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在原子薄的半导体中巨大的法拉第旋转
Faraday旋转是固体，液体和气体的磁光反应中的基本效应。具有较大Verdet常数的材料在光学调节器，传感器和非转录器件（例如光学隔离器）中应用。在这里，我们证明了光的极化平面在中等磁力的HBN封装的WSE 2和Mose 2的HBN封装的单层中表现出巨大的法拉第旋转，在A激子转变周围表现出了几个度的巨大旋转。对于可见性方案中的任何材料，这将导致最高已知的VERDET常数为-1.9×10 7 deg T -1 cm -1。此外，与单层相比，HBN封装的双层MOS 2中的层间激子具有相反的符号的大型Verdet常数（VIL≈+2×10 5 deg T-1 cm-2）。巨大的法拉第旋转是由于原子较薄的半导体过渡金属二进制基因源中的巨大振荡器强度和激子的高g因子。我们推断出HBN封装的WSE 2和Mose 2单层的完全平面内复合物介电张量，这对于2D异质结构的Kerr，Faraday和Magneto-Circular二分法谱的预测至关重要。我们的结果在超薄光学极化设备中的二维材料的潜在使用中提出了至关重要的进步。
应变石墨烯和其他紧张的单层和多层的机械，电子，光学，压电和铁素化特性：更新
摘要这是先前评论的更新（Naumis et al 2017rep。prog。物理。80 096501）。考虑了线石墨烯和其他金属，绝缘，铁电，铁弹性，铁磁和多效2D材料的实验和理论进步。We surveyed (i) methods to induce valley and sublattice polarisation ( P ) in graphene, (ii) time-dependent strain and its impact on graphene's electronic properties, (iii) the role of local and global strain on superconductivity and other highly correlated and/or topological phases of graphene, (iv) inducing polarisation P on hexagonal boron nitride monolayers via strain, (v)通过应变，（VI）铁核2D材料（带有固有弹性（σ），电气（P）和磁性（M）极化，修饰过渡金属二色元化元素单层单层单层的光电特性，以及初期的2D多效中部和（VII）MoiréBirayflator flato seperer，以及其他分期型均型均匀的型号，并表现表现出可以通过旋转和剪切应变调整的铁从订单的系统。该更新具有可调二维量子旋转霍尔在德国，元素2D铁电抗性和2D多效性NII 2的实验实现。该文件是为了讨论单层中发生的效果的讨论，然后进行了有关BiLayers和
高度敏感石墨烯的第一原理研究-vinspace
尽管有许多效果来探索H-BN底物上石墨烯的电子结构，但H-BN层在石墨烯对吸附有毒气体分子的吸附行为上的含量仍然很少了解。在此，我们使用了基于密度功能理论（DFT）22,23的第一个原理方法来研究结构稳定性，以及对有毒气体分子吸附的石墨烯/H-BN异质结构的电子和电子传输性能。首先，我们对每个单层进行了DFT优化计算，然后校准了这些异质结构的能量效果，这是这两层之间的层间距离的函数，以获得最轻松的几何形状contriric contriric contration guration guration guration guration guration guration guration guration guration guration guration guration。将最稳定结构的电子性质与单层的电子特性进行了比较。然后，我们研究了原始石墨烯和石墨烯/H-BN的吸附机制，包括有毒气体的吸附，包括CO 2，CO，NO和NO 2。为了提高这些电子计算的可靠性，我们考虑了这些底物与吸附分子之间的VDW相互作用。为了评估石墨烯/H-BN异质结构作为晚期有毒气体传感器的选择性，我们还采用了非平衡性Green的功能形式，使用密度功能方法来计算这些吸附的系统中的电子传输特性。
MOS2 A
过渡金属二分法因其特性和维度的独特结合而在纳米级的各种应用中进行了研究。对于许多预期的应用，热传导起着重要作用。同时，这些材料通常包含相对较大的点缺陷。在这里，我们对内在和选择外部缺陷对MOS 2和WS 2单层的晶格导热率的影响进行系统分析。我们结合了Boltzmann运输理论和绿色基于功能的T -Matrix方法，以计算散射速率。缺陷配置的力常数是通过回归方法从密度功能理论计算获得的，这使我们能够以中等的计算成本采样相当大的缺陷，并系统地强制执行翻译和旋转声音总和规则。计算出的晶格导热率与MOS 2和WS 2的热传输和缺陷浓度的实验数据定量一致。至关重要的是，这表明可以通过点缺陷的存在来充分解释与晶状体导热率的1 /t温度依赖性的强偏差。我们进一步预测了固有缺陷的散射强度，以减小两种材料中两种材料中序列Vmo≈v= 2s> v = 2s> v s> s AD，而外部（ADATOM）缺陷的散射速率随着质量的增加而降低了外部（ADATOM）缺陷的降低。与较早的工作相比，我们发现固有和外在的正常都是相对较弱的散射体。我们将这种差异归因于翻译和旋转声音总规则的处理，如果没有强制，则可能导致零频率限制的虚假贡献。
DNA甲基化抑制剂的非添加作用，5-aza- ...
随着预期寿命和事故的不断升高，对骨骼再生溶液的临床需求正在扩大。正在研究几种策略，以增强干细胞的成骨分化。我们以前在单层和三维细胞培养中报道了两种不同的方法。第一种方法是基于使用分化培养基之前使用5-Aza-DC（DNA甲基化抑制剂）进行预处理的细胞。第二种方法基于分化过程中玻璃表面上的培养细胞。在这项研究中，我们研究了将这两种方法结合起来的潜在效果。我们的结果表明，两种方法都与降低全球DNA甲基化水平有关。在玻璃表面上培养为单层的细胞在第10天显示碱性磷酸酶活性增强，而5-Aza-DC预处理可增强第5天的活性，而与培养表面无关。在三维颗粒库中，5-aza-DC预处理通过runx-2和tgf-β1上调增强了成骨，而玻璃表面诱导了osterix。此外，在玻璃上培养的颗粒表现出一组miRNA的上调，包括促骨生成miR -20a和miR -148b和抗稳定生成miR -125b，mir -31，mir -138和mir -133a。有趣的是，5-AZA-DC与在组织培养塑料上培养的细胞中miRNA的变化无关，但将玻璃上上调的miRNA恢复到基础水平。这项研究确认了增强成骨分化的两种方法，并与它们的组合相矛盾。
单层无定形碳和硝酸硼的结构和机械性能
无定形材料表现出各种特征，这些特征不包含晶体，有时可以通过其混乱程度来调节（DOD）。在这里，我们报告了具有不同DOD的单层无定形碳（MAC）和单层无定形硼（MABN）的机械性能。使用具有密度功能理论级别准确性的机器学习势能通过动力学蒙特卡洛（KMC）模拟获得相关结构。提出了一个直观的阶参数，即连续随机网络中由Crystallites占据的面积f x来描述DOD。我们发现f x捕获了DOD的本质：具有相同f x的样品，但使用两个不同的KMC程序获得的微晶的大小和排列，实际上具有相同的径向分布函数，以及键长和键长和键 - 角度。此外，通过使用分子动力学模拟断裂过程，我们发现裂缝前MAC和MABN的机械响应主要由F X确定，并且对大小和特定排列不敏感，并且在某种程度上是晶体的数量和区域分布。分析了两种材料中裂纹的行为，并发现主要在连续的随机网络区域的蜿蜒路径中繁殖，并以截然不同的方式对材料加强的不同方式影响。目前的结果揭示了无定形单层的结构和机械性能之间的关系，并可能为二维材料提供普遍的加强策略。
基于二维材料的晶体管，用于未来集成电路
硅互补金属氧化物半导体 (CMOS) 技术的缩放已达到 10 纳米以下技术节点，但进一步缩放越来越具有挑战性，因为器件的栅极静电要求大幅减少沟道厚度以保持所需的性能 1 。场效应晶体管 (FET) 的最终沟道厚度可能在 1 纳米以下范围内。但是，任何三维 (3D) 半导体晶体都无法轻易实现这一点，因为在沟道到电介质界面处电荷载流子的散射增加，导致迁移率严重下降 2 。二维 (2D) 半导体材料单层厚度约为 0.6 纳米，可以提供解决方案。这类材料包括过渡金属二硫属化物 (TMD)，其通式为 MX 2 ，其中 M 是过渡金属（例如，Mo 或 W），X 是硫属元素（例如，S、Se 或 Te）3 – 8。材料中没有悬空键也提供了实现更好的通道到电介质界面的潜力。基于机械剥离的单晶 2D 薄片的早期研究，以及基于大面积生长的合成 2D 单层的最新发展，都表明了 2D 晶体管的良好特性。然而，仍有许多挑战有待解决，这使得 2D FET 在未来超大规模集成 (VLSI) 技术中的应用潜力尚不明确。在本篇评论中，我们探讨了 2D FET 在未来集成电路中的发展。我们首先考虑大面积生长
在范德华（Van der Waals）巡回演出的莫伊尔·费罗马格（MoiréFeromagnet）中增强和淬火
扭曲的二维（2D）Van der Waals（VDW）量子材料以其非同规性的超导性，金属绝缘体过渡（MOTT TRUSTITION），旋转液相等而闻名，为强电子相关提供丰富的景观。这种电子相关性也解释了扭曲晶体中的异常磁性。然而，由于缺乏理想的材料以及设计Moiré磁铁与它们的新兴磁性和电子特性相关的适当方法，因此限制了2D扭曲磁力领域的进步。在这里，我们设计了VDWMoiré磁铁，并证明了旋转两个单层的简单动作，即以各种扭曲角度旋转1T-NBSE 2和1T-VSE 2，产生了增强和淬灭的局部磁性磁矩的无均匀混合物，每个过渡金属杂种（V）和niobium（V）和Niobium（V）和NB）（NB）Antome。准确地说，扭曲角会影响每个组成层的局部磁矩。在VDWMoiréSuprattice中出现了引人注目的频带和巡回的铁磁性，后者令人满意的Stoner标准。这些特征是由原子晶格位点的轨道复杂化而不是层之间的层间耦合引起的。此外，在未介绍的杂波系统中鉴定出轨道磁性。结果提出了一种有效的策略，该策略是针对扭曲调节的现场磁性的新量子力学现象的洞察力。
单层六角形中的Lightwave控制的Haldane模型
近年来，具有匹配的晶体对称性的原子薄结构的堆叠和扭曲为创建新的超晶格结构提供了独特的手柄，其中新属性出现了1,2。并联，对强光场的时间特征的控制已允许在亚激光周期时间表上的这种原子薄结构中操纵相干电子传输3,4。在这里，我们演示了一个量身定制的灯光驱动的类似物，以扭曲层堆叠。将光波形的空间对称性定制到六角硼硝酸硼单层的晶格的空间对称性，并扭曲此波形会导致对时间反向对称性破坏5的光学控制，并实现了在激光抑制的2D 2D隔离式隔热晶体中的Haldane 6拓扑模型的实现。此外，有效的Haldane型哈密顿量的参数受旋转光波形的控制，从而在频带结构配置和前所未有的控制之间在频带隙的大小，位置和曲率上进行超快切换。这会导致互补量子谷之间的不对称种群，从而导致通过光学谐波极化法检测到可测量的山谷霍尔电流7。我们计划的普遍性和鲁棒性为山谷选择性带隙工程开辟了道路，从而解开了创建量子自由度的几秒钟开关的可能性。
六角硼硝化硼的深紫外光谱
从散装到单层guillaume cassabois laboratoire查尔斯·库仑（UMR5221）CNRS-montpellier University，F-34095 Montpellier，法国guillaume.cassabois.cassabois@umontpellier.fr Hexagonal Boron Nitride（Hexagonal Boron Nitride（Hbbn）依靠其低介电常数，高导热率和化学惰性。2004年，高质量晶体的生长表明，HBN也是深层硫酸群域中发光设备的有前途的材料，如加速电子激发[1]在215 nm处的激光证明[1]，也证明了激光的表现[1]，也证明了LASITIOL ELLICTER ELLICTIOL [1]，也证明了LASITER IN-type-type-type-type-type-typepe inter-typepe intype intype-ultraviolet [1]。具有类似于石墨烯的蜂窝结构，大量HBN作为具有原子光滑表面的石墨烯的特殊底物获得了极大的关注，更普遍地是范德华异质结构的基本构建块[3]。我将在此处讨论我们的结果，以从批量到单层的HBN的光电特性。i将首先关注散装HBN，这是一个间接的带隙半导体，具有非凡的特性[4]。i将介绍我们最近的测量结果，揭示了散装HBN中巨大的光 - 物质相互作用[5]。然后，我将向单层HBN讲话。在通过高温MBE在石墨上生长的样品中，在与原子上薄的HBN发射的共鸣中发现了最小的反射率，从而证明了单层HBN的直接带隙[6]。最近通过从散装晶体中去除的单层HBN中的深度硫酸盐中的高光谱成像进一步证实了这些结果[7]。参考