XiaoMi-AI文件搜索系统
World File Search System化学势
静电边界条件和（电）化学界面稳定性
电极接口是电子和电化学设备的必不可少的成分。在运营条件下，其稳定性对于无数应用至关重要，例如，击球手，非易失性记忆，备忘录，压电传输器和电容器至关重要。[1-5]已知材料的热力学稳定性仅限于其成分的固定化学电位（活性）。[6]例如，仅当连接到氧局部压的氧化学电位高于氧化物的形成焓时，氧化物才是最高的。除了（原子）成分的化学势外，还必须保留在特定范围内的（通过电荷中立性条件决定费米的能量）。可以通过两种方式诱导相关的电型不稳定性：i）通过自加密缺陷的伪造； [7] ii）
JHEP01（2024）030
摘要：平面电子系统在电荷中立和有限的电子密度上表现出丰富的相关驱动相的景观，具有异国情调的电磁和热力学响应。在本文中，以这些发展为动机，我们明确地将化学势的影响包括大约平坦的频带的全息模型。特别是，我们探讨了该全息扁平带系统的相图作为化学电位的函数。我们发现，在低温和密度下，该系统具有列相位，随着化学电位或温度的增加，该系统过渡到Lifshitz阶段。为了进一步表征随之而来的阶段，我们研究了光导率，并发现可观察到的可观察到在列相的各向异性。
在QCD相图中介绍Widom线的概念
从一阶转变的临界终点出现的关键现象本质上是无处不在的。在这里，我们将最初在流体背景下开发的超临界跨界的概念带入了量子染色体动力学（QCD）所描述的相互作用问题。我们表明，在温度与QCD相图的温度与化学势中，强子气体和夸克 - 胶子等离子体之间的假定临界终点存在意味着在超临界区域中存在从中出现的宽线线。我们调查了在QCD的简化理论模型中已经鉴定出的热力学异常，该模型表现出临界点，以表明它们可以用widom线来解释。然后，我们建议可能的方向，其中Widom线概念可以在QCD相图上提供新的光。
无无序的朗道能级增宽、无相互作用的非整数平台——量子霍尔效应的另一种模型
我回顾了量子霍尔效应的替代模型的一些方面，该模型不基于无序势的存在。相反，在存在交叉电场和磁场的情况下，采用电子漂移电流的量化来构建非线性传输理论。替代理论的另一个重要组成部分是二维电子气与导线和施加电压的耦合。通过在外部电压固定 2D 子系统中的化学势的图像中工作，实验观察到的电压与量子霍尔平台位置之间的线性关系找到了自然的解释。此外，经典霍尔效应成为量子霍尔效应的自然极限。对于低温（或高电流），非整数子结构将较高的朗道能级分裂为子能级。电阻率中子结构和非整数平台的出现与电子-电子相互作用无关，而是由（线性）电场的存在引起的。一些结果分数恰好对应于半整数平台。
离子，溶剂和热相互作用系数对电池电压的影响
摘要：为了增加电池以进行可持续运输和储能，需要提高锂离子电池的充电和排放能力。为了实现这一目标，描述细胞内部状态的准确数据至关重要。已经得出了几种模型，并报告了这些模型中的运输系数。我们首次报告了一组完整的传输系数，以建模锂离子电池电池三元电解质中的浓度和温度极化，从而使我们能够测试常见的假设。我们包括化学势和温度下的梯度引起的效果。我们发现，由于盐和溶剂极化引起的电压贡献与欧姆损失相同，并且必须考虑到更准确的建模和对电池性能的理解。我们报告了新的Soret和Seebeck系数，并发现与电池研究相关的情况下，热极化很重要。总体上，分析适用于电化学系统。■简介
倾斜二维材料热差反射率...
狄拉克材料中完美锥形色散的偏差（例如质量或倾斜的存在）增强了电子传输的控制和方向性。为了识别这些特征，我们分析了掺杂大质量倾斜狄拉克系统中光学反射率的热导数光谱。确定态密度和化学势是使用热卷积计算有限温度下光学电导率张量的初步步骤。温度变化引起的反射变化可以清楚地识别光学响应中的临界频率。通过测量热导数光谱中的这些光谱特征，可以确定能隙和能带结构倾斜。对各种低能狄拉克汉密尔顿量的光谱进行了比较。我们的研究结果表明，热差光谱有望成为一种探测二维狄拉克费米子带间跃迁的有价值技术
改良高斯 - 邦纳特重力的动力系统
QCD在大密度下揭示了丰富的相结构，范围从潜在的临界终点和不均匀阶段或护城河制度到具有竞争顺序效应的超导级别。通过功能方法在QCD的阶段图中解决该区域需要大量的定量可靠性来进行定性访问。在目前的工作中，我们通过在低能有效的夸克 - 梅森理论中建立完全自洽的近似方案来系统地将功能性重归其化组方法扩展到低能QCD。在此近似值中，在有效的电位以及所有较高的夸克 - 易夸克 - 中音散射顺序方面都考虑了中间亲和σ模式的所有指向多肢体事件。作为第一个应用，我们计算QCD的相结构，包括其低温，大化学势部分。还讨论了近似和系统扩展的定量可靠性。
从热状态估计哈密顿参数
我们对通过测量已知温度的吉布斯热态来估计未知汉密尔顿参数的最佳精度设定了上限和下限。界限取决于包含参数的汉密尔顿项的不确定性以及该项与完整汉密尔顿量的不交换程度：不确定性越高和交换算子越多，精度越高。我们应用界限来表明存在纠缠热态，使得可以以比 1 = ffiffiffi np 更快的误差来估计参数，从而超过标准量子极限。这个结果支配着汉密尔顿量，其中未知标量参数（例如磁场分量）与 n 个量子比特传感器局部相同耦合。在高温范围内，我们的界限允许精确定位最佳估计误差，直至常数前因子。我们的界限推广到多个参数的联合估计。在这种情况下，我们恢复了先前通过基于量子态鉴别和编码理论的技术得出的高温样本缩放。在应用中，我们表明非交换守恒量阻碍了化学势的估计。
计算 DFT 洞察胞嘧啶的优化结构、电子结构、光谱分析和热力学参数
胞嘧啶分子的结构优化通过12步实现，优化能量为-10749.84 eV。4.94 eV的HOMO-LUMO能隙表明化学稳定性。氧原子表现出最负的电势，氢原子表现出最正的电势。态密度显示能隙为4.92 eV，证实了等效轨道能级。计算的硬度（2.47 eV）和柔软度（0.41 eV -1 ）表明稳定性和极化性。化学势为-3.97 eV，电负性为3.97 eV。亲电指数为3.19 eV，表明亲电行为强。Mulliken电荷分析确定H13具有最高的正电荷，N5具有最高的负电荷。振动分析表明CH振动在3100-3300cm -1 ，NH在3500-3700cm -1 ，C=O振动在1771.10cm -1 。热力学性质如热容量、内能、焓和熵随温度的升高而增大，而吉布斯自由能则降低。
二维晶体沟道MOS晶体管结构的电荷特性
摘要 — 二维 (2D) 半导体晶体可用于进一步提高场效应晶体管的效率和速度。此类晶体管不受传统 MOS 晶体管在尺寸减小时产生的一些不利影响。本研究提出了以二维晶体为沟道的晶体管 MOS 结构模型，并研究了其电荷特性。在 MoSe 2 、WS 2 、WSe 2 、ZrSe 2 、HfSe 2 和 PtTe 2 等代表性二维晶体的电物理特性变化范围内对这些特性进行了数值模拟。发现了结构电物理参数通过化学势的自洽相关性，并证明了场电极电位和栅极绝缘体电容对它们的影响。对该晶体管结构的传输特性陡度与电压增益的计算表明，对于禁带宽度在0.25–2.1 eV范围内的过渡金属二硫属化合物（TMD）沟道，上述参数的幅度分别可达0.1 mA/V和1000。