XiaoMi-AI文件搜索系统
World File Search System器件
硅量子点器件的快速虚拟门提取
硅量子点器件由于其延长的相干时间、紧凑的尺寸以及最近在实验中演示的相当大的量子比特阵列，成为大规模量子计算的有希望的候选者。尽管潜力巨大，但控制这些阵列仍然是一项重大挑战。本文介绍了一种新的虚拟门提取方法，以快速建立对单个量子点电位的正交控制。利用对器件物理学的深入了解，所提出的方法通过关注电荷态转变周围的关键区域，显著降低了实验开销。此外，通过采用高效的电压扫描方法，我们可以有效地精确定位这些电荷态转变线并滤除错误点。使用真实量子点芯片数据集进行的实验评估表明，与传统方法相比，速度提高了 5.84 倍到 19.34 倍，从而展示了加速硅自旋量子比特器件扩展的良好前景。
元器件分销商 - Info Solution Co
FORTUNE TECHNOCOMPS P. LTD www.fortunecomponents.com fortune.arora@gmail.com 0120-3608848 5 楼，Mantec 大厦，356/5，第 62 区，诺伊达，Gautam Budh Nagar，北方邦，201301 FUTURE ELECTRONICS INC. (DISTRIBUTION) PRIVATE LIMITED www.futureelectronics.com sunil.alapati@futureelectronics.com 080-43318100 The OAK - Kalyani Platina，5 楼，勘测编号 129/4，Kundalahalli Village，KR Puram，Hobli，班加罗尔，卡纳塔克邦，560066
毫米波集成硅器件：有源与……
𝜖 O3 = 𝑆 0P 𝑑𝐵−𝑁𝐹。（5）𝜖 O3 可视为初步评估 LNA 基本性能的定性参考，与接收器性能的潜在优势有关。图 1(a) 和 (b) 中的 LNA 分别显示 𝜖 O3 为 -0.3 dB 和 3.1 dB。这意味着，图 1(a) 中的 LNA 具有负 𝜖 O3（NF 高于增益），可能会损害整体接收器性能，并且从成本效益的角度来看，采用它可能是不合理的，因为这取决于接收器下一阶段的性能，甚至可能导致性能下降和功耗浪费。对于图 1(b) 中的 LNA，𝜖 O3 略微超过 3dB，这可以视为其在接收器中采用的初步定性要求。尽管噪声系数略有增加，但 MT 0 和 𝜖 O3 均支持具有 IIM 的共源共栅放大器对于 MPmCN 的优势。
集成电路和功率器件抗辐射工艺加固技术研究综述
图 11 不同配置层偏压下 CSOI 器件瞬态电流典型曲线 （ a ） 和 CSOI SRAM 电路的单粒子翻转截面变化 （ b ） Fig. 11 Typical transient current curve of CSOI device (a) and single event upset cross-section variation of CSOI SRAM circuit (b) under different configuration layer biases
用于光学功能器件的丝绸薄膜的超快激光膨胀和烧蚀加工
有机蛋白质因其独特的光学性质、卓越的机械特性和生物相容性而备受青睐。在有机蛋白质薄膜上制造多功能结构对于实际应用至关重要；然而，特定结构的可控制造仍然具有挑战性。在此，我们提出了一种通过调节有机材料的凸起和烧蚀在丝膜表面创建特定结构的策略。基于受控的超快激光诱导晶体形态转变和丝蛋白的等离子体烧蚀，产生了直径连续变化的独特表面形貌，如凸起和凹坑。由于不同周期的凸起/凹坑结构具有各向异性的光学特性，所制造的有机薄膜可用于大规模无墨彩色打印。通过同时设计凸起/凹坑结构，我们设计并展示了基于有机薄膜的光学功能装置，该装置可实现全息成像和光学聚焦。这项研究为多功能微/纳米结构的制造提供了一种有前途的策略，可以拓宽有机材料的潜在应用。
制造功率器件必不可少的先进离子注入技术
如果没有汽车、智能手机、电脑等各种产品中所包含的半导体，我们的日常生活就无法实现。另一方面，随着电动汽车（EV）的普及，未来用电量肯定会持续增加。我们需要的是高效利用电力。其中的关键是功率器件（功率半导体）。近年来，作为实现高效利用电力的下一代功率器件材料，碳化硅（SiC）备受关注。住友电工集团旗下的日新离子设备株式会社从 1970 年代开始推动半导体制造工序中不可或缺的离子注入技术的开发，并向市场推出了一流的设备。随着SiC功率器件受到关注，该公司开发了符合社会和市场需求的新型离子注入机，并获得了多方好评。但是，用于SiC功率器件制造的离子注入技术尚未成熟。正在进行产品开发，以实现进一步的发展。通过广泛使用SiC功率器件减少温室气体排放将极大地帮助实现碳中和社会。本期介绍业界第一台专为SiC功率器件设计的离子注入机的开发历史和创新性。
InSb量子阱器件中的量子传输
摘要 InSb 是一种窄带 III-V 族半导体，具有带隙小、电子有效质量小、电子迁移率高、有效 g 因子大、自旋轨道相互作用强等特点，这些独特性质使 InSb 在工业应用和量子信息处理方面都具有广阔的应用前景。本文综述了 InSb 量子阱器件量子输运研究的最新进展。随着高质量异质结构生长和微纳制造技术的进步，基于 InSb 量子阱的低维体系中已经开展了量子输运实验。此外，在未掺杂的 InSb 量子阱中已经实现了双极操作，从而可以系统地研究 p 型窄带半导体的能带结构和量子特性。此外，作为对更窄带隙半导体物理探索的延续，我们介绍了对 InAsSb 量子阱的最新研究成果。
半导体器件的最新进展（）...
关于电子与通信工程系 电子与通信工程 (ECE) 学科将电子与通信领域的教学和研究活动完美地结合在一起。自成立以来，该学科的主要目标一直是提供优质教育、实践培训和电子与通信工程前沿领域的研究，重点关注 IT 支持的设计和制造。该学科的研究小组之间以及与其他学科和机构之间的跨学科研究也在实践中。该学科的研究和学术活动的广泛领域包括微波与通信工程、信号与图像处理、微纳电子学以及电力与控制。该系目前有 18 名教师。