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为了为 CERN 加速器隧道的新灯具提供耐辐射 LED 电源，需要对商用级功率晶体管在高水平粒子辐照下进行特性分析，因为这对半导体器件来说是一个恶劣的环境。这项工作描述了 24 GeV/ c 质子辐照对商用 GaN 混合漏极嵌入式栅极注入晶体管 (HD-GIT) 的影响，当时的剂量为 5.9 × 10 14 p/cm 2。漏极漏电流、阈值电压和 I ds − V ds 曲线的测量表明，在考虑的剂量之后，GaN HD-GIT 的电性能仅发生微小变化；例如，辐照后阈值电压平均增加约 11-13 mV。我们还对质子辐照引起的性能退化提出了物理解释；尤其是高电场下 2DEG 通道中的电子漂移速度似乎由于辐射引起的声子弛豫速率增加而降低。最后，提出了一种使用 GaN HD-GIT 进行电流控制的 AC/DC LED 电源，用于 CERN 隧道的新型灯具，满足辐射硬度和光质量方面的要求。
高能质子辐照对GaN混合漏极的影响...
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