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为确定不受控制的长期休眠存储对塑料封装微电路的影响,应用物理实验室评估了来自多个制造商和技术的 92 个商业样品,其中一些样品已有 28 年历史。假设是,如果旧部件在 20 或 30 年不受控制的长期休眠存储后没有退化,那么目前性能优越得多的产品将在类似条件下存活类似的时间。破坏性物理分析的结果表明,只有两个塑料封装微电路(均为 28 年)出现腐蚀。无论年龄如何,C 模式扫描声学显微镜都显示大多数部件都有分层区域,这表明该技术可能不是筛选塑料封装微电路的好方法。未发现腐蚀和水分含量之间的直接关系。此外,氧等离子蚀刻被发现是一种对塑料封装微电路进行破坏性物理分析的非常有效的方法。(关键词:塑料封装微电路、海军航空、长期休眠存储。)

用于海军航空应用的商用塑料封装微电路

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