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World File Search System化铝
开发了氮化铝和Cu – P – Sn – Ni合金之间的界面微观结构，用于不同的初始钛层厚度
与5μm厚的Ti层之间的650°C和950°C之间的键合1小时如图6。在BSE图像中显示的ALN层中的灰色区域。6（b）和6（d）是yttria。NBD模式是从相应TEM图像中以黄色圆圈的区域获取的。可以看出，随着加热温度从650°C上升到750°C，由于Cu – Ti IMC层的生长，残留的Ti层消失了。另外，可以看出，Cu – Ti IMC的层消失，并且在850°C或更高的ALN界面处形成一个明显的界面反应层。这些界面反应层的厚度，从图。6，在850°C下为≈0.5μm，在950°C下为≈1μm，
通过植入和热退火在氮化铝中制造量子发射器
宽带盖材料中的单光子发射器（SPE）代表了一个吸引人的平台，用于开发在室温下运行的单光子源。III组二硝酸盐先前已被证明具有有效的SPE，这些SPE归因于材料的大带隙内的深度能级，其构型与钻石的广泛研究的颜色中心相似。最近已经证明了氮和氮化铝（ALN）内的缺陷中心的抗束发射。由于III-硝酸盐与洁净室过程的兼容性，这种缺陷的性质和形成它们的最佳条件尚未完全理解，虽然特别有趣。 在这里，我们通过热退火和共聚焦显微镜测量的亚分步上研究了商业Aln Epilayer上的Al植入。 我们观察到发射器的密度的依赖性依赖性增加，从而导致在最大植入量的情况下创建合奏。 在600℃下退火导致SPES形成最大的最佳产量，而在较低的静电液处则观察到SPE密度的显着降低。 这些发现表明，空缺形成的机制在固体状态下SPE的缺陷工程中的发射器和开放诱人的观点中起着关键作用。虽然特别有趣。在这里，我们通过热退火和共聚焦显微镜测量的亚分步上研究了商业Aln Epilayer上的Al植入。我们观察到发射器的密度的依赖性依赖性增加，从而导致在最大植入量的情况下创建合奏。在600℃下退火导致SPES形成最大的最佳产量，而在较低的静电液处则观察到SPE密度的显着降低。这些发现表明，空缺形成的机制在固体状态下SPE的缺陷工程中的发射器和开放诱人的观点中起着关键作用。
柔性聚烯烃弹性体/石蜡/氧化铝/...
摘要：在这项研究中，使用氧化铝（Al 2 O 3）和石墨烯纳米平板（GNP）的基于电绝缘的聚体弹性弹性（POE）基于相位变化（PCMS）是使用传统的压力式造型的，该技术对液压式造成的良好的抗性量和应应应付的固定型，制备了良好的固定量，以供应的固定型固定型，并将其出现。优质的光热转化效率。观察到Al 2 O 3和GNP之间的协同相互作用，这有助于在POE/Poe/paraffine Wax（POE/PW）矩阵中建立热导电途径。POE/PW/GNPS 5 wt％/Al 2 O 3 40 wt％复合材料的平面内导热率高达1.82 w m-1 k-1，标志着与其未完成的POE/PW/PW相比，相比之下，显着增加了约269.5％。复合材料具有出色的热量散热能力，这对于电子产品中的热管理应用至关重要。此外，POE/PW/GNPS/Al 2 O 3复合材料表现出出色的电绝缘材料，增强的质量性能以及有效的太阳能转换和运输。在80 mW cm -2
研究氧化铝和二氧化硅的添加...
本文评估了将氧化铝和二氧化硅纳米颗粒添加到釉料配方中的效果，以通过降低表面孔隙率来提高抛光的玻璃巴西瓷砖，以提高污渍耐药性。在研究的第一阶段中，制备了十种制剂 - 一种标准和九个测试配方，它们经过了抛弃后选择过程，主要标准是评估表面染色耐药性的改善。在具有光学显微镜的表面孔隙率分析中，观察到添加二氧化硅纳米颗粒会降低釉料的表面孔隙率，从而改善了最终产物的污渍耐药性。添加氧化铝纳米颗粒的结果显示孔隙率增加，使最终产物的抗污渍耐药性恶化。选择了最低表面孔隙率的三种配方以及标准的配方进行补充测试，涉及：X射线衍射测定法，差异扫描量热法，热力计测定法，扩张分析和扫描电子显微镜。通过热膨胀和半球温度测试，可以通过使用Vogel-Fulcher-Tammann公式来获得理论粘度的测量，并在添加硅纳米颗粒时在材料中较低温度下在较低温度下在较低的温度下证明膨胀软化，Littlettric软化和流动点。随后选择了与釉料孔隙率和其他物理化学特征（具有5％硅胶纳米颗粒的配方）的降低有关的表述，主要是与实验室所获得的结果进行了选择，即确认在实验室中获得的结果。
关于氧化铝 - 格拉烯界面的理论案例研究
神经形态计算模仿大脑的架构，以创建能量良好的设备。可重新发现的突触对于神经形态计算至关重要，这可以通过抵抗记忆（memristive）切换来实现。基于石墨烯的回忆录已显示出具有理想耐力的非挥发性多重电阻开关。通过第一个原理计算，我们研究了石墨烯与超薄氧化铝覆盖层接触的石墨烯的结构和电子特性，并证明了如何使用电荷掺杂来直接控制其界面共价，从而可逆地控制了在乙烯层中的电导率和分离性之间的切换。我们进一步表明，该提出的机制可以通过石墨烯的p型掺杂来稳定，例如，通过自然出现的缺陷，悬空键或缺陷工程的钝化。
氢氧化铝铝菌锚定的IL-12通过重塑肿瘤微环境
引入靶向PD-1/PD-L1的免疫检查点抑制剂已成为许多罐头的变革性疗法，但先天和获得的耐药性仍然是一个挑战（1）。重组细胞因子具有直接促进效应免疫细胞群体的募集和激活，有可能改善这些免疫学肿瘤的反应（2，3）。IL-12是由p35和p40亚基组成的异二聚体细胞因子，通过T和NK细胞上的IL-12RB1/IL-12RB2受体复合物发出信号，以诱导IFN-γ表达和Th1极化（4）。通过IFNγ上调的直接信号传导和间接效应的结合，IL-12可以诱导免疫细胞募集，共刺激，髓样细胞重极化和抗原表现（5）。重组IL-12作为单一药物或与其他免疫剂结合使用，在多种临床前模型中表现出了深刻的疗效，包括耐肿瘤对检查点阻断的肿瘤（6，7）。然而，静脉注射（i.v.）或皮下（S.C.），包括淋巴细胞减少症，肝毒性和胃肠道炎症，导致早期临床试验中2例患者死亡（8-10）。由于这些全身毒性，只能在临床研究中安全地施用0.3-1μg/kg范围内的非常低剂量的IL-12，从而限制了肿瘤的积累和功效（11，12）。因此，需要通过增加其相对肿瘤浓度，同时减少全身暴露和相关毒性来扩展IL-12和其他细胞因子的治疗窗口。
低温溅射沉积亚微米氮化铝薄膜的高热导率
摘要：氮化铝 (AlN) 是少数具有优异导热性的电绝缘材料之一，但高质量薄膜通常需要极高的沉积温度 (>1000°C)。对于密集或高功率集成电路中的热管理应用，重要的是在低温 (<500°C) 下沉积散热器，而不会影响底层电子设备。在这里，我们展示了通过低温 (<100°C) 溅射获得的 100 nm 至 1.7 μ m 厚的 AlN 薄膜，将其热性能与其晶粒尺寸和界面质量相关联，我们通过 X 射线衍射、透射 X 射线显微镜以及拉曼和俄歇光谱对其进行了分析。通过反应性 N 2 的分压控制沉积条件，我们实现了 ∼ 600 nm 薄膜热导率 ( ∼ 36 − 104 W m − 1 K − 1 ) 的 ∼ 3 × 变化，上限范围代表室温下此类薄膜厚度的最高值之一，尤其是在低于 100°C 的沉积温度下。还可以从热导率测量中估算出缺陷密度，从而深入了解 AlN 的热工程，可针对特定应用的散热或热限制进行优化。关键词：热导率、氮化铝、生产线后端、热传输、溅射沉积、低温、电力电子
sol-gel方法和新型氧化铝 - 石膏陶瓷复合材料的反应性SP
氧化铝和氧化石墨烯的增强陶瓷基质复合材料（CMC）已被广泛搜索，但仍未解决的问题，例如石墨烯的最佳分布或纤维纤维和基质之间的效率键。这项工作引入了一种基于Sol-Gel方法的新型制造程序，将Boehmite视为氧化铝前体，而氧化石墨烯纳米片则是增强阶段。通过在温和的条件下通过反应的火花等离子体烧结（RSP）进行样品的完整致密化。结构表征是由XRD，SEM和Micro-Raman以及其他技术进行的，并通过XPS研究了Al-O-C键的存在。通过Vickers的显微指示和纳米构造进行了机械表征。没有观察到有关年轻的模量，硬度或断裂韧性的显着变化，尽管对石墨烯分布的均匀性以及基质和增强阶段之间的化学键进行了改善。