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World File Search System大面积
拓扑大面积伪...
Liu He , a Zhihao Lan , b, * Bin Yang, c Jianquan Yao, a Qun Ren, d,e Jian Wei You, e Wei E. I. Sha , f Yuting Yang, c, * and Liang Wu a, * a Tianjin University, Ministry of Education, School of Precision Instruments and Opto-Electronics Engineering, Key Laboratory of Opto-Electronics Information Technology Tianjin, China b University College London, Department of Electronic and Electrical Engineering, London, United Kingdom c University of Mining and Technology, School of Materials Science and Physics, Xuzhou, China d Tianjin University, School of Electrical and Information Engineering, Tianjin, China e Southeast University, School of Information Science and Engineering, State Key Laboratory of Millimeter Waves, Nanjing, China f Zhejiang University, College of Information Science and Electronic工程，中国杭州省微型电子设备和智能系统的主要实验室
大面积β-Ga2O3肖特基势垒二极管及其...
在过去的十几年中，β-Ga 2 O 3 器件特别是肖特基势垒二极管（SBD）发展迅速，性能得到显著提高，目前已接近SiC和GaN的性能[7−12]。目前大面积器件的研究主要集中在与边缘终端的结合[13−16]，用于大电流应用的基线器件或称无终端SBD很少研究。我们最近的工作表明，通过界面工程可以大大提高小面积SBD的性能[11]，这为大面积器件的发展带来了机会。具有无终端的高性能SBD或许更能体现Ga 2 O 3 SBD的应用潜力。总之，Ga 2 O 3 SBD的应用更为成熟，其应用潜力有待进一步论证。
大面积 CMOS 相机
LACera™ 代表着 CMOS 技术新时代的开始，由 Teledyne Imaging 独家开发和拥有。LACera 以 Teledyne 的 CCD 和 CMOS 传感器以及相机技术和设计为基础，在 CMOS 高级成像功能方面迈出了重要的一步，为下一代发现提供了可能。CMOS 传感器的挑战在于在扩展到更大尺寸时保持性能；特别是提供速度和低噪音架构的组合。LACera 凭借全局快门、18 位读出和辉光抑制技术，在数百万像素的规模上提供深度冷却、低噪音性能。LACera 代表了高级成像解决方案的关键要素，只有凭借 Teledyne 的性质和规模才有可能实现。从像素、传感器和 ROIC 设计，到低噪音电子器件，再到深度冷却和系统接口，Teledyne 是唯一一家能够在大尺寸 CMOS 中提供这种百分之百有机解决方案的公司。请留意 LACera 独家功能上显示的 LACera 徽标。
大面积特征和准确性...
德国汉诺威莱布尼茨大学摄影测量与地理信息研究所 jacobsen@ipi.uni-hannover.de 第一委员会，第一工作组 I/4 关键词：DHM、卫星图像、InSAR、分析 摘要：大面积覆盖高度模型主要基于光学和合成孔径雷达 (SAR) 空间图像。通过光学图像自动匹配确定的单个物体点的垂直精度在 1.0 地面采样距离 (GSD) 范围内，但这与高度模型的精度并不相同。除长波长 SAR 数据、P 波段和 L 波段外，所有高度模型最初都是数字表面模型 (DSM)，而不是最常要求的数字地形模型 (DTM)，其裸地高度必须通过过滤生成。此外，高度模型受插值的影响，从而降低了几何质量。分析了大面积覆盖高度模型的精度和特性，包括确定方法对细节的影响。此外，绝对精度还受地理参考质量的影响，地理参考质量部分基于直接传感器方向，部分基于地面控制点 (GCP) 或间接基于其他现有高度模型。对高度模型分辨率最重要的影响是 DHM 的点间距，但如果数据处理不当，细节也会丢失。所有高度模型在陡峭地形中的精度都较低，光学图像的匹配受物体对比度的影响，而 SAR 受重叠的影响。因此，高度模型中的空白通常会被其他数据填充，从而导致更多的异质性。1.简介
大面积多指β-Ga2O3 MOSFET及其自…
并取得了令人瞩目的成果[7−11]。为了最大限度地减少β-Ga2O3 MOSFET的SHE，已经提出了一些建设性的方法[12,13]，例如离子切割技术[14]、转移到异质衬底[15,16]和结构设计[17]。新的测量方法已经被用来表征β-Ga2O3 MOSFET的瞬态温度分布[18]。关于β-Ga2O3基MOSFET的大部分报道都集中在追求高PFOM和探索新的结构，然而实际应用中需要大面积结构来维持高的通态电流。对于大面积结构，由于表面积与体积比较小，SHE会比小器件更严重，值得研究。制备高性能大面积β-Ga2O3晶体管的主要挑战是材料生长的不均匀性和工艺流程的不稳定。有报道称，多指β-Ga2O3 MOSFET能够提供300 V的开关瞬变，电压斜率高达65 V/ns [19]，显示出巨大的潜力。尽管如此，电
大面积 InGaAs PIN 光电二极管
信息 xcelitas Technologies 的大面积 PIN 光电二极管类型 C30619GH、C30641GH、C30642GH、C30665GH 和 C30723GH 是高响应、低电容 InGaAs 探测器。它们专为测量应用而设计，如光功率计、光纤测试设备、近红外光谱和仪器。它们的平面钝化结构具有低电容以扩展带宽和高分流电阻以实现最大灵敏度。典型设备对大于 +13dBm (20 mW) 的光功率具有 1% 以上的非线性，并且在整个探测器有效面积上具有 2% 以内的均匀性。我们的大面积 InGaAs 设备在 850 nm 处的典型响应度为 0.2 A/W，允许在设计为在 850 nm、1300 nm 和 1550 nm 下工作的光纤测试仪器中使用单个探测器。提供可选的超低电容设备（-LC 选项）。它们电容只有标准类型电容的一半，因此 3 dB 带宽是其两倍。这些器件的有效面积从 0.5 mm 到 5.0 mm，采用密封 TO 封装。Excelitas 认识到不同的应用具有不同的性能要求，因此提供了这些光电二极管的各种定制以满足您的设计挑战。响应度和噪声筛选、定制器件测试、TEC 冷却器件和结合带通滤波器是许多可用的特定于应用的解决方案中的一部分。测试方法 Excelitas 会验证每台器件的电光规格。制造过程中的目视检查按照我们的质量标准进行，并剔除不合格器件。Excelitas Technologies 经过 ISO-9001 认证，光电二极管设计符合 MIL-STD-883 和/或 MIL-STD-750 规格。包装和运输所有大面积 InGaAs PIN 二极管都装在 ESD 安全塑料托盘中运输。
L3Harris PANTHR™ 大面积显示器 (LAD)
PANTHR™ 大面积显示器 (LAD) 是一种独立的、容错的多功能显示器。它是一种最具价值的解决方案，可在卓越性能、生命周期可承受性、低风险和长期可支持性之间实现最佳平衡。 PANTHR 显示器可在单个单片 2560 X 1024 有源矩阵 LCD 上显示来自最多四个外部源的清晰、清晰的高保真图形和视频。PANTHR 独特的“全屏”容错功能可提供无与伦比的可靠性，并可无限使用整个显示器。
e-LAD - 大面积显示器。数字化设计。
.5 s KT-02 der hol e -M v 21 itc e p s r .n o ti P E ere a h m t or of of of f i n , ley abtar lic re i p p re ap orp s e h r he ot or, w nd anies s a m e p m it Syst liated cobl i s E ff ni a a ts nt o c ., i Ltd re hu s m c e ot r s b y s S i h ti T b l .1 E 2 of 0 2 .© arks ce m oti e civ n r ut e 或 s hti o s w ker r ng m a de ch ra or t f e t h e ec j ar b u d is s niere h n ， a y ing ln a e app on it es e m r ofn lare ne g s tn am i ocess pro d n ct ， service ， a docum du si pro ht i nd ， n a o r it o b og a rm l fo e in h l T Al
基于...的大面积QHE器件的制作与研究
1 阿尔托大学微纳米科学系，Micronova，Tietotie 3，02150，埃斯波，芬兰 2 联邦物理技术研究院，Bundesallee 100，38116 不伦瑞克，德国 3 MIKES，Tekniikantie 1，FI-02150，埃斯波，芬兰 电子邮件：novikov@aalto.fi，alexandre.satrapinski@mikes.fi 摘要 — 基于在 SiC 上生长的外延石墨烯膜的量子霍尔效应 (QHE) 器件已被制造和研究，以开发 QHE 电阻标准。霍尔器件中的石墨烯-金属接触面积已得到改进，并使用双金属化工艺制造。测试器件的初始载流子浓度为 (0.6 - 10)·10 11 cm -2，在相对较低的 (3 T) 磁场下表现出半整数量子霍尔效应。光化学门控方法的应用和样品的退火为将载流子密度调整到最佳值提供了一种方便的方法。在中等磁场强度 (≤ 7 T) 下对石墨烯和 GaAs 器件中的量子霍尔电阻 (QHR) 进行精密测量，结果显示相对一致性在 6 · 10 -9 范围内。索引术语 - 外延石墨烯、石墨烯制造、接触电阻、精密测量、量子霍尔效应。
大面积和低噪声Ingaas雪崩光电二极管
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