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元素特定的磁性 - 抗疾病和...
这项工作研究了铜下机构对由分子束epy纳税合成的SMCO 5薄膜的磁性特性的影响。在与磁性相同的结构和组成效应的情况下，在相同的条件下生长了一系列具有不同Cu的薄膜。合并的实验和口学研究表明，CO 3 g位点的Cu取代不仅稳定了SMCO 5结构的形成，还可以增强磁各向异性和矫正性。密度功能理论计算表明，SM（CO 4 Cu 3 G）5具有较高的单离子各向异性，作为纯SMCO 5。此外，X射线杂志 - 网络二色性均表明，Cu取代会导致SM 4 F和CO 3 d矩的脱钩。扫描传输电子显微镜证实主要是SMCO 5相的形成，并揭示了Cu和CO分布中的纳米级不均匀性。我们的研究基于薄膜
研究人员名称：Manisha Gupta
网站：http：//www.ece.ualberta.ca/~mgupta1/电子邮件：mgupta1@ualberta.ca电话：7802485637 R＆D R＆D功能我的研究是多学科的，主要是多学科的，主要集中于具有光学和传感器的柔性元素的光元素和传感器元素，并在光启发下进行光元素，并在光元素上进行照相，并在光元素上进行照相，并在光元素中进行照相，并在光元素中播放。治疗。该研究的重点是工程光学材料和设备，这些材料和设备可以集成在柔性底物上，同时保留其光子性能并根据它们开发新型设备。另一个主要的研究领域是新型生物材料的生长，可用于组织和骨植入物。技术和仪器服务脉冲激光沉积，分子束外延，光学和电气材料表征，光散射传感器开发许可机会
隐藏的马尔可夫模型适合文本生成
关键字：Gan，Mishemt，MBE，MMIC，AL 2 O 3，可靠性摘要雷神已经在<111> si Hemt技术上采用了分子束外延（MBE）开发了gan的状态。相对于MOCVD（〜1000 o C）的分子束外延（MBE）的较低生长温度（〜750 o C）导致热性能提高和从IIII-V/SI界面减少微波损失。这些因素结合起来，以使最有效的高功率（> 4 w/mm）在高频（≥10GHz）上进行操作，这些操作通常与Si上的gan hemts无关。较低的温度MBE生长过程减少了生长后冷却后的GAN拉伸应变，这又使Aln成核层用于GAN HEMT生长。这与基于MOCVD的生长中使用的复杂的Algan/Aln菌株补偿层相反，这些层已显示出显着降低IIII-V外延层的总体导热率。此外，低温MBE ALN成核层导致Si/IIi-氮化物界面处的界面电荷降低。这种大大降低的电荷使雷神能够实现<0.2dB/mm的创纪录的低微波损失（对于SI上的GAN），最高为35 GHz，可与SIC上的GAN相当[1]。最重要的是，在100mm高电阻（> 1,000 ohm-cm）上实现MBE种植的Gan Hemt Epi层质量和均匀性时，记录了创纪录的低微波损失（> 1,000 OHM-CM）<111> Si，可与MOCVD在SIC上生长的GAN相当。板电阻低至423欧姆 /平方英尺（±0.8％），迁移率为〜1,600 cm 2 /v-s。这样做是为了使整个栅极电容，IDSS，IMAX和V t与为了减少门泄漏，雷神用ALD沉积了Al 2 O 3作为高k栅极介电介质形成不幸的。为了最大程度地减少门泄漏，而不会影响关键的RF设备特性（例如FT，FMAX，POWER和PAE），使用电荷平衡模型与栅极介电堆栈一起设计Schottky层厚度。
温度依赖性范德华外延 - repositiTUm
本研究探索了 SrF 2 在高取向热解石墨 (HOPG) 上的分子束外延 (MBE) 生长，重点介绍了生长形态、晶体结构和电子特性随温度的变化。使用原子力显微镜 (AFM)、反射高能电子衍射 (RHEED)、紫外光电子能谱 (UPS) 和 X 射线光电子能谱 (XPS) 对 SrF 2 /HOPG 界面进行了全面表征。光谱数据表明，氟化物与基底的化学相互作用在沉积过程中的每个沉积厚度和基底温度下都很弱，表明在范德华外延状态下生长。沉积在 HOPG 上的 SrF 2 纳米结构在晶体度和成分方面表现出独特的块状特征，即使在最初的生长阶段也是如此。值得注意的是，温度在驱动生长模式中起着至关重要的作用，从室温下树枝状岛的聚结转变为在较高温度（400 ◦ C）下沿 HOPG 梯田台阶边缘诱导近 1D 行。
瘦素和代谢作用bordergïsİ
由于硼原子的共价半径低和SP 2杂交能力，在其他材料中至少存在连接的二十面体的大量多晶型物。其中之一是硼苯，一种令人兴奋的新纳米材料，具有广泛的能量用途。理论和实验研究证明了唯一的二维（2D）材料的存在。唯一的高磁传导率，理论特异性能力和离子传输特性使其成为能源应用中有前途的候选者（EAS）。在这项研究中，首先提到了唯一的唯一的结构，化学和物理特性。因此，就合成方法而言，自上而下和自下而上的技术，例如超高真空（UHV），化学蒸气沉积（CVD），超声量剥落（EXS），分子束外座（MBE）（MBE）和多步热分解（MTD）进行了讨论。最后，提到了它用作高金属离子电池，氢存储（HS），纳米电子应用氢进化反应（HER）的催化剂。
在FESE/PBO X
摘要。在FESE/SRTIO 3中发现了高温超导性，这引发了人们对具有工程界面的新超导系统的重大兴趣。在这里，使用分子束外延生长，我们成功地制造了FESE/PBO X异质结构，并在三个不同的单层FESE相关界面中发现超导性。我们观察到在PBO X的两个不同阶段生长的单层FESE膜中的13〜14 MEV的超导间隙。此外，我们发现了一个新的绝缘Fe 10 SE 9相，具有有序的√5×√5Se-vacancy结构。我们的第一原理计算表明，这个新的绝缘阶段起源于电子相关性。有趣的是，在绝缘Fe 10 SE 9上生长的另外一部单层FESE膜也具有超导性，间隙尺寸为5 meV。我们的结果表明，单层FESE与底物之间的功能差异，可以诱导带弯曲和电荷转移，对于界面超导性至关重要。
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wurtzite sc x al 1-x n/gan（x = 0.13 - 0.18）在C-平面GAN上通过分子束外延生长的多量子孔在技术中表现出明显的强和狭窄的近红外近红外近红外Intersubband Bander在技术上重要的1.8 - 2.4μm范围。带结构模拟表明，对于比3 nm宽的Gan井，量化的能量是由由固有极化场引起的传导带的陡峭三角形曲线设置的。结果，跨带的过渡能提供了独特的直接访问Scarn极化参数。测量的红外吸收表明，假定的晶格匹配的SC 0.18 Al 0.82 N/GAN异质结构的自发极化差异小于理论上计算的值。间隔频带过渡能对屏障合金组成相对不敏感，表明在探测为0.13 - 0.18 SC组成范围内净极化场的变化可忽略不计。
克服先进 InP HEMT 制造中的挑战
关键词：高电子迁移率晶体管 (HEMT)、磷化铟 (InP)、高频、制造摘要自 DARPA 太赫兹电子项目结束以来，诺斯罗普·格鲁曼公司 (NG) 一直致力于将工艺过渡到 100 毫米，并使先进的 InP HEMT 技术适用于高可靠性 A 类空间应用。NG 的 100 nm InP HEMT 节点目前处于制造就绪水平 (MRL) 9，而砷化铟复合通道 (IACC) 节点处于 MRL 3/4。为了提高 IACC 的 MRL，NG 一直致力于将工艺从材料生长转移到晶圆加工到 100 毫米生产线，并利用 100 nm InP HEMT 工艺的制造和认证专业知识。在整个工艺转移和成熟过程中，NG 克服了工艺重现性、产量和吞吐量方面的挑战，并进行了广泛的可靠性测试。引言在过去二十年中，在美国国防高级研究计划局、美国宇航局/喷气推进实验室和三军的资助下，诺斯罗普·格鲁曼公司 (NG) 通过积极缩小 InP HEMT 尺寸并使用超高迁移率砷化铟复合通道 (IACC) HEMT 结构，展示了高达太赫兹的高电子迁移率晶体管 (HEMT) [1,2] 和单片微波集成电路 (MMIC) [3-6]，如表 1 所示。InP 和 IACC HEMT 的关键制造步骤是分子束外延 (MBE)、电子束光刻 (EBL) 栅极、基板通孔 (TSV) 以及缩放互连和钝化工艺。材料生长和制造工艺最初是在 NG 的 75 毫米生产线上开发的。NG 致力于技术成熟工作，以缩小制造差距，以提高 IACC 节点的 MRL [7]。工艺概述 InP 和 IACC HEMT 晶圆采用分子束外延法在半绝缘 InP 衬底上生长。IACC 外延剖面具有复合通道，该通道由夹在两个晶格匹配的 In x Ga 1-x As 层之间的 InAs 层组成 [2]。高电子迁移率 InAs 通道是高频低直流功率操作的关键推动因素。肖特基势垒层和重掺杂帽经过优化，可实现低
用于 Ir 和 Ru 元素薄膜的固体源金属有机 MBE
元素金属薄膜在现代电子纳米器件中起着非常重要的作用，可用作传导通路、间隔层、自旋电流发生器/探测器以及许多其他重要功能。在这项工作中，通过利用固体金属有机源前体的化学性质，我们展示了元素 Ir 和 Ru 金属薄膜的分子束外延合成。当金属有机前体在基底表面分解时，通过对金属相的热力学和动力学选择，可以合成这些金属。采用原位和非原位结构和成分表征技术相结合的方式，研究了不同条件下的薄膜生长。在前体吸附、分解和晶体生长的背景下，讨论了基底温度、氧反应性和前体通量在调整薄膜成分和质量方面的重要作用。计算热力学将金属或氧化物形成的驱动力量化为合成条件和化学势变化的函数。这些结果表明，体热力学是低温下 Ir 金属形成的合理原因，而 Ru 金属的形成可能是由动力学介导的。
BI（110）/CRTE2 ...
拓扑和磁性之间的相互作用对于实现异国情调的量子现象，包括量子异常霍尔效应，轴突绝缘子和高阶拓扑状态在内的重要例子至关重要。这些状态具有大量的潜力，用于将来在高速和低消费电子设备中应用。尽管经过广泛的调查，但实际平台仍然很少。在这项工作中，分子束外延（MBE），我们提供了有关高质量BI（110）/CRTE 2磁异质结构的第一个实验报告。通过采用原位高分辨率扫描隧道显微镜，我们能够检查磁性和拓扑之间的相互作用。在费米水平以上的能级上存在一个潜在的边缘状态，但是在费米水平附近没有观察到的边缘状态，在E f附近没有高阶拓扑角状态突出了晶格匹配和界面工程在设计高阶拓扑状态中的重要性。我们的研究提供了对二维磁和拓扑材料之间相互作用的关键见解，并为工程磁性拓扑状态提供了重要的维度。