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图2：从有或不包含强度定律方程的五个模型的预测孔隙率值的比较：（a）CNN，（b）knn，（c）lstm，（d）RF和（e）xgboost。将强度定律方程组合为输入的图可显着提高预测的准确性，从而与真实的孔隙率值更紧密地对齐。
热电应用的Weyl和Dirac半法
Weyl和Dirac半学，其特征在于其独特的带状结构在费米水平（E F）附近具有线性能量色散（E VS K），已成为基于热电材料的下一代技术的有前途的候选者。它们的出色电子特性，尤其是较高的载流子迁移率和实质性的浆果曲率，它提供了潜在的潜力，可以超越常规热电材料固有的局限性。对这些材料基础的基本物理学的全面理解至关重要。本章主要集中在Weyl和Dirac半法的拓扑特性和独特的电子带结构中，提供了一个理论框架，用于理解其热电传输特性，例如Seebeck系数，电导率和导热性。浆果曲率在增强旁观系数的同时降低导热率的同时是关键重点。
电子应用的聚合物基质复合材料
聚合物复合材料（PC）的多功能性不再隐藏，因为这些几乎在当代社会的每个领域中都发现了应用程序，包括电子电路零件和广泛的家庭配件。聚合物复合材料由基质聚合物组成，该基质聚合物嵌入了多个连续的，小长度纤维中的聚合物基质中。除此之外，还添加了导电的聚合物作为填充物作为填充物。在本研究中，讨论了聚合物复合材料的发展，特征，生产和应用。 涉及聚合物复合材料的保暖塑料或热塑性塑料。 碱基聚合物的特性在用添加剂和提高强度，刚度和断裂韧性的增强方面得到了极大的增强。 除了加工参数以外，用于制造复合材料的制造过程极大地影响了最终产品的特征。 PC在汽车，航空，海洋，运动器材，生物医学仪器和电子电路板制造业中找到应用。 用于微电子应用的填充加固聚合物复合材料的巨大潜力是本研究的重点。 热塑性塑料和热固性聚合物的复合材料被用作包装材料，可在运输过程中增强包装产品的安全性。 导电聚合物复合材料作为温度传感器，断路器和可重复的熔断器找到应用。在本研究中，讨论了聚合物复合材料的发展，特征，生产和应用。涉及聚合物复合材料的保暖塑料或热塑性塑料。碱基聚合物的特性在用添加剂和提高强度，刚度和断裂韧性的增强方面得到了极大的增强。除了加工参数以外，用于制造复合材料的制造过程极大地影响了最终产品的特征。PC在汽车，航空，海洋，运动器材，生物医学仪器和电子电路板制造业中找到应用。用于微电子应用的填充加固聚合物复合材料的巨大潜力是本研究的重点。热塑性塑料和热固性聚合物的复合材料被用作包装材料，可在运输过程中增强包装产品的安全性。导电聚合物复合材料作为温度传感器，断路器和可重复的熔断器找到应用。聚合物复合材料具有良好的热导率和所需的电气和介电特性，可增强其对微电动功能的适用性。
b“全球对化石燃料枯竭和相关环境恶化的担忧刺激了人们对可再生和清洁能源的探索和利用进行了大量研究。能量存储和能量转换是当今可持续和绿色能源科学中最重要的两项技术，并在日常应用中引起了极大的关注。迄今为止，大量新型纳米材料已被广泛探索用于这些与能源相关的领域，然而，每种材料都有自己的问题，限制了它们满足高性能能量存储和转换设备要求的能力。为了满足未来与能源相关的应用的高技术要求，迫切需要开发先进的功能材料。在此，本期特刊旨在涵盖原创研究成果、简短通讯和多篇评论，内容涉及先进异质结构材料的合理设计和可控合成的创新方法及其在能源相关领域（如可充电电池、超级电容器和催化等）的吸引人的应用。”
b“全球对化石燃料枯竭和相关环境恶化的担忧刺激了人们对可再生和清洁能源的探索和利用进行了大量研究。能量存储和能量转换是当今可持续和绿色能源科学中最重要的两项技术，并在日常应用中引起了极大的关注。迄今为止，大量新型纳米材料已被广泛探索用于这些与能源相关的领域，然而，每种材料都有自己的问题，限制了它们满足高性能能量存储和转换设备要求的能力。为了满足未来与能源相关的应用的高技术要求，迫切需要开发先进的功能材料。在此，本期特刊旨在涵盖原创研究成果、简短通讯和多篇评论，内容涉及先进异质结构材料的合理设计和可控合成的创新方法及其在能源相关领域（如可充电电池、超级电容器和催化等）的吸引人的应用。”
用于量子信息应用的全耗尽绝缘体上硅器件中量子点的工业方法
使用在低温下运行的先进互补金属氧化物半导体 (CMOS) 技术实现基于量子点的电子自旋量子比特，可以实现大规模自旋量子比特系统的可重复和高通量工业制造。采用纯工业 CMOS 制造技术制造的硅基量子点架构的开发是朝着这个方向迈出的重要一步。本论文研究了意法半导体公司（法国克罗尔）的 28 nm UTBB（超薄体和埋氧化物）全耗尽绝缘体上硅（FD-SOI）技术的潜力，以实现明确定义的量子点，能够实现自旋量子比特系统。在此背景下，在 4.2 K 下对 FD-SOI 微结构进行了霍尔效应测量，以确定量子点应用的技术节点的质量。此外，还介绍了一种针对量子设备实施而优化的集成工艺流程，该工艺流程仅使用硅铸造方法进行大规模生产，重点是降低制造风险和总体交货时间。最后，设计了两种不同几何形状的 28 nm FD-SOI 量子点器件，并研究了它们在 1.4 K 下的性能。作为 Nanoacademic Technologies、Institut quantique 和 STMicroelectronics 合作的一部分，开发了 3D QT-CAD（量子技术计算机辅助设计）模型，用于建模 FD-SOI 量子点器件。因此，除了通过传输测量和库仑阻塞光谱对测试结构进行实验表征之外，还使用 QTCAD 软件对其性能进行建模和分析。这里介绍的结果证明了 FD-SOI 技术相对于其他量子计算应用方法的优势，以及在此背景下 28 nm 节点的已知局限性。该工作为基于较低技术节点的新一代FD-SOI量子点器件的实现铺平了道路。
适用于特殊 FIB 应用的硼液态金属合金离子源
聚焦离子束 (FIB) 装置是一项关键技术，在纳米技术领域已得到广泛应用，可用于局部表面改性、掺杂、原型设计以及离子束分析。这种 FIB 系统的主要组成部分是离子源及其可用的离子种类 1 。目前，大多数仪器都采用 Ga 液态金属离子源 (Ga-LMIS)，但对其他离子种类的需求仍在增加 2 。一种非常受关注的元素是硼，它是元素周期表中最轻的元素之一，在微电子学中已得到广泛应用，可通过注入或扩散在硅中进行 p 型掺杂 3 。人们长期以来一直对硼在 LMAIS 中的应用感兴趣，并为此付出了很多努力，通过 FIB 对材料进行局部改性，从而避免 B 宽束注入和光刻步骤。硼有两种稳定同位素，质量为 10 u（19.9% 天然
用于 LiDAR 应用的盖革和线性模式的微芯片激光器和雪崩光电二极管面包板
1 里斯本大学理学院天体物理和引力中心 (CENTRA)，坎普大区，里斯本 1749-016，葡萄牙； ana.sousa@synopsisplanet.com （广告）; pintografael@gmail.com （RP）; bac@sim.ul.pt （BC）; bnarribas@gmail.com（印度）； hugo.onderwater@synopsisplanet.com （HO）; prgordo@fc.ul.pt (PG) 2 Synopsis Planet，Advance Engineering Unipessoal LDA，2810-174 Almada，葡萄牙 3 里斯本大学科学学院天体物理和空间科学研究所，Campo Grande，1749-016 Lisbon，葡萄牙； maabreu@fc.ul.pt 4 里斯本大学高等技术学院（IDMEC），Av. Rovisco Pais 1, 1049-001 里斯本，葡萄牙 5 蔚蓝海岸大学，蔚蓝海岸天文台，法国国家科研中心，拉格朗日实验室，06304 尼斯，法国； patrick.michel@oca.eu * 通信地址：ruimelicio@gmail.com;电话：+351-218-417-351
多尺度大脑建模：用于临床和技术应用的桥接显微镜和宏观脑动力学
大脑的复杂组织从神经元内的分子级过程到大型网络，因此必须了解这种多尺度结构以发现大脑功能并解决神经系统疾病至关重要。多尺寸的大脑建模已成为一种变革性方法，将计算模型，高级成像和大数据集成以弥合这些组织水平。本评论探讨了将微观现象与宏观大脑功能联系起来的挑战和机遇，并强调了推动领域进步的方法。它还强调了多尺度模型的临床潜力，包括它们在推进人工智能（AI）应用程序和改进医疗保健技术中的作用。通过检查当前的研究并提出了跨学科合作的未来方向，这项工作展示了多尺度大脑建模如何彻底改变科学的理解和临床实践。
用于 mmW 应用的 C 掺杂 AlN/GaN HEMT 与 AlN/GaN/AlGaN 双异质结构的比较
摘要 — 我们报告了使用两种缓冲层用于毫米波应用的超薄（亚 10 nm 势垒厚度）AlN/GaN 异质结构的比较结果：1) 碳掺杂 GaN 高电子迁移率晶体管 (HEMT) 和 2) 双异质结构场效应晶体管 (DHFET)。观察到碳掺杂 HEMT 结构表现出优异的电气特性，最大漏极电流密度 I d 为 1.5 A/mm，外部跨导 G m 为 500 mS/mm，最大振荡频率 f max 为 242 GHz，同时使用 120 nm 的栅极长度。C 掺杂结构在高偏压下提供高频性能和出色的电子限制，可在 40 GHz 下实现最先进的输出功率密度（P OUT = 7 W/mm）和功率附加效率 (PAE) 组合，在脉冲模式下高达 V DS = 25V 时高于 52%。