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晶体学相工程在精确控制材料的物理和电子特性中起着重要的作用。In two-dimensional transition metal dichalcogenides (2D TMDs), phase engineering using chemical lithiation with the organometallization agent n -butyllithium ( n -BuLi), to convert the semiconducting 2H (trigonal) to the metallic 1T (octahedral) phase, has been widely explored for applications in areas such as transistors, catalysis and batteries 1–15 .尽管可以在环境温度和压力下进行这种化学期工程，但对基本机制的理解很少，并且N -Buli的使用引起了显着的安全问题。在这里，我们将单型相位从2H到1T相的典型相跃迁到1T和双层2D TMD中，发现该反应可以通过455 nm处的低功率照明来加速六个数量级。我们确定上述差距照明通过光电氧化过程改善了限制速率的电荷转移动力学。我们使用这种方法来实现TMD的快速和高质量的相位工程，并证明可以利用该方法将任意相模式用衍射限制的边缘分辨率刻在几层TMD中。最后，我们用更安全的多环芳族芳族细胞岩剂代替了热情的n -buli，并表明它们的性能超过了n -buli作为相变剂的性能。我们的工作为探索电化学过程的原位表征开辟了机会，并为通过Photoredox阶段工程提供可持续扩展的材料和设备铺平了道路。
过渡金属二分法的光电氧相位工程
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