XiaoMi-AI文件搜索系统
World File Search SystemFIB
适用于特殊 FIB 应用的硼液态金属合金离子源
聚焦离子束 (FIB) 装置是一项关键技术，在纳米技术领域已得到广泛应用，可用于局部表面改性、掺杂、原型设计以及离子束分析。这种 FIB 系统的主要组成部分是离子源及其可用的离子种类 1 。目前，大多数仪器都采用 Ga 液态金属离子源 (Ga-LMIS)，但对其他离子种类的需求仍在增加 2 。一种非常受关注的元素是硼，它是元素周期表中最轻的元素之一，在微电子学中已得到广泛应用，可通过注入或扩散在硅中进行 p 型掺杂 3 。人们长期以来一直对硼在 LMAIS 中的应用感兴趣，并为此付出了很多努力，通过 FIB 对材料进行局部改性，从而避免 B 宽束注入和光刻步骤。硼有两种稳定同位素，质量为 10 u（19.9% 天然
使用蔡司 Crossbeam 激光进行 FIB 研究的陶瓷预处理
图 6：以 100 kHz 和 500 mm/s 的速度进行粗铣后，a) 氧化锆、b) 氮化硅、c) 镁橄榄石和 d) PZT 的铣削和表面结果，所有样品的表面质量均光滑；SEM、SE 图像。
碳纤维及先进复合材料
TCM 善于充分利用多年来在赛车开发中培养的减重设计和技术以及碳纤维增强塑料成型和加工技术。它极大地提高了汽车、摩托车、飞机、航空航天、无人机、铁路、工业设备、医疗设备和体育等各个行业中使用的各种零件和结构的性能。这归功于其在精密复杂零件和大型结构的设计、分析、试制和量产方面的专业知识。其产品在日本开发、设计和试制，并在其位于泰国的子公司 Carbon Magic Thailand 采用优化的流程和尖端设备进行量产。
娱乐沙滩中的微生物危害
FIB的存在表明粪便污染和病原微生物存在的潜力。大肠杆菌，粪便大肠菌群和肠球菌通常被测量。如果有粪便污染的目的来源（例如，野生动植物粪便沉积，污水或污染的雨水流出）或浓缩有机物（尤其是海藻），则可能会在海滩上发生“高纤维数”。当波能量低时，潮间带可能会成为污染的热点，此外，风暴会导致纤维浓度在沙滩上升高。使用FIB作为指标存在一些问题；他们没有提供有关粪便污染来源的信息，死亡率与病毒和原生动物病原体不同，某些物种或菌株可能在环境中归化，并且没有表明潜在的
内容 - 比勒陀利亚大学
Shekhovtsova JA、Kovtun MN 和 Kearsley EP。2016 年。通过耐久性指数、加速钢筋腐蚀和碳化试验对碱激活粉煤灰和 OPC 粉煤灰混合混凝土进行比较研究。FIB 2016 年研讨会论文集 - 基于性能的混凝土结构方法。FIB - 国际混凝土联合会/国际结构混凝土联合会。
聚焦离子束沉积碳铂纳米线用于低温电阻测温
我们研究了聚焦离子束沉积碳铂 (FIB C-Pt) 复合材料作为低温灵敏局部微温度计的用途，该复合材料可在器件制造的任何阶段无需使用掩模进行沉积。FIB 沉积是获得纳米级欧姆接触的常用方法 [20]。因此，它在这方面得到了广泛的研究。特别是，已经研究了 FIB C-Pt 的电阻率与成分 [21, 22, 23]、温度 [24, 25, 26, 27]、尺寸 [28, 29] 和沉积参数 [30, 31] 的关系。然而，FIB C-Pt 作为低温电阻温度计的潜力从未被研究过。虽然复合系统代表了一种新型的片上测温方法，但其成分元素 Pt [32, 33, 34, 35, 36, 37] 和 C [32, 38, 39] 已被用作电阻温度计，用于各种应用。对于纯 Pt 温度计，与大多数金属温度计一样，
补充信息，以控制相变的约瑟夫森连接处半流通状态的可控操作
所研究的设备包含平面JJS，由厚度为70 nm的NB膜制成。该胶片是通过在氧化的Si晶片上在室温下在室温下溅射沉积的。首先通过光刻和活性离子蚀刻将薄膜构成约6 µm宽的桥梁，然后由Ga+聚焦离子束（FIB）FEI NOVA 200。JJS具有可变的厚度桥结构。它们是通过通过fib在NB层中切一个狭窄的凹槽而制成的。单线切割，名义宽度为零，在10 pA和30/10 kV加速电压下进行。蚀刻时间是自动限制的。“长” JJ2是使用30 kV梁制成的，其斑点尺寸约为7 nm，而“短” JJ1是用10 kV fib制成的，其斑点大小约为两倍。由于NB的重新沉积，FIB切割的深度在纵横比（深度/宽度）〜2处是自限制（请参阅参考文献中的讨论[1]）。结果，JJ1既比JJ2更宽又深，如图3（a），导致临界电流的相应差异。
1基于MG的液体金属离子源的比较。
我们比较了各种基于镁的液体金属合金离子源（LMAI）的适用性，以便于GAN的可伸缩聚焦离子梁（FIB）植入掺杂。我们考虑GAMG，MGSO 4•7H 2 O，MGZN，ALMG和AUMGSI合金。尽管遇到了氧化问题（GAMG），分解（MGSO 4•7H 2 O）和蒸气压力过大（MGZN和ALMG），但在Wien滤波器滤波器柱中运行的Aumgsi合金LMAIS在一个单独的和二型和二型芯片态度中均具有所有mg isotopes。我们讨论了实现<20nm斑点尺寸Mg Fib植入的工作条件，并通过飞行时间二级离子质谱法（TOF-SIMS）呈现MG深度谱图数据。我们还可以洞悉植入损伤和基于快速热处理前后的阴极发光（CL）光谱的恢复。前景。