钼和金双金属在微电子中用作互连导体。为了对双金属进行光刻蚀,首先用一种新的金蚀刻剂蚀刻金层,该蚀刻剂是由碘和碘化鎓在乙醇和水的混合物中的溶液组成。在金蚀刻过程中没有观察到钼层的溶解,因为蚀刻剂不会侵蚀钼。
摘要。探索了通过熔丝制造和烧结技术生产高碳钢/Inconel 718 双金属零件的可能性。分析了两种合金的兼容性,特别关注元素通过界面的相互扩散以及沉积策略的影响。研究了微观结构特征、相对密度和零件收缩。虽然最初的试验工艺参数值不足以达到可接受的材料致密化,但观察到 Inconel 718 和碳钢之间良好的结合,这表明有可能获得具有多种材料性能的完美双金属零件。由于致密化动力学的差异,烧结温度被发现是优化以最小化孔隙率的最关键工艺参数。关键词。增材制造、熔丝沉积、双金属材料、Inconel 718、高碳钢、微观结构、相互扩散、缺陷。
可以看到纯 SS 316L 部分和 (SS 316L+Al12Si) 1 之间的结合。(c) 方法 2 制造的横截面。(d) 圆柱形 SS 316L 至 Al12Si 双金属结构
摘要:通过直接沉积制备的双金属结构由于异种金属的组织和性能突然变化而存在缺陷。激光金属沉积(LMD)-电弧增材制造(WAAM)工艺可以通过沉积功能梯度材料(FGM)层(例如使用LMD的薄中间层)来缓解两种不同材料之间的缺陷,并可用于使用WAAM以较高的沉积速率和相对较低的成本制备双金属结构。本研究进行了LMD-WAAM工艺,并研究了制备的IN625-SUS304L双金属结构的微观组织。LMD-WAAM样品的FGM区的微观组织主要为细小的等轴枝晶形貌。相反,WAAM区构成了粗大的柱状枝晶形貌。LMD-WAAM样品的主要合金元素的成分随着沉积层高度而逐渐变化。 LMD-WAAM 样品的显微硬度随 Inconel 含量的增加而增加。对于 LMD-WAAM 样品,断裂发生在 25% IN625 和 0% IN625 之间的界面附近;对于 WAAM 样品,最终断裂发生在界面附近的 SUS304L 中。LMD-WAAM 样品的拉伸强度与激光功率成反比。结果表明,LMD-WAAM 样品的拉伸强度比仅使用 WAAM 制造的样品高 8%。
(Ln) 基复合物应运而生,表现出高磁阻塞温度,通常还具有足够的氧化还原稳定性。[16–18] 然而,最近旨在研究电子通过单个 SMM 的磁性系统的实验表明,至少在基于 Ln 的双层 SMM 中,4f 电子通常难以接近,因为它们的空间局域化和能量位置远离费米能级。[19–25] 因此,通过电子传输直接寻址分子内部的 4f 磁矩需要系统具有可行能量的电子轨道和一定的空间延伸,就像早期的 Ln 物种一样 [25] 或电子态与 4f 轨道强烈杂化而不会改变磁性复合物特殊磁性的系统。 [26,27] 在这方面特别有趣的是功能化的内嵌二金属富勒烯,它在两个铁磁耦合的 Ln 原子之间引入了单电子键,是目前最有前途的 SMM 类型之一。 [28] 然而,尽管它们的碳笼完全吸收了表面沉积时的电荷重新分布,有利于其磁稳定性, [29] 但与此同时,它们的内嵌结构阻碍了直接进入分子内部,这在应用方面是不可避免的。 因此,到目前为止还没有报道过任何实验证明能够在传输测量中进入它们的磁芯。 在本文中,我们重点研究内嵌二金属富勒烯复合物 Ln 2 @C 80 (CH 2 Ph),以下称为 { Ln 2 }。 [30] 这些分子由一个大致呈球形的富勒烯笼组成,里面包裹着两个 Ln 3 +离子,见图 1 a。两种镧系离子共用一个单电子共价键,通过在 C 80 笼中添加 CH 2 Ph 侧基来稳定该键。这种金属-金属键导致 [Ln 3 + – e – Ln 3 + ] 系统中的 Ln 中心之间发生强交换,从而导致块体 [28] 和亚单层中均具有出色的磁性。[31,32] Liu 等人 [33] 已证明 Ln-Ln 键合分子轨道 (MO) 分裂成两个完全自旋极化且能量分离良好的组分,未占据组分位于笼基最低未占据 MO (LUMO) 下方并部分定位在 C 80 笼上,因此原则上可以在扫描隧道显微镜/光谱 (STM/STS) 中寻址。
我们的 HIP 产品制造厂每周都会生产和加工数吨材料,如工具钢、高速钢、不锈钢、钴和镍基合金。这是通过用 HIP 将金属粉末致密化成实心棒或坯料来实现的。这可以是简单的固体或双金属材料,用于制造螺杆或衬套段,与传统工具钢部件相比,可提高性能。
重金属纳米颗粒(NP)将许多发展和兴趣视为放射疗法的放射增感器。使用辐射溶解在巴黎萨克莱的ISMO开发了一种新的Bimetallic BI:涂有基于PEG的配体的PT NP。但是合成方法对NP的组织和表面有什么影响?双金属纳米颗粒的理论研究一直在落后于金属纳米颗粒(例如金和银纳米颗粒)所见的理论研究。这是由于多组分系统的复杂性,这些系统使适当的表征比同质系统更加困难。