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为确定不受控制的长期休眠存储对塑料封装微电路的影响，应用物理实验室评估了来自多家制造商和采用多家技术的 92 个商用样品，一些样品已有 28 年历史。假设是，如果旧部件在经过 20 或 30 年不受控制的长期休眠存储后没有性能下降，那么目前性能优越得多的产品将在类似条件下存活类似时间。破坏性物理分析的结果表明，只有两个塑料封装微电路（均为 28 年）出现了腐蚀。无论使用年限如何，C 型扫描声学显微镜检查都发现大多数部件都有分层区域，这表明该技术可能不是筛查塑料封装微电路的好方法。未发现腐蚀和水分含量之间的直接关系。此外，发现氧等离子蚀刻是对塑料封装微电路进行破坏性物理分析的一种非常有效的方法。 （关键词：塑料封装微电路、海军航空、长期休眠存储。）
适用于海军航空应用的商用塑料封装微电路
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