神经形态计算模仿大脑的架构,以创建能量良好的设备。可重新发现的突触对于神经形态计算至关重要,这可以通过抵抗记忆(memristive)切换来实现。基于石墨烯的回忆录已显示出具有理想耐力的非挥发性多重电阻开关。通过第一个原理计算,我们研究了石墨烯与超薄氧化铝覆盖层接触的石墨烯的结构和电子特性,并证明了如何使用电荷掺杂来直接控制其界面共价,从而可逆地控制了在乙烯层中的电导率和分离性之间的切换。我们进一步表明,该提出的机制可以通过石墨烯的p型掺杂来稳定,例如,通过自然出现的缺陷,悬空键或缺陷工程的钝化。