机构名称：
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wurtzite sc x al 1-x n/gan（x = 0.13 - 0.18）在C-平面GAN上通过分子束外延生长的多量子孔在技术中表现出明显的强和狭窄的近红外近红外近红外Intersubband Bander在技术上重要的1.8 - 2.4μm范围。带结构模拟表明，对于比3 nm宽的Gan井，量化的能量是由由固有极化场引起的传导带的陡峭三角形曲线设置的。结果，跨带的过渡能提供了独特的直接访问Scarn极化参数。测量的红外吸收表明，假定的晶格匹配的SC 0.18 Al 0.82 N/GAN异质结构的自发极化差异小于理论上计算的值。间隔频带过渡能对屏障合金组成相对不敏感，表明在探测为0.13 - 0.18 SC组成范围内净极化场的变化可忽略不计。
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