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用于可扩展量子器件的锗原子级精度操控
量子计算将彻底改变技术，改变从密码学到制药等各个行业。然而，要发挥量子计算的潜力，需要在物理量子比特实现方面取得突破。在众多有前途的系统中，包括超导电路、分子和光阱，还没有一个系统能够展示大规模量子计算所需的可扩展性。半导体中的自旋态是迄今为止发现的最稳定、抗噪声的量子比特之一。此外，半导体中的供体原子基本相同，使其成为可扩展量子设备的有力候选者。这项研究旨在利用锗的原子级精密制造来开发下一代量子设备，锗是一种有望克服当前可扩展性挑战的材料。
量子器件制造专家（男/女/其他）
▪ 您将负责高相干超导量子电路的制造和新材料的研究。 ▪ 您将开发新的制造工艺和表面处理，优化约瑟夫森结制造工艺，和/或支持通过 3D 集成技术支持量子处理器的扩展。 ▪ 根据您之前的经验，您将带领 WMI 的制造团队朝着 QuantumSPICE 项目的项目目标前进，该项目最近由 BMBF 资助。 ▪ 您将支持我们洁净室设施的日常活动。 ▪ 您将监督和指导早期职业研究人员。 ▪ 您将在一个蓬勃发展的国际团队中工作，专注于量子技术和超导量子位计算。 ▪ 您将在基础科学和技术开发的交叉领域工作，并与大学、研究组织和公司的项目合作伙伴密切互动。 ▪ 您将积极参与外展活动并在会议、研讨会和研究出版物上展示您的成果。
高温电子器件 (HiTEC)
总主席：F. Patrick McCluskey，马里兰大学技术委员会：Brianna Klein，桑迪亚国家实验室 | Emad Andarawis，通用电气全球研究中心 | David Shaddock，通用电气全球研究中心 | Liangyu Chen，俄亥俄航空航天研究所/美国国家航空航天局 | Katherine Burzynski，美国空军研究实验室 | Brendan Hanrahan，美国陆军研究实验室 | Andrew Wright，桑迪亚国家实验室概述：HiTEC 2025 延续了提供领先两年一度会议的传统，致力于推动和传播高温电子行业的知识。在国际微电子组装和封装协会的组织赞助下，HiTEC 2025 将成为展示领先高温电子研究成果和应用要求的论坛。这也将是与来自世界各地致力于推动高温电子技术的同事建立联系的机会。要求的摘要包括以下主题：• 应用：
项目 4.5 新型硫族化物材料和器件中的量子动力学（实验） 指导老师：教授博士居住。 Ryszard Buczko 研究所：IFPAN
在本项目中，我们将探索一种新型材料，即与超导体耦合的铅锡硫族化合物半导体，在量子信息设备中的潜在应用。我们假设它们独特的物理特性——强大的自旋轨道相互作用、高电子迁移率和有效的静电控制——将有可能减少量子比特的退相干。此外，它们还可用于研究纳米级设备中的新量子现象。我们将研究这种材料平台是否能够发现新的量子控制方法并提高量子设备的性能。一个由理论物理学家、实验学家和晶体生长者组成的国际团队将努力开发材料、表征它们、构建和分析量子设备，并在单一且一致的反馈回路过程中从理论上预测这些系统中的新量子动力学。
压电纤维复合材料智能传感器的有限元预测与器件性能研究
将 MFC 看成压电等效体，由于功能相 PZT-5H 为四方相晶体结构 P4mm 点 群，存在 32 31 24 15 11 22 11 22 44 55 13 23 32 、 、 、 、 、 d d d d s s s s s s s ，则式（ 1 ）
Agilex™ 7 器件系列高速串行接口信号完整性设计指南
© Altera Corporation。Altera、Altera 徽标、“a”徽标和其他 Altera 标志是 Altera Corporation 的商标。Altera 和 Intel 保证其 FPGA 和半导体产品的性能符合 Altera 或 Intel 的标准保修（如适用），但保留随时更改任何产品和服务的权利，恕不另行通知。除非 Altera 或 Intel 明确书面同意，否则 Altera 和 Intel 不承担因应用或使用本文描述的任何信息、产品或服务而产生的任何责任或义务。建议 Altera 和 Intel 客户在依赖任何已发布信息和订购产品或服务之前获取最新版本的设备规格。*其他名称和品牌可能被视为其他所有者的财产。
鲁汶天主教大学鲁汶工程学院 (UCLouvain) 正在招募三名射频器件工程博士生 (4 年)
鲁汶天主教大学鲁汶工程学院 (UCLouvain) 正在招募三名射频器件工程博士生 (4 年) 和一名博士后 (3 年)，研究在宽频率和温度范围内对绝缘体上硅 (SOI) 器件进行晶圆上特性描述和建模的先进技术。鲁汶工程学院 30 多年来一直率先推动 RF-SOI 在高频应用中的使用，并积累了数十年在该领域的经验。我们目前正在招募积极主动且感兴趣的候选人，以帮助我们研究 22 纳米以下的下一代 FD-SOI CMOS 晶体管，以解决 RF 和毫米波领域的应用，例如电信、雷达、成像、传感等。这些科学研究将在多个欧洲 Chips JU 项目 (SOIL、ArCTIC、FAMES、Move2THz) 的框架内进行。候选人将与最好的大学、研究中心（imec（比利时）、CEA-Leti（法国）等）和公司（STMicroelectronics（法国）、GlobalFoundries（德国）、SOITEC（法国）等）合作。
GaN HEMT 器件的 AI 辅助场板设计
摘要 GaN HEMT 在高功率和高频电子器件中起着至关重要的作用。在不影响可靠性的情况下满足这些器件的苛刻性能要求是一项具有挑战性的工作。场板用于重新分配电场，最大限度地降低器件故障风险，尤其是在高压操作中。虽然机器学习已经应用于 GaN 器件设计，但它在以几何复杂性而闻名的场板结构中的应用是有限的。本研究介绍了一种简化场板设计流程的新方法。它将复杂的 2D 场板 2 结构转换为简洁的特征空间，从而降低了数据要求。提出了一种机器学习辅助设计框架来优化场板结构并执行逆向设计。这种方法并不局限于 GaN HEMT 的设计，可以扩展到具有场板结构的各种半导体器件。该框架结合了计算机辅助设计 (TCAD)、机器学习和优化技术，简化了设计流程。
量子点器件自动化的数据需求和挑战
门控量子点是实现可扩展耦合量子比特系统和作为量子计算机基本构件的有前途的候选系统。然而，当今的量子点设备存在必须考虑的缺陷，这阻碍了表征、调整和操作过程。此外，随着量子点量子比特数量的增加，相关参数空间增长到足以使启发式控制变得不可行。因此，开发可靠且可扩展的自主调整方法势在必行。本会议报告概述了当前在自动化量子点设备调整和操作方面面临的挑战，特别关注数据集、基准测试和标准化。我们还介绍了量子点社区提出的关于如何克服这些挑战的见解和想法。我们的目标是为致力于自动化工作的研究人员提供指导和启发。
采用基于 3nm 的 800Gb/s 可插拔器件和 1.6Tb/s 性能光学器件的新型相干技术实现方法以及由此产生的网络影响
§ 最先进的 3nm CMOS、70 GHz 电光 § OSFP Type 2A 和 QSFP-DD800 外形尺寸 § 符合标准的 800ZR / 800LR / 800G ZR+（互操作 PCS）模式 § 最高性能 400 / 600 / 800G PCS 传输模式，高达 141GBd § SOA-on-SiP 异构集成，可在 C 波段和 L 波段实现高 Tx 输出功率和可扩展性（OIF 800ZR Tx 输出 A 类）