XiaoMi-AI文件搜索系统
World File Search System几层
表脂蛋白
表柔软菌什么是表蛋白的？盐酸盐表蛋白滴注是一种直接灌输到膀胱中的化学疗法的一种形式。盐酸盐表蛋白滴注是一组称为蒽环类药物的药物的一部分。这些作用于正在积极生长的细胞上，以减慢或停止其生长并增加细胞死亡的机会。为什么我需要表柔软菌？您的顾问泌尿科医生已转介您治疗肤浅的非肌肉浸润性膀胱癌。非肌肉侵入性癌症仅影响膀胱表面上的几层细胞，但是，如果不有效治疗，这种情况可以进展。治疗的目的是通过将化学物质放入膀胱来停止重生。这称为静脉化疗。有什么选择？此过程的替代方法包括反复的膀胱镜检查，膀胱中的免疫疗法，通过尿液转移或膀胱重建和全身化疗的手术去除膀胱。潜在的风险和副作用是什么？大多数程序可能都有副作用。由于这种治疗方法直接放入膀胱而不是血液中，因此您不会遇到经常与其他癌症药物治疗相关的副作用。以下列出的并发症已得到广泛认可，但大多数患者没有任何问题。常见（大于10中的1个）
二维量子材料
材料科学领域只见证了极少数具有彻底改变我们世界的潜力的发现和技术进步，而二维 (2D) 材料的出现是其中的佼佼者。2004 年，石墨烯从石墨中分离出来，这种材料的特点是原子级薄度，主要受表面效应的影响，开辟了材料科学的新领域。二维材料的研究，包括石墨烯及其对应物，如硅烯、锗烯、磷烯，以及过渡金属二硫属化物 (TMD)、MXenes 和其他层状半导体，已经发展成为一项全球性的努力，涉及物理、化学、工程和生物等不同领域的数千名研究人员。二维材料的独特之处在于其层状结构，包括强的平面内化学键和层间弱的平面外耦合。这种结构排列允许单个原子层分裂，当材料厚度减小到单层或几层时，电子特性会发生非凡的变化。这种现象被称为量子限制，它赋予二维材料独特且往往出乎意料的特性，推动了对各个领域新应用和创新途径的探索。随着研究人员深入研究这些层状材料的复杂性，越来越明显的是，它们有望开启前所未有的可能性，为科学技术的突破性进步铺平道路。
可调超导性与1 t'-WS 2
摘要：过渡金属二分法元素是一个准二维材料的家族，由于其从超导到半导体，其技术潜力很高，取决于化学组成，晶体结构，晶体结构或静电掺杂。在这里，我们揭示了通过调整单个参数，静水压力P，可以在几层过渡金属二甲基元化1 t'-WS 2中诱导电子相变的级联，包括超导，拓扑，拓扑，拓扑和霍斯霍尔效应阶段。具体而言，随着P的增加，我们观察到了双相变：超导性的抑制与𝑃≈1.15GPA的异常霍尔效应的伴随出现。非常明显的是，在将压力进一步提高到1.6 GPA以上时，我们发现了一个仍然表现出异常霍尔效应的状态的再入侵超导状态。这种超导状态显示，相对于在环境压力下观察到的相位相对于相位的各向异性显着增加，这表明具有不同的配对对称性的不同超导状态。通过第一原理计算，我们证明了该系统伴随的过渡到一个强大的拓扑阶段，具有显着不同的带轨道特征和费米表面，导致超导性。这些发现位置1 T'-WS 2作为独特的，可调的超导体，其中超导性，异常传输和频带特征可以通过中等压力的应用来调节。主文本：
在空间选择性p型掺杂掺杂，用于通过低能量氮离子植入
摘要在二维（2D）半导体制造过程中，侧向P-N连接的构建非常重要，而且具有挑战性。先前的研究表明，垂直P-N连接可以通过垂直堆叠2D材料来制备。但是，界面污染和较大面积的可扩展性是垂直堆叠技术难以克服的挑战。构建2D横向P-N同型结是解决这些问题的有效策略。在空间选择性p型掺杂2D半导体的掺杂有望构建侧面P-N均匀结构。在这项工作中，我们开发了一种低能离子植入系统，将植入能量降低至300 eV。低能植入可以形成浅植入深度，这更适合调节2D材料的电气和光学特性。因此，我们利用低能量离子植入将氮离子直接涂成几层WS 2，并成功实现了WS 2的精确调节，其电导率类型从N型转换为双极性甚至P型传导。此外，通过将其扩展到其他2D半导体（包括WSE 2，SNS 2和MOS 2）来证明该方法的普遍性。基于这种方法，横向WS 2 p-n同型被制造出来，具有显着的直径特征。还准备了基于P-N结的光电探测器，并准备了光伏效应，开路电压可以达到0.39V。这项工作为可控掺杂2D半导体提供了有效的方法。
面部视觉：实时年龄和性别预测
卷积层：CNN由几层组成，包括将卷积操作应用于输入图像的层。层使用学习的过滤器（内核）通过将过滤器滑过图像并执行求和和对比度[6]，[9]，从而从输入图像中提取特征。合并层：合并层通常放置在卷积层中。他们在小区域内汇总数据，以采样从卷积层得出的特征图。常见的合并操作包括最大池和平均池，该操作存储每个池字段中的最大值或平均值。激活函数：对于卷积和汇总过程的输出，使用称为Relu（纠正线性单元）的激活函数将非线性添加到网络中，从而可以研究组件之间的关系。完全连接的层：CNN通常在卷积和合并层后具有一个或多个层。通过在一个层和其他层的神经元中建立每个神经元之间的连接，这些层有助于高级表示和分类。培训：CNN通常是使用监督学习培训的，网络学会在其中映射输入图像为相应的标签或类别。随机梯度下降（SGD）及其变体是优化方法，用于通过反向传播获得训练。它调整网络的参数（权重和偏见），以最大程度地减少损失函数，以测量预测标签和真实标签之间的差异[10]。
高检测性UV敏感的2D MOS2光晶体管通过硅量子点增强
摘要：二维（2D）半导体最近由于其独特的光学和电子特性而引起了光传递的极大兴趣。然而，对于单层光晶体管，可检测到的光谱范围和光吸收效率通常非常有限。在这里，我们演示了基于零差（0D）硅量子点（SIQDS）和二硫化钼（MOS 2）形成的范德华异质结构（VDWH）（VDWH）（VDWH）（VDWH），尤其是在Ultraviolet（UV）的光谱范围内，该光谱（MOS 2）表现出很高的检测和响应率。与单独基于单层MOS 2的光晶体管相比，SIQD/MONOLAYER MOS 2 VDWH光晶体管的探测率提高了100倍（从1.0×10 12到1.0×10 12到1.0×10 14 cm×Hz 1/2/w），响应率提高了89倍，响应率提高了66.7秒66.7至66.7 s/f。对于SIQD/几层MOS 2 VDWH，还观察到增强的检测和响应性。分析和对照实验表明，跨SIQD/MOS 2 VDWH的电荷转移导致光子效应和光量。高性能SIQD/MOS 2 VDWH光晶体管对超敏化光检测，基于紫外线的光学通信，神经形态视觉传感和发射速度计算应用具有巨大的希望。关键字：0d/2d van der waals异质结构，Si Quantum Dot，MOS 2，光晶体管，高检测性，高响应率■简介
通过表面碳化学剪裁超薄钴的磁各向异性
操纵磁各向异性的能力对于磁传感和存储工具至关重要。表面碳物种是金属氧化物和高贵金属上限层的成本效益替代品，从而在超薄铁磁性磁性纤维中诱导垂直磁各向异性。在这里，在碳一氧化碳（CO），分散的碳和石墨烯的吸附后修饰了几层厚的CO薄膜中的磁性的不同机制。使用化学和磁灵敏度使用X射线显微镜，在表面碳的积累期间，监测了面向面向非平面自旋的重新定向转变，直至形成石墨烯。互补的磁光测量结果显示，在CO上分散的碳在室温下显示出弱垂直磁各向异性（PMA），而石墨烯覆盖的钴表现出显着的平面外胁迫型。密度功能理论（DFT）计算表明，从CO/CO到C/CO再到石墨烯/CO，磁晶和磁静脉各向异性的组合促进了平面外磁化。各向异性能量弱依赖于碳化物物种覆盖率。相反，碳化学状态从碳化物到石墨的演变伴随着由磁各向异性能量控制的特征域大小的指数增加。除了对碳 - 铁磁铁界面提供基本了解之外，本研究还提出了一种可持续的方法，可在超薄铁磁性磁铁中调整磁各向异性。
通过Fowler-Nordheim隧道进行红外光电检测
六角硼硝酸盐（H -BN）是多种应用的有前途的材料。自发现以来，它已被用于纳米电子和光电设备作为各种二维材料的最佳底物。此外，H -BN是中红外区域的天然双曲线材料，在那里，光子材料几乎没有选择。要了解结构和属性之间的关系，必须评估纳米级H -BN中的层数。在这里，使用仿真和实验的组合，我们系统地研究了几层H-BN的Fowler-Nordheim隧道效应，并准确地获得并验证了基本的物理参数，例如层依赖性有效质量。这项工作对基于GAN的金属/绝缘体/半导体（MIS）块的设计进行了系统的研究，该块很少，H-BN是绝缘层。发现，诸如H -BN层的数量，gan掺杂浓度以及接触金属的工作功能诸如结构和材料的功能，对这些MIS块的电气特征产生了显着影响，而理想的异质界面则是2D H -BN膜的互联网膜的痛苦，例如互化因素，例如互化因素，例如Inter -Interaps Interaps traps traps traps和Sraps sraps traps traps traps traps traps and sraps sraps。通过全面平衡关键因素的相互限制，这项工作可以实现基于GAN的MIS块，该块能够在较高的电压，电流或功率条件下进行操作，而与其对应物相比。本文旨在提供H -BN设备的基本物理，并帮助开发相关的基于H -BN的红外光电学。
过渡金属二分法的光电氧相位工程
晶体学相工程在精确控制材料的物理和电子特性中起着重要的作用。In two-dimensional transition metal dichalcogenides (2D TMDs), phase engineering using chemical lithiation with the organometallization agent n -butyllithium ( n -BuLi), to convert the semiconducting 2H (trigonal) to the metallic 1T (octahedral) phase, has been widely explored for applications in areas such as transistors, catalysis and batteries 1–15 .尽管可以在环境温度和压力下进行这种化学期工程，但对基本机制的理解很少，并且N -Buli的使用引起了显着的安全问题。在这里，我们将单型相位从2H到1T相的典型相跃迁到1T和双层2D TMD中，发现该反应可以通过455 nm处的低功率照明来加速六个数量级。我们确定上述差距照明通过光电氧化过程改善了限制速率的电荷转移动力学。我们使用这种方法来实现TMD的快速和高质量的相位工程，并证明可以利用该方法将任意相模式用衍射限制的边缘分辨率刻在几层TMD中。最后，我们用更安全的多环芳族芳族细胞岩剂代替了热情的n -buli，并表明它们的性能超过了n -buli作为相变剂的性能。我们的工作为探索电化学过程的原位表征开辟了机会，并为通过Photoredox阶段工程提供可持续扩展的材料和设备铺平了道路。
dnaforge：核酸线框纳米结构的设计工具
strands”在DNA折纸中，接吻环和RNA折纸中的其他连接器图案）。两种方法都已用于设计各种2D形状和3D结构（5，6）。大多数当前的3D折纸设计遵循在彼此顶部包装几层二维螺旋或螺旋束的方法，和/或弯曲的螺旋束如（7，8）中最初建议。3D设计的替代路径是创建一个线框结构，该结构仅包含3D模型的边界边缘和顶点。在这个方向上有几个值得注意的前虫前旅行（9，10），但是随着柔性且坚固的折纸技术的发展，它大多开始获得追随者（6，11）。与螺旋装箱相比，线框设计的一些优势包括使用链的经济，这允许建造较大的结构，并在低盐条件下更好地折叠。一些挑战是结构的刚性较低，尤其是对于大型的单螺旋边缘设计（可以通过使用多螺旋边缘来减轻，以增加链的使用来缓解）和大型复杂设计的产量低。已经存在几种核酸纳米结构设计工具（8、12、13、14、15、16、17、18、19、20、21）。Most of these however address helix-packing designs, with the more recent ones oriented towards wireframe structures including vHelix (14), DAEDALUS (15) and ATHENA (18) for 3D DNA wireframes, Sterna (20) for single-stranded 3D RNA wireframes and PyDAEDALUS (21) for 3D RNA/DNA hybrid wireframes.这些工具主要支持一种特定的设计方法，每个工具也都处于离线状态，需要一个单独的过程来安装工具及其辅助库，有时可能很难找到或在最坏的情况下弃用。