机器学习硬件的模拟计算技术和电路”，《技术与电路》的VLSI研讨会，2020年6月T2。“使用双向记忆延迟线进行节能边缘计算的全数字时域CNN发动机”硅实验室，奥斯汀，德克萨斯州，2019年11月，T3。邀请了Talk，“使用RRAM和Selector作为技术辅助的高密度非挥发性SRAM”，IEEE非挥发记忆技术研讨会（NVMTS），北卡罗来纳州达勒姆，2019年10月，T4。“使用双向内存延迟线进行节能边缘计算，北卡罗来纳州罗利市高通公司，2019年10月，T5。主题演讲“高级CMO中的能源有效嵌入式记忆：趋势和前景”，VLSI设计与测试会议，印度技术研究院（IIT），印度印度印度印度印度，2019年7月，T6。邀请谈话“高级CMO中的嵌入式记忆：ML/AI加速器的趋势和机遇”，印度理工学院（IIT）孟买，印度，2019年7月，T7。“高级CMO中的嵌入式记忆：ML/AI加速器的趋势和机会”，印度班加罗尔的三星研发研究所，2019年7月，T8。“高级CMO中的嵌入式记忆：趋势和前景”，印度高通班加罗尔，2019年7月T9。“高级CMO中的嵌入式记忆：ML/AI加速器中的趋势和机遇”，印度班加罗尔，2019年7月，T10。邀请演讲“高级CMO中的嵌入式记忆：ML/AI
fem-circuit共同模拟超导同步风发电机，使用麦克斯韦方程的同质j-a配方连接到直流网络
摘要。高温超导体（HTS）非常有吸引力的高效和高能量密度功率设备。它们与需要轻型和紧凑型机器（例如风力发电）的应用特别相关。在这种情况下，为了确保超导器机器的正确设计及其在电力系统中的可靠操作，那么开发可以准确包含其物理功能但也可以正确描述其与系统的相互作用的模型很重要。为了实现这样一个目标，一种方法是共同模拟。这种数值技术可以通过有限元模型（FEM）带来机器的细几何和物理细节，同时处理整个系统的操作，该系统包含了机器，以及由外部电路代表的电网的子集。当前工作的目的是在涉及超导组件时使用这种数值技术。在这里，提出了一个案例研究，该案例研究涉及通过整流器及其相关滤波器与直流电流（DC）网络耦合到直流电流（DC）网络的15 MW杂交超导同步发电机（HTS转子和常规定子）。与风能应用有关的案例研究允许在使用与HTS机器的共同模拟时抓住技术问题。发电机的FEM是在商用软件COMSOL多物理学中完成的，该商品通过内置功能模拟单元（FMU）与电路模拟器Simulink进行交互。因此，它是在本研究中，引入了最新版本的最新版本J-与均化技术结合使用的配方，与T -A公式相比，计算时间更快。分布式变量和全局变量，例如前者和电压，电流，电磁扭矩以及后者的功率质量的电流密度，磁通量密度和局部损失，并进行了比较。这个想法是在计算速度，准确性和数值稳定性的标准下找到最适合的组合FEM电路。
维尼昂信息技术学院（自治）
cation TE SE CC Dist contact 1 NQ R2021011 数学-III Dr.D.Ratna Babu 教授 博士 13 13 KT KRI 9000976638 2 NQ R2021011 数学-III Dr.R.Leela Vathi 助理教授 博士 10 6 HP KRI 9383455555 3 NQ R2021042 开关理论与逻辑设计 Dr K Srinivasa Rao 教授 博士 20 6 8T KRI 9494379031 4 NQ R2021043 信号与系统 Dr.T Lakshmi Narayana 副教授 博士 11 9 HP KRI 8686000546 NQ R2021044 随机变量与随机过程 Dr S Srigowri 教授 博士29 13 X4 KRI 7093322366 6 NQ R2021422 使用 Java 的面向对象编程 Dr.A.Radhika 副教授 博士 23 9 X4 KRI 9885986856 7 49 R2021011 数学-III Dr B Mahaboub 教授 博士 24 15 F0 PKS 8465977870 8 49 R2021011 数学-III Dr K Srinivas 教授 博士 28 28 8A PKS 9908786858 9 49 R2021041 电子器件与电路 Dr DVN Sukanya 副教授 博士 18 18 F0 PKS 9032869703 10 49 R2021042 开关理论与逻辑设计 Dr A Ranganayakulu 教授 博士 30 20 JU PKS 6281311010 11 49 R2021043 信号与系统 Dr M Ratnababu 教授 博士 17 10 F0 PKS 8074506708 12 49 R2021044 随机变量与随机过程 Dr P Srinivasulu 教授 博士 19 19 35 PKS 9676136356 13 7W R2021011 数学-III Dr. D Naga Bhargavi 助理教授 博士 18 18 NN GTR 9490514627
太阳能电池用抗紫外线粘合剂 & ...
关于 AI Technology, Inc. 自 1985 年率先将柔性环氧树脂技术用于微电子封装以来，AI Technology 一直是开发用于电子互连和封装的先进材料和粘合剂解决方案的主导力量之一。除了率先使用“相变”材料 (PCM) 作为热界面材料 (TIM) 外，AI Technology 还为微电子封装行业提供了柔性环氧树脂热粘合剂。通过管理粘合粘合剂之间热膨胀系数差异引起的界面应力，这些热管理材料已在关键的军事和航空航天应用中得到广泛使用和成功。相同的无应力介电粘合剂现已适用于铜和铝包覆的绝缘金属基板。这些热管理材料的主要优势是无与伦比的长期可靠性，这归因于其能够承受反复的热循环和散热板与电路层之间的无应力粘合。AI Technology 还为更先进的多层绝缘金属基板电路和模块提供具有高导热性的相同柔性环氧预浸料。这种新型热管理材料为太阳能电池、LED 面板等电源模块的大面积热管理提供了平台和基础设施。AI Technology 拥有全系列芯片和基板粘接膜和糊剂、热界面材料、（EMI/RFI）缓解材料解决方案、导电填缝剂和粘合剂以及先进的柔性和绝缘金属电路基板。该公司在新泽西州普林斯顿交界处占地 16 英亩的园区内拥有经 ISO9001:2000 认证的制造和研发设施。销售支持包括公司在中国深圳和香港的直属办事处以及欧洲和亚洲的销售代表。
TorchQuantum 稳健量子电路案例研究
摘要 量子计算因其在各个领域实现速度和效率根本提升的潜力而吸引了众多研究关注。在不同的量子算法中，用于量子机器学习 (QML) 的参数化量子电路 (PQC) 有望在当前的嘈杂中型量子 (NISQ) 机器上实现量子优势。因此，为了促进 QML 和 PQC 研究，最近发布了一个名为 TorchQuantum 的 Python 库。它可以构建、模拟和训练用于机器学习任务的 PQC，速度快且调试方便。除了用于机器学习的量子，我们还希望引起社区对相反方向的关注：用于量子的机器学习。具体而言，TorchQuantum 库还支持使用数据驱动的机器学习模型来解决量子系统研究中的问题，例如预测量子噪声对电路保真度的影响并提高量子电路编译效率。本文介绍了 TorchQuantum 中用于量子部分的机器学习的案例研究。由于估计噪声对电路可靠性的影响是理解和减轻噪声的重要步骤，我们建议利用经典机器学习来预测噪声对电路保真度的影响。受量子电路自然图形表示的启发，我们建议利用图形变换器模型来预测嘈杂的电路保真度。我们首先收集包含各种量子电路的大型数据集，并在嘈杂的模拟器和真实机器上获得它们的保真度。然后，我们将每个电路嵌入到具有门和噪声属性作为节点特征的图中，并采用图形变换器来预测保真度。我们可以避免指数级的经典模拟成本，并有效地估计具有多项式复杂度的保真度。在 5,000 个随机和算法电路上进行评估，图形变换器预测器可以提供准确的保真度估计，RMSE 误差为 0.04，平均比简单的基于神经网络的模型高出 0.02。它可以分别对随机和算法电路实现 0.99 和 0.95 的 R 2 分数。与电路模拟器相比，该预测器在估计保真度方面具有超过 200 倍的速度提升。数据集和预测器可以在 TorchQuantum 库中访问。1 简介
印度理工学院德里 HAUZ KHAS，新德里 - 110016
电子设备与电路、控制与自动化、通信、信号处理、计算机技术、电力系统、电力电子、机器与驱动器。2. 计算机技术：计算机网络、计算机架构、SoC 和 VLSI 设计和测试、传感器网络、嵌入式系统、并行和分布式处理、大数据分析、VLSI 的 CAD、计算机视觉和图像分析、生物识别、模式识别、机器学习、数据分析、神经网络、人工智能和软计算、多媒体系统、图论、系统生物学、生物信息学、医学信息学、计算语言学、音乐和音频处理、生物医学信号/图像处理、辅助技术、计算神经科学、脑机或人机界面、医疗电子/医疗技术、网络安全、网络物理安全。 3. 半导体器件、材料、制造、特性、VLSI 设计、光子学、混合信号电路设计、射频电路设计、NEMS、神经形态、纳米电子学、非易失性存储器技术、SRAM、DRAM、量子材料、电子和计算、光伏、传感器、等离子体、紧凑建模、自旋电子学、MEMS、模拟电路设计、电路测试、容错、故障安全设计、微电子和功率器件、电路器件交互、电路器件优化、3D IC、3D 芯片、先进半导体封装、器件可靠性、柔性和可印刷电子、红外光电探测器、化学传感器、能量收集器和存储、光电子学、功率半导体器件和宽带隙半导体、量子材料、生物传感器、生物医学器件、纳米制造、新型光学和电子材料的生长和自组装、集成纳米级系统、计算电磁学、传感器：光纤和芯片、生物光子学和生物成像、固态成像、CMOS图像传感器、生物启发视觉系统、神经形态成像、模拟/数字电路设计、光电子学和光子学、用于量子计算的低温硅基量子比特和CMOS的建模和表征、RF-CMOS器件和电路、CMOS和GaNHEMT器件的可靠性、CMOS中的辐射效应、半导体硬件安全、微流体学、
电子工程系
序号课程代码 课程名称 LTP 课程类型 1 ECC201 电子设备 3-0-0 理论 2 ECC202 信号与网络 3-1-0 理论 3 ECC203 数字电路与系统设计 3-0-0 理论 4 ECC204 数字系统设计实验室 0-0-2 实践 5 ECC205 信号与网络实验室 0-0-2 实践 6 ECC206 模拟电路 3-1-0 理论 7 ECC207 电磁理论 3-0-0 理论 8 ECC208 控制系统 3-0-0 理论 9 ECC209 微处理器与微控制器 3-0-0 理论 10 ECC210 电子设备与电路实验室 0-0-3 实践 11 ECC211 微处理器与微控制器实验室 0-0-2 实践 12 ECC301 通信系统原理 3-0-0理论 13 ECC302 数字信号处理 3-0-0 理论 14 ECC303 VLSI 设计 3-0-0 理论 15 ECC304 数字信号处理实验室 0-0-3 实践 16 ECC305 通信系统实验室 0-0-3 实践 17 ECC306 数字通信 3-0-0 理论 18 ECC307 微波工程 3-0-0 理论 19 ECC308 数字通信实验室 0-0-3 实践 20 ECC309 微波工程实验室 0-0-2 实践 21 ECC401 项目 - I 0-0-0 (6) 非接触 22 ECC402 项目 - II 0-0-0 (6) 非接触 23 ECC500 高级通信理论 3-0-0 理论 24 ECC501 高级光通信 3-0-0 理论 25 ECC502 基于 HDL 的系统设计 3-0-0 理论 26 ECC503 概率论与线性代数 3-0-0 理论 27 ECC504 通信系统基础 3-0-0 理论 28 ECC505 数值方法与优化技术 3-0-0 理论 29 ECC506 VLSI 技术 3-0-0 理论 30 ECC507 电子工程实验室 - I 0-0-3 实践 31 ECC508 电子工程实验室 - II 0-0-3 实践 32 ECC509 基于 HDL 的系统设计和项目实验室 0-0-2 实践 33 ECC510 电路仿真实验室 0-0-2 实践 34 ECC511 嵌入式系统设计和项目实验室 0-0-2 实践 35 ECC512 物理设计和 EDA 实验室 0-0-2 实践36 ECC542 微波传输线和匹配网络 3-0-0 理论 37 ECC580 数学和仿真技术 3-0-0 理论 38 ECC581 研究方法 3-0-0 理论 39 ECC582 数字 VLSI 电路设计 3-0-0 理论 40 ECC583 VLSI 与通信系统实验室 0-0-3 实践 41 ECC584 射频与光子学实验室 0-0-3 实践 42 ECC597 论文 0-0-0 (36) 非接触式 43 ECC598 论文 0-0-0 (18) 非接触式 44 ECC599 论文 0-0-0 (S/X) 旁听 45 ECS401 实习 0-0-0 (S/X) 非接触式
用于量子工程的低温电子学
数千到数百万个敏感信号需要通过稀释制冷机的所有温度阶段进行传输，以操作由许多量子位组成的未来大规模量子处理器。导热同轴电缆数量的激增将超出制冷机的冷却能力，对量子核心造成不利影响。将控制电子设备降至低温允许使用现有的超导电缆，减轻低温阶段之间的热传导，并且似乎是实现操作量子位数可扩展性的明确途径。这项博士论文旨在探索在低温下将工业 CMOS 28nm 全耗尽绝缘体上硅 (FD-SOI) 技术用于量子计算应用。我们的第一个目标是将有关低温下 FD-SOI 28nm 晶体管的稀疏现有知识扩展到电路设计的实际方面，然后用于开发紧凑模型。为了加快对具有长达一小时的固有冷却周期的单个器件的表征，我们设计了一个集成电路，该集成电路多路复用了数千个具有不同几何形状和栅极堆栈类型的晶体管，用于低频测量电流-电压特性和从 300 到 0.1K 的配对分析。我们讨论并分析了不同温度下电路设计中重要量的变化趋势，例如跨导、电导和单个晶体管的跨导与漏极电流比。其次，我们探索了半导体量子器件与经典电子器件的低温共积分和全片上集成，旨在实现低至毫开尔文范围的特定测量。我们首先通过设计和表征低功耗跨阻放大器 (TIA) 来关注量子点器件的亚纳安电流测量。高增益放大器成功应用于测量单量子点和双量子点器件的电流，这些器件分别通过引线键合几毫米或片上集成几微米。为了进一步利用集成到同一基板的优势，我们将 GHz 范围的压控振荡器连接到双点的其中一个栅极，以尝试观察完全集成设备中的离散电荷泵。最后，我们提出了一种新的测量方案，利用低温电子学功能作为众所周知的反射测量法的替代方案，解决了单个量子器件栅极电容的测量问题。通过在 200 MHz 范围内集成电压控制电流激励和电压感应放大器，两者都靠近连接到 LC 槽的量子器件，器件电容变化的读出电路变成纯集总元件系统，具有谐振电路的阻抗测量，而没有任何像反射法中那样的波传播。这种方法增加了测量装置的简单性和紧凑性。我们甚至用由晶体管和电容器组成的有源电感器取代了反射法中使用的笨重无源电感器，在相同电感下面积降低了 3 个数量级，从而提供了更好的可扩展性。由此产生的电路成功测量了 4.2K 下纳米晶体管的 aF 电容变化，揭示了栅极电容中随栅极和背栅极电压而变化的振荡量子效应。在这篇论文的最后，给出了一幅与电路架构和设计相关的挑战的图景，最终目标是进入大规模量子处理时代。
厚度和掺杂浓度对太阳效率的影响
of GaN/p-Si based solar cells N. S. Khairuddin a , M. Z. Mohd Yusoff a,* , H. Hussin b a School of Physics and Material Studies, Faculty of Applied Sciences, Universiti Teknologi MARA, 40450 Shah Alam, Selangor, Malaysia b School of Electrical Engineering, College of Engineering, Universiti Teknologi MARA, 40450 Shah阿拉姆（Alam），马来西亚雪兰莪（Selangor），在这项研究中，我们使用PC1D模拟器来证明基于硝酸盐（GAN）的太阳能电池模型的性能分析。已经发现，当GAN底物的层厚度生长时，太阳能电池的效率会降低。这是通过比较GAN和硅底物上的掺杂浓度和层厚度来发现的。随着P掺杂SI层的厚度升高，细胞效率恰好增加。GAN和P -Silicon的最佳掺杂浓度分别为1x10 18 cm -3和1x10 17 cm -3。与其他设计相比，GAN/P-Silicon太阳能电池的效率最高25.26％。（2023年6月21日收到； 2023年9月1日接受）关键字：太阳能电池，甘恩，氮化碳，硅，硅，pc1d1。简介硝酸盐（GAN）设备自然会获得市场份额。gan收入将以75％的累积年增长率扩大。电力电子专家目前面临与电路设计技术，被动组件选择，热管理和实验测试有关的问题，这是由于其高开关速度和操作开关频率[2]。gan合金具有可调的直接间隙，这就是光伏使用它们的原因。用于光电和微电子学中的应用，III-V硝酸盐（如氮化岩（GAN），氮化铝（ALN）和硝酸铝（Innride）及其合金及其合金都特别吸引人。他们的带盖是最初[3]最诱人的地方之一。si还旨在在低温血浆增强化学蒸气沉积（PECVD）方法中作为N型掺杂剂掺入，因为它是高温GAN中的众所周知的供体掺杂剂[4]。由于其直接带隙（例如〜3.4 eV），整个可见光谱中的透射率超过82％，高电子迁移率（〜1,000 cm2/vs）[5] [5]，高导热率和出色的化学稳定性和出色的化学稳定性[6]，氮化物（GAN）具有出色的光学和电气性能。Ingan材料系统的带隙现在跨越了红外线到紫外线。INGAN材料系统对于光伏应用是有利的，因为它可用于制造第三代设备，例如中型太阳能电池，除了高效的多官方太阳能电池外，由于其直接和宽的带隙范围[7]。氮化物具有有利的光伏特性，例如低有效的载体，高迁移率，高峰值和饱和速度，高吸收系数和辐射耐受性，除了宽带间隙范围[8]。IIII-V硝酸盐技术能够生长高质量的晶体结构并创建光电设备的能力证实了其高效光伏的潜力[9]。上述情况使我们能够控制费米水平显然随着gan厚度的上升而向上移动，并减少传导带最小值（CBM）值和价值最大（VBM）值[10]。压缩应力的松弛和较厚的GAN层的载体浓度增加是依赖厚度依赖性带结构的初步解释[11]。
高密度PWB
高密度PWB Ryoichi Watanabe和Hong的新电路编队技术赢得了Kim Samsung Electro-Mechanics Co.，Ltd。Suwon，S。韩国摘要为满足普华永道的未来需求，已讨论了普华永道的各种流程，材料和工具的技术。特别重要的是高端PWB的电路形成技术。在这些年中，从工业上讲，良好模式的电路形成方法已经改变了从减法过程到半添加过程（SAP）。SAP可以形成更细的电路，因为它不会引起侧面蚀刻，这是减法方法的问题。但是，SAP的闪光蚀刻过程会导致其他问题，例如由于电路之间的残留种子金属层，电路蚀刻和由于蚀刻而引起的电路分层引起的短缺陷。同样，由于形成电路的绝缘体表面的粗糙度，不仅有良好的电路形成的困难，而且是电特性的损失。在本文中，讨论了一种新的电路形成方法，以克服SAP原因闪光蚀刻过程的问题。它不需要闪光蚀刻过程，因此可以形成更细的模式。该细线电路形成的能力取决于图案抵抗分辨率，并被确认在L/S（线/空间）= 10/10UM或更少的情况下表现良好。也将电路模式埋在绝缘体层中，并且是带有绝缘体表面的刨床，因此电路具有高骨强度，具有绝缘体，并且通过制造设备或工艺之间的处理，损坏较小。此方法适用于建立PCB和FCP作为满足未来需求的电路形成技术。介绍电子设备的演变，该电子设备的发展速度更快，更小，更多功能但更具成本效益，PWBS的各种技术对于较高的密度需要各种技术。三星电力学有限公司，有限公司制造了许多PWB，例如HDI，用于手机，数字静止相机等，BGA软件包，FC BGA包装。为了满足未来的需求，特别是对于FCBGA，由于其高密度，生产FC BGA的产品变得越来越困难。电路的形成是需要在高密度方面快速进步的过程之一。已讨论了作为电路形成过程的减法过程和半添加过程（SAP），以提高其高密度。1，3但是，由于化学蚀刻而引起的减法过程具有侧面蚀刻的基本问题，并且由于闪光蚀刻过程，SAP具有局限性。SAP的闪光蚀刻过程会导致电路蚀刻等问题，如图1所示，在电路底部切割，如果闪光蚀刻不足，则在电路底部和种子层残基。由于种子层通常是铜，与电路相同，因此闪光蚀刻过程不仅蚀刻了种子层，还可以蚀刻电路。因此，电路宽度和厚度必须比闪光蚀刻之前的最终尺寸更宽，更厚，以在闪光蚀刻后保持设计规则。例如，在降低20UM电路的底部分离后，如图1所示，仅粘附的宽度仅为20UM螺距，如图1所示。这被认为是不足以为20UM电路提供足够的剥离强度。当电路变得更细时，由于制造输送机或滚筒的处理损坏，底切将是一个更大的问题，制造业产量将更低。出于这些原因，需要基于新概念的电路形成技术才能使线路电路形成并解决这些技术困难。