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火星全球电流系统和相关的太阳风能量转移：标称条件下的混合模拟
摘要 磁化的太阳风在火星周围驱动着一个电流系统，维持着火星的感应磁层。太阳风还将能量传递给大气离子，造成持续的大气侵蚀，对火星的演化历史产生了深远的影响。在这里，我们使用基于图形处理单元 (GPU) 的混合等离子体模型 Amitis 首次重现了垂直于太阳风流动方向的行星际磁场下净电流和离子流的全局模式。得到的电流分布与观测结果相符，并揭示了更多细节。利用之前用相同模型表征的电场分布，我们首次计算了火星上整个等离子体和不同离子种类的能量传递率的空间分布。我们发现：（1）太阳风动能是驱动火星感应磁层的主要能量来源；（2）激波太阳风的能量通量从磁赤道平面流向感应磁尾中的等离子体片；（3）弓形激波和感应磁层边界都是发电机，等离子体能量从这里转移到电磁场；（4）行星离子充当负载并从电磁场中获取能量。最强烈的负载区域是行星离子羽流。本研究揭示的能量转移率的一般模式在感应磁层中很常见。它随上游条件的变化可以为观测到的离子逃逸变化提供物理见解。
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在理事会的废物战略中确定，在2021/2022财政年度，理事会一般废物箱中大约有89,347吨的废物被送往垃圾填埋场，预计到2031/2032年，在一个商业裔现场下，到2031/2032，这将增加到174,219吨。在2020年进行的废物审计确定，典型理事会一般废物中有37％的家庭固体废物是福戈。通过减少将这种有机废物发送到垃圾填埋场的分解并产生垃圾填埋场排放的垃圾，可以减少议会的碳排放。作为将这种废物从垃圾填埋场转移的一项措施，在2021年7月引入了仅选择的GON垃圾垃圾服务。这项服务以来已经吸引了大约17％的合格家庭（20,000户家庭），在2021年7月至2023年6月的2年财政年度中，将近10,500吨的绿色废物从垃圾填埋场转移了。Go目前已将其交付给理事会的布朗平原废物管理网站，该地点是由第三方切碎的，然后被运送到第三方组合进行堆肥。这种切碎和运输过程是理事会的一项费用，在2024/2025财政年度将增加20美元/吨。服务仅用于GO； FO仍在一般废物箱中收集。
通过堆叠工程实现正交扭曲二维 CrSBr 磁体中的可编程磁滞。
扭转二维范德华磁体可以形成和控制不同的自旋纹理，如 skyrmion 或磁畴。除了旋转角度之外，还可以通过增加形成扭转范德华异质结构的磁层数量来设计不同的自旋反转过程。在这里，A 型反铁磁体 CrSBr 的原始单层和双层被视为构建块。通过将这些单元旋转 90 度，可以制造对称（单层/单层和双层/双层）和不对称（单层/双层）异质结构。磁输运特性显示出磁滞的出现，这在很大程度上取决于施加磁场的大小和方向，不仅由扭转角度决定，还由形成堆栈的层数决定。这种高可调性允许在零场下切换易失性和非易失性磁存储器，并根据需要控制在负场或正场值下突然磁反转过程的出现。根据微磁模拟的支持，基于层中发生的不同自旋切换过程合理化了现象学。结果强调了扭转角和层数的组合是设计扭转磁体中自旋切换反转的关键要素，这对于自旋电子器件的小型化和实现新型自旋纹理很有意义。
高能质子辐照对GaN混合漏极的影响...
为了为 CERN 加速器隧道的新灯具提供耐辐射 LED 电源，需要对商用级功率晶体管在高水平粒子辐照下进行特性分析，因为这对半导体器件来说是一个恶劣的环境。这项工作描述了 24 GeV/ c 质子辐照对商用 GaN 混合漏极嵌入式栅极注入晶体管 (HD-GIT) 的影响，当时的剂量为 5.9 × 10 14 p/cm 2。漏极漏电流、阈值电压和 I ds − V ds 曲线的测量表明，在考虑的剂量之后，GaN HD-GIT 的电性能仅发生微小变化；例如，辐照后阈值电压平均增加约 11-13 mV。我们还对质子辐照引起的性能退化提出了物理解释；尤其是高电场下 2DEG 通道中的电子漂移速度似乎由于辐射引起的声子弛豫速率增加而降低。最后，提出了一种使用 GaN HD-GIT 进行电流控制的 AC/DC LED 电源，用于 CERN 隧道的新型灯具，满足辐射硬度和光质量方面的要求。
纳米哑铃形状定向自组装成超结构多晶型
在决定其组装行为中起着关键作用，基于各种形状的NP构建块可以制备出各种复杂的类似超结构，如晶体、塑性晶体和液晶。13 – 26 作为一个显著的例子，四面体最近被证明可以形成各种组装体，包括一维手性四螺旋、二维准晶体和三维基于簇的体心立方单超晶体。27 – 30 尽管在非球形NP方面投入了大量精力，但对具有特殊几何形状的各向异性NP进行系统的自组装研究仍然很少。哑铃在几何上由两个叶组成，由中间的杆连接，这是NP二聚体的最粗糙模型和最简单的非凸体。哑铃中部区域的扩大头部提供了额外的空间排斥力，以限制它们沿某些方向的组装，使它们成为自组装研究的有趣构建块。31 – 36 理论计算预测对称哑铃可以选择性地诱导取向无序退化晶体、人字形晶体和有序斜晶格晶体的形成。33,37 – 40 还进行了实验演示，包括金 ND 的平行排列和十字形二聚体，41,42 外部场下 ND 的受控取向，35,43 – 46 和
当前泄漏机制与在Si（001）上生长的GE富含螺纹脱位有关
目前的工作研究了螺纹位错密度（TDD）在低密度状态下在SI 0.06 GE 0.94异质结构中集成在SI上（001）的垂直传输的作用。使用无意间掺杂的Si 0.06 GE 0.94层可以研究成长的螺纹位错（TD）的影响，而不会与加工诱导的缺陷相互作用，例如来自掺杂剂的植入。研究的杂层虽然成分等于应变弛豫程度和厚度，但具有三种不同的TDD值：3×10 6、9×10 6和2×10 7 cm -2。电流 - 电压测量结果表明，泄漏电流不会与TDD线性扩展。泄漏电流的温度依赖性表明，通过TD诱导的缺陷状态进行陷阱辅助的隧道，在室温下通过TD诱导的缺陷态进行了陷阱辅助的隧道。在较低的温度和高电场下，无直接相互作用与缺陷水平直接相互作用的直接带对隧道成为主要的运输类型。在较高的温度（> 100°C）下观察到与中间隙陷阱发射有关的泄漏电流。在这里，我们看到材料中SRH的贡献减少，其中最小的TDD（3×10 6 cm -2），我们将其归因于被困在TD菌株中的点缺陷簇中的减少。
石墨烯生产或电气计量 - NIST 的 TSAPPS
自 1990 年以来，电阻尼特的表示一直基于二维电子态中发生的 QHE 的整数量化电阻平台。这些量化的电阻值为 RHU) = R'(.,JO/i，其中 R H 是量化的霍尔平台电阻 RK。!lQ 是 1990 年推荐的冯·克利青常数值，i 是整数量子数 [1]。在 1980 年发现 QHE 后的最初几年里，Si-MOSFET 和半导体异质结构（最常见的是 GaAs/Al,Ga(1)As）被用于计量表征和比较 [2-4]，最近，几家国家计量研究所已经开发和改进了生长半导体 QHE 器件的配方，适用于在相对较高的电流和弱磁场下进行精确的电阻计量 [5, 6]，因此该标准更容易获得并且在计量上更有用。11 不是一个简单的过程来生产在量子水平上经过良好量化的器件在源漏（-D）电流为 20 μJ 至 100 μJ 且温度为 T2:14 μJ 时，i = 2 平台在相对较低的磁通量（8 < 9 T）下工作。这要求 GaAs/AlxGa(I-x)As 异质结构中的材料成分难以复制，从而通过杂质故意降低电子迁移率以增加平台宽度，同时保持相对较高的载流子浓度 ['1]。此外，金属触点必须扩散到异质结构的器件层中，并且通常很难使用现代光刻技术获得多个高导电触点。自从使用微机械解理技术 [7] 发现石墨烯以来，已经开发出几种其他相对简单的方法来生产表现出 QHE 平台的碳基 2DEG（二维电子气）器件。单层石墨烯中独特的电子态产生了一些对基础物理来说最重要的特性，其中单粒子能带结构使电子和π都具有相对论狄拉克费米子的特性，例如，最低的Landa能级之间的间隔非常大。对于一些单层石墨烯器件，这有助于扩大i = 2 QHE平台的o（钉扎）[8, 9]，并可能导致器件在比传统半导体QHE器件高得多的温度、更高的电流或更低的场下实现良好的量化，以进行精密计量。此外，在暴露表面上直接制造电极允许在各种配置中进行电子传输测量。与异质结构器件（其中2DEG埋在半导体内部）不同，石墨烯器件中的导电通道可以位于衬底的表面上，因此可以使用表面科学技术对其进行微观扫描和表征。通过使用原子力显微镜（AFM）、低能电子显微镜（LEEM）[10]、扫描隧道显微镜/光谱（STM/STS）[11J和拉曼光谱，石墨烯器件可以收集石墨烯中异常QHE状态下详细形态和微观电子结构之间关系的数据。
第三届国际辐射物理和化学大会...
可以直接从腔体输出非常快的高电流和高电压脉冲，而无需任何复杂的脉冲形成和脉冲压缩网络。由于输出脉冲上升时间和宽度可以轻松定制（脉冲成形）以满足特定应用需求，因此负载可以是真空电子二极管、z 型线阵列、气体喷射、衬套、等熵压缩负载 (ICE)（用于研究非常高磁场下的材料行为）或聚变能 (IFE) 目标。根据桑迪亚实验室的合同，俄罗斯托木斯克的高电流电子研究所 (HCEI) 设计和建造了十个 1-MA LTD 腔体。这些腔体最初设计为在真空或磁绝缘传输线 (MITL) 电压加法器配置中运行。在这种模式下成功运行后，我们正在逐步对其进行修改，使其能够在去离子水绝缘电压加法器中组装运行。特别注意通过过滤进行清洁，去除溶解和自由水，并除去腔体中的油。除了去离子和去除气泡外，还对电压加法器的水进行了类似的处理。为此，设计和建造了两个连续运行的水和油再循环系统。最重要的 LTD 驱动器应用之一 (IFE) 将需要不间断地进行数万次射击。目前，我们正在运行两个经过修改的腔体，这些腔体具有更坚固的组件和专门设计的
物理学博士后职位新型磁性微...
一般背景。将药物局部输送到人体难以接近的部位是成功治疗各种严重疾病（如癌症、缺血性心脏病或缺血性脑卒中）的关键。传统疗法要么副作用明显（注射的药物影响健康组织），要么由于这些部位附近的血液循环停滞而导致药物向目标部位的运输效率低下。磁性纳米载体（携带药物的纳米颗粒或磁性脂质体）在外部施加的磁场下沿血管网络引导并直接在目标部位（肿瘤组织或血凝块）释放药物，原则上可以克服这些问题 [1]。然而，由于梯度磁场的物理限制，这种技术不能轻易控制纳米载体通过分支血管网络的位移。磁性载体的形状各向异性和/或柔韧性可通过将磁场梯度与 3D 振荡磁场的复杂叠加，结合其平移、角运动或跳动运动，显著改善对其运动的远程控制 [2]。这种磁性载体被称为磁性微游泳者。在过去的几十年中，人们设计了各种类型的磁性微游泳者，并开发了不同的游泳策略。然而，据我们所知，它们仍然没有一个能满足临床应用的大部分标准。其中一些太大（几毫米大小的微型机器人）而无法穿过血管 [3]，另一些则是使用非常复杂的方法制造的，并且/或者数量非常少，与实际应用不相容 [4]。最近，我们尼斯物理研究所 (INPHYNI, UMR 7010) 的研究小组已经证明，超小磁性纳米粒子 (
Tetzner, H.、Fischer, I. A.、Skibitzki, O.、Mirza, M. M.、Manganelli, C.
本研究探讨了低密度状态下穿透位错密度 (TDD) 对集成在 Si(001) 上的 Si 0.06 Ge 0.94 异质结构中垂直传输的影响。使用无意掺杂的 Si 0.06 Ge 0.94 层可以研究生长穿透位错 (TD) 的影响，而不会与加工引起的缺陷（例如源于掺杂剂注入）相互作用。所研究的异质层虽然在成分、应变弛豫度和厚度上相同，但 TDD 有三个不同的值：3×10 6、9×10 6 和 2×10 7 cm -2 。电流-电压测量表明漏电流与 TDD 不是线性比例。漏电流的温度依赖性表明场增强载流子生成对电流传输有很大贡献，其中通过 TD 诱导的缺陷态的陷阱辅助隧穿被确定为室温下的主要传输机制。在较低温度和高电场下，直接带间隧穿而不与缺陷能级直接相互作用成为主要的传输类型。在较高温度（>100 °C）下观察到与 Shockley-Read-Hall (SRH) 产生的中带隙陷阱发射相关的漏电流。在这里，我们发现材料中来自 SRH 的贡献减少，TDD 最小（3×10 6 cm -2 ），我们将其归因于 TD 应变场中捕获的点缺陷簇减少。