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“半导体器件技术
高管教育是企业建立一种文化的迫切需要，这种文化可以促进新技术和解决方案的发展，并培养一支能够跟上技术、商业和监管领域快速变化需求的员工队伍。印度理工学院德里分校致力于让所有人都能接受优质教育，推出了 eVIDYA@IITD（ई - विद्या @IITD）下的在线证书课程：为印度和国际参与者提供推动青年进步@IITD 的虚拟和交互式学习。印度理工学院德里分校 (IIT Delhi) 提供的这些外展计划旨在满足国内外各种组织、行业、社会和个人参与者的培训和发展需求，其愿景是通过在前沿领域提供高质量的在线证书课程，为成千上万的年轻学习者提供帮助，帮助他们在工程、技术、科学、人文和管理等不同领域的职业发展。有关更多详情，请访问：http://cepqip.iitd.ac.in
量子材料与量子器件征文
通过具有独特量子特性的新型材料和器件来实现量子力学，可用于提高量子科学的设备性能。近年来，随着量子信息的快速发展，包括量子通信、计算、计量、加密和传感，新型固态平台引起了越来越多的量子技术关注。《IEEE 量子电子学精选期刊》诚邀在量子材料和量子器件领域投稿。本期 JSTQE 旨在重点介绍开发前沿量子材料和设备应用的最新进展和趋势，以帮助彻底改变信息处理。感兴趣的领域包括（但不限于）：
“半导体器件技术
高管教育是企业建立一种文化的迫切需要，这种文化可以促进新技术和解决方案的发展，并培养一支能够跟上技术、商业和监管领域快速变化需求的员工队伍。印度理工学院德里分校致力于让所有人都能接受优质教育，推出了 eVIDYA@IITD（ई - विद्या @IITD）下的在线证书课程：为印度和国际参与者提供推动青年进步@IITD 的虚拟和交互式学习。印度理工学院德里分校 (IIT Delhi) 提供的这些外展计划旨在满足国内外各种组织、行业、社会和个人参与者的培训和发展需求，其愿景是通过在前沿领域提供高质量的在线证书课程，为成千上万的年轻学习者提供帮助，帮助他们在工程、技术、科学、人文和管理等不同领域的职业发展。有关更多详情，请访问：http://cepqip.iitd.ac.in
OKI技术评论，第242期，利用QST x CFB实现垂直GaN器件社会化应用的新技术
随着实现碳中和目标的加速，为提高社会能源效率，对更高性能半导体器件的需求日益增长。2006年，OKI在全球首次通过独特的CFB（晶体薄膜粘合）*1）技术1）成功量产集成不同材料LED和IC的器件。从那时起，集成LED元件的出货数量已超过1000亿点，已成为具有高量产可靠性的核心技术。上述案例将LED集成到具有反射结构的IC上，从而提高了发光效率，并改善了器件的能源效率。使用CFB开发的新结构将进一步为半导体器件创造附加值。“CFB解决方案”（图1）是一项举措，它不仅将CFB技术应用于LED，而且还将其应用扩展到其他各种晶体材料和器件，以创造具有附加值的新半导体器件。 CFB基板是通过将具有不同功能（晶体层膜）的高性能材料和器件从种子基板上剥离并将它们粘合到不同的基板上而制成的。
太阳能驱动的界面蒸发：材料设计和器件组装
摘要 太阳能驱动的界面蒸发 (SIE) 是一个新兴的研究课题，由于其在解决全球水资源短缺问题方面的潜力而受到关注。本综述全面概述了基础材料、光热材料的最新创新以及用于有效海水淡化和净化的蒸发器设计。本文详细讨论了 SIE 的最新发展，深入了解了关键性能指标和最先进的材料。此外，本综述还研究了文献中报道的用于提高 SIE 系统效率和可扩展性的新策略。这些策略包括使用光热材料和探索创新的设备配置。最后，我们讨论了现有的挑战和未来的研究方向，强调了 SIE 在解决全球水资源短缺和为可持续未来做出贡献方面的潜力。
原子平面错位取向有助于提高纳米图案化蓝宝石 (0001) 表面上 AlN 外延生长的晶体质量，用于深紫外光电器件
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先进功能材料与器件 (afmd - 2024)
注意：PL - 全体会议演讲；KN - 主题演讲；IT：受邀演讲；TT - 技术演讲 TPGA - Dr. T. P. Ganesan 礼堂小礼堂；SBE - 生物工程学院大楼
通用 Cryo-CMOS 器件建模和 EDA
摘要 —本文概述了通用低温 CMOS 数据库的建立，其中 MOSFET 的关键电气参数和传输特性被量化为器件尺寸、温度/频率响应的函数。同时，进行了全面的器件统计研究，以评估低温下变化和失配效应的影响。此外，通过将 Cryo-CMOS 紧凑模型整合到工艺设计套件 (PDK) 中，设计了低温 4 Kb SRAM、5 位闪存 ADC 和 8 位电流控制 DAC，并在 EDA 兼容平台上轻松研究和优化它们的性能，从而为大规模低温 IC 设计奠定了坚实的基础。索引术语 —低温器件物理、温度相关紧凑模型、蒙特卡罗模拟、工艺设计套件、低温电路设计。
用于量子信息处理的混合纳米电子器件建模
混合纳米电子器件通过将超导体的宏观相位相干性与半导体器件的电荷密度控制相结合，为开发量子技术提供了一个有前途的平台。本论文重点研究混合纳米电子器件的建模及其在研究物质拓扑相和量子信息处理中的应用。论文的第一部分介绍了一种用于静电建模的新型无轨道方法。该方法显著提高了界面附近密度分布的精度，同时最大限度地降低了计算成本。接下来，我们使用基于对称性的非局部电导谱方法来研究多端器件中的传输测量。这种方法可以识别自旋轨道耦合的方向并检测非理想效应。然后，论文探讨了铁磁混合异质结构，它通过结合磁性绝缘体插入物来实现对有效磁场的局部控制。我们研究了超导和铁磁邻近效应的相互作用，并提出了一种用于展示拓扑超导的平面设计。我们还展示了如何使用该平台来实现可配置的 0-π 约瑟夫森结，以及如何实现非正弦电流相位关系。最后，本论文研究了以高次谐波为主的结在超导量子比特中的应用。我们提出并研究了一种耦合方案，用于在异质量子架构中纠缠奇偶校验保护的量子比特和可调谐通量的传输子。