聚焦离子束 (FIB) 装置是一项关键技术,在纳米技术领域已得到广泛应用,可用于局部表面改性、掺杂、原型设计以及离子束分析。这种 FIB 系统的主要组成部分是离子源及其可用的离子种类 1 。目前,大多数仪器都采用 Ga 液态金属离子源 (Ga-LMIS),但对其他离子种类的需求仍在增加 2 。一种非常受关注的元素是硼,它是元素周期表中最轻的元素之一,在微电子学中已得到广泛应用,可通过注入或扩散在硅中进行 p 型掺杂 3 。人们长期以来一直对硼在 LMAIS 中的应用感兴趣,并为此付出了很多努力,通过 FIB 对材料进行局部改性,从而避免 B 宽束注入和光刻步骤。硼有两种稳定同位素,质量为 10 u(19.9% 天然
主要关键词