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World File Search System光刻
从底部构建图案：光刻的补充方法
几年前，DSA 被提议作为一种有前途的互补图案化选择。DSA 基于一类称为嵌段共聚物 (BCP) 的分子的自组装特性。在适当的情况下，这些材料在涂覆到晶圆上时会发生微相分离。这会产生具有 5-30 纳米特征的规则纳米尺寸图案。可以通过调整聚合物的成分及其尺寸来设计图案。可以使用线/空间或孔的预图案进一步引导（定向）该组装 - 这两种结构是半导体行业感兴趣的。最终图案的间距将比导向模板小得多。因此，DSA 是一种非传统的自下而上的技术，可以提高图案的密度和分辨率。
高NA EUV光刻的吸收材料的观点和权衡
摘要。下一代极端紫外线（EUV）系统具有0.55的数值，具有提供低于8 nm的半程分辨率的潜力。在较小的特征尺寸下，随机效应的重要性增加了扫描仪和掩模以提供高对比度图像的进一步需求。我们使用严格的面膜衍射和成像模拟来了解EUV掩模吸收器的影响，并确定用于高NA EUV成像的最合适的光学参数。对各种用例和材料选项的仿真表示两种主要解决方案类型：高灭绝材料，尤其是针对线条空间，以及可以提供相移遮罩溶液的低折射率材料。euv相掩码的行为与DUV的相移面膜大不相同。精心设计的低折射率材料和口罩可以为高对比度的边缘打开新的道路。©作者。由SPIE发表在创意共享归因4.0未体育许可下。全部或部分分发或重新分配或重新分配本工作，需要完全归因于原始出版物，包括其DOI。[doi：10.1117/1.jmm.m.19.4.041001]
可溶解模板纳米压印光刻
图 1. (a) DT-NIL 制造工艺示意图，显示 1) 在模板表面沉积 0.1 mL/cm 2 的丙烯酸树脂，2) 以 500 rpm 的速度旋涂丙烯酸树脂 60 秒（可选，参见支持信息 S.2），3) 在室温下干燥丙烯酸树脂，4) 从母版表面脱模模板，5) 得到可溶解的丙烯酸树脂模板。 (b) 原始（母版）Neotibicen pruinosus 蝉翅膀的照片，(c) 原始翅膀上纳米柱特征的相应扫描电子显微照片 (SEM)，使用原子力显微镜 (AFM) 测量，平均柱高 (hav g) = 332 ± 28 nm 和平均直径 (dav g) = 148 ± 8 nm。 20 (d) 从 (b) 中所示的原始翼母版压印的可溶解模板的照片，对应的 (e) SEM 显示用 AFM 测量的 h avg = 337 ± 32 nm 和 d avg = 146 ± 8 nm。 (f) 用 AFM 获得的原始翼上的纳米柱和在模板上创建的纳米孔的高度和 (g) 直径分布。
SU-8 2000 永久负性环氧光刻胶
SU-8 2000 是一种高对比度、环氧基光刻胶，专为微加工和其他微电子应用而设计，这些应用需要厚实、化学和热稳定的图像。SU-8 2000 是 SU-8 的改进配方，多年来已被 MEMS 生产商广泛使用。使用干燥速度更快、极性更强的溶剂系统可提高涂层质量并提高工艺产量。SU-8 2000 有 12 种标准粘度。单次涂覆工艺即可实现 0.5 至 >200 微米的薄膜厚度。薄膜的暴露部分和随后的热交联部分不溶于液体显影剂。SU-8 2000 具有出色的成像特性，能够产生非常高的纵横比结构。SU-8 2000 在 360 nm 以上具有非常高的光透射率，这使其非常适合在非常厚的薄膜中对近垂直侧壁进行成像。 SU-8 2000 最适合于在设备上成像、固化并保留的永久应用。
通过光场投影进行 3D 光刻 - NSF-PAR
提出并演示了一种通过微透镜阵列 (MLA) 的光场投影进行 3D 光刻的方法。利用 MLA，我们可以通过开发的聚焦方案将来自空间光调制器 (SLM) 的光传送到 3D 空间中的任意位置，即体素。体素位置和 SLM 像素位置之间的映射函数可以通过光线追踪一一确定。基于正确的映射函数，可以通过 SLM 和 MLA 在 3D 空间中重建计算机设计的 3D 虚拟物体。然后可以对投影的 3D 虚拟物体进行光学压缩并将其传送到光刻胶层进行 3D 光刻。利用适当的近紫外光，可以在光刻胶层内的不同深度构建 3D 微结构。这种 3D 光刻方法可用于在任意位置进行高速 3D 图案化。我们预计，在提出的光场 3D 投影/光刻方案中采用飞秒光源和相关的多光子固化工艺时，也可以实现高精度 3D 图案化。多光子聚合可以防止在到达设计的焦点体素之前沿光路对区域进行非自愿图案化，如我们在单光子演示中所观察到的那样。
SU-8 3000 永久负性环氧光刻胶
SU-8 3000 是一种高对比度、环氧基光刻胶，专为微加工和其他微电子应用而设计，这些应用需要厚的、化学和热稳定的图像。SU-8 3000 是 SU-8 和 SU-8 2000 的改进配方，多年来一直被 MEMS 生产商广泛使用。SU-8 3000 的配方可提高附着力并降低涂层应力。SU-8 3000 的粘度范围允许单层涂层的薄膜厚度为 4 至 100 μm。SU-8 3000 具有出色的成像特性，能够产生非常高的纵横比结构，超过 5:1。SU-8 3000 在 360 nm 以上具有非常高的光透射率，这使其非常适合在非常厚的薄膜中对近垂直侧壁进行成像。SU-8 3000 最适合在设备上成像、固化和保留的永久性应用。
薄膜光刻和图案化工艺
技术转让和工业接口部 (TTID)、PPG 空间应用中心 (SAC)、ISRO、Ambawadi Vistar、艾哈迈达巴德 - 380 015 电子邮箱：ttid@sac.isro.gov.in 传真：079-26915817 https://www.sac.gov.in/SAC_Industry_Portal
使用光学无掩模光刻技术自动生成、制造和测量快速原型的参数测试结构
测试结构的手动布局和特性自动化软件的生成需要大量的工程资源。因此，在高水平上定义结构布局、位置和所需计量，从而实现掩模布局和计量代码的自动生成，这一能力极具吸引力。最早的工艺控制出版物之一涉及从几何参数自动生成测试结构布局 [1]，同时还关注测量数据的自动分析 [2]。该主题中的大多数出版物都发表于千禧年之前 [1-8]，但测试结构布局的自动化继续引起人们的兴趣 [9-13]。近年来，由于相对低成本工具的出现，直接写入光学能力的使用率有所提高 [14]。这种系统在非生产环境中特别适用于快速原型制作，部分原因是无需考虑掩模成本，而且周期时间更短。与使用光掩模所必须的保守方法相比，消除这些限制为技术人员提供了更大的自由度和灵活性 [15]。可以快速实施短循环运行来研究/优化工艺步骤，而无需包括使用光掩模技术开发测试芯片时通常需要的一套全面的测试结构。这为改进技术的快速开发和原型设计开辟了真正的可能性，因为更改设计只需要修改数字文件。然而，要充分利用这一机会，电子设计自动化 (EDA) 软件还有待进一步改进，包括布局
SU-8 2000 永久负性环氧光刻胶
SU-8 2000 是一种高对比度、环氧基光刻胶，专为微加工和其他微电子应用而设计，这些应用需要厚实、化学和热稳定的图像。SU-8 2000 是 SU-8 的改进配方，多年来已被 MEMS 生产商广泛使用。使用干燥速度更快、极性更强的溶剂系统可提高涂层质量并提高工艺产量。SU-8 2000 有 12 种标准粘度。单次涂覆工艺即可实现 0.5 至 >200 微米的薄膜厚度。薄膜的暴露部分和随后的热交联部分不溶于液体显影剂。SU-8 2000 具有出色的成像特性，能够产生非常高的纵横比结构。SU-8 2000 在 360 nm 以上具有非常高的光透射率，这使其非常适合在非常厚的薄膜中对近垂直侧壁进行成像。 SU-8 2000 最适合于在设备上成像、固化并保留的永久应用。