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World File Search System单晶
化学诱导的C-Cu共价键在CVD-Graphene/单晶Cu（111）界面
通过化学蒸气沉积（CVD）在CU（111）底物上生长的石墨烯开放表面的部分氢化，导致形成由界面C-Cu共价键合稳定的晶体Sp³sp³杂交碳单层。这种过渡是可逆的，加热几乎可以完全恢复原始的石墨烯 - 铜结构。石墨烯-CU系统的特征是弱的范德华相互作用，这是产生C-Cu键合的第一个转换。通过广泛的光谱表征（拉曼，X射线光电子，X射线吸收精细的结构和价频段光发射光谱）和基于密度功能理论（DFT）的理论分析），我们发现弱范德尔（dft通过加热回到其最初的物理状态。对石墨烯-CU相互作用的这种可逆控制为基于石墨烯的设备设计和操纵开辟了新的途径。此外，这种含有C-金属底物键的Sp³杂交碳单层可能会成为大区域钻石膜生长的种子层。
顶栅2D晶体管的单晶金属氧化物介电
二维（2D）结构由具有高载体迁移率的原子薄材料组成的二维（2D）结构已被研究为未来晶体管1-4的候选。然而，由于合适的高质量介电的不可用，尽管具有优越的物理和电气特性，但2D现场效应晶体管（FET）仍无法获得全部理论潜力和优势。在这里，我们证明了原子上薄的单晶Al 2 O 3（C-al 2 O 3）作为2D FET中的高质量顶栅介电。通过使用插入式氧化技术，在室温下，在单晶Al表面形成了稳定，化学计量和原子较薄的C-Al 2 O 3层，厚度为1.25 nm。由于有利的晶体结构和明确定义的接口，栅极泄漏电流，界面状态密度和C-AL 2 O 3的介电强度3符合国际路线图3,5,7的国际路线图3,5,7。通过由源，排水，电介质材料和门组成的一步转移过程，我们实现了顶部的MOS 2 FET，其特征是以61 mV的陡峭亚阈值摇摆为61 mV-1-1-1，高/OFF电流比为10 8，并且非常小的滞后率为10 mV。这种技术和材料证明了产生适合整合到完全可扩展的晚期2D FET的高质量单晶氧化物的可能性，包括负电容晶体管和自旋晶体管。
锂电池中单晶Ni富含分层阴极的挑战和方法
Jiangtao Hu 1 , Hongbin Wang 1 , ∗ , Biwei Xiao 2 , ∗ , Pei Liu 1 , Tao Huang 1 , Yongliang Li 1 , Xiangzhong Ren 1 , Qianling Zhang 1 , ∗ , Jianhong Liu 1 , ∗ , Xiaoping Ouyang 3 and Xueliang Sun 4 , 5 , ∗ 1 Graphene Composite Research Center, College of深圳大学化学与环境工程，深圳518060，中国； 2 Grinm（广东）高级材料与技术研究所，佛山528051，中国； 3西安格坦大学材料科学与工程学院，中国411105； 4西安大略大学机械与材料工程系，安大略省N6A 5B9，加拿大和5东部高级研究所，东部技术研究院，宁波315020，中国
Ti掺杂的蓝宝石（Al（2）O（3））通过Kyropoulos技术和光学特征生长的单晶。
不可侵犯生长过程的缺陷。激光性能通常受到Ti3þ -Ti4Þ离子对8的光损失红外吸收带的限制，这些离子对8恰好发生在激光发射波长中。退火改善了成年晶体的质量。它允许将部分更改为ti3Þ，并改善所谓的功绩图（FOM），该图可以测量约500 nm的吸收系数与吸收系数相对于寄生虫Ti3Þ -Ti3Þ -Ti4Þ吸收带的吸收系数的比率。在本文中，大尺寸和高度Ti3Þ掺杂的Al 2 O 3单晶在RSA Le Rubis Company的Kyropoulos Technique（KT）成功生长，并执行了成年晶体的光学特征。
柔性锌黄锡氧化物太阳能电池的出现
柔性 CZTSSe 太阳能电池也可以使用单晶层作为光吸收剂来制造。单晶层是嵌入有机树脂的 CZTSSe 晶粒的单层。CZTSSe 单晶可以是单晶，也可以是由多个单晶组成的晶粒，通常尺寸为 30-100 μm，它们是在真空密封的安瓿瓶中使用二元化合物和元素硫属化物（S 和 Se）作为原料合成的，
复杂载荷条件下 FCC 单晶中裂纹萌生和扩展的微损伤模型
在线性和非线性工程材料中 [ 1 , 2 ]。例如，在复合材料中，弥散损伤之后是损伤局部化和裂纹形成，最终导致断裂。在准脆性材料或受到循环载荷的金属中，裂纹形成和扩展在损伤开始后迅速发生。初始或诱导各向异性在材料损伤中普遍存在，对建模和模拟提出了挑战，正如许多现有的各向异性损伤复杂公式所示 [ 3 ]。相比之下，文献中很少发现连续损伤方法对金属单晶的应用，这可能是由于特定的各向异性变形和损伤机制。[ 4 ] 解决了单晶镍基高温合金的蠕变损伤，而 [ 5 ] 中的作者提出了一个与晶体粘塑性耦合的各向异性损伤模型框架。[ 6 ] 使用粘结区模型模拟单晶裂纹沿预定义路径扩展
通过椭圆偏振光谱法现场监测 Sb 离子注入单晶 Ge 过程中的无序和空腔演变
Tivadar Lohner 1 、Attila Németh 2 、Zsolt Zolnai 1 、Benjamin Kalas 1 、Alekszej Romanenko 1 、Nguyen Quoc Khánh 1 、Edit Szilágyi 2 、Endre Kótai 2 、Emil Agócs 1 、Zsolt Tóth 3 、Judit Budai 4,5 、Péter Petrik 1,* 、Miklós Fried 1,6 、István Bársony 1 和 † József Gyulai 1
PCB 裂纹对采用单晶焊点的无源微电子元件热循环可靠性的影响
无铅锡基焊点通常具有单晶粒结构，取向随机，且特性高度各向异性。这些合金通常比铅基焊料更硬，因此在热循环期间会向印刷电路板 (PCB) 传递更多的应力。这可能会导致靠近焊点的 PCB 层压板开裂，从而提高 PCB 的柔韧性，减轻焊点的应变，进而延长焊料疲劳寿命。如果在加速热循环期间发生这种情况，可能会导致高估现场条件下焊点的寿命。在本研究中，使用偏光显微镜研究了连接陶瓷电阻器和 PCB 的 SAC305 焊点的晶粒结构，发现其大多为单晶粒。热循环后，在焊点下的 PCB 中观察到裂纹。这些裂纹很可能是在热循环的早期阶段在焊料损坏之前形成的。为了详细研究这些观察结果，我们开发了一种有限元模型，该模型结合了单晶焊点随温度变化的各向异性热性能和机械性能。该模型能够以合理的精度预测 PCB 和陶瓷电阻焊点中损伤起始的位置。它还表明，即使长度非常小的 PCB 裂纹也可能显著降低焊点中累积的蠕变应变和蠕变功。所提出的模型还能够评估焊料各向异性对陶瓷电阻相邻（相对）焊点损伤演变的影响。
