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摘要 SCD 在过去几年中开发了一系列间距为 10 µm 的中波红外 (MWIR) 波段数字红外探测器，具有多种阵列格式（1920×1536、1280×1024 和 640×512），并配备两种类型的传感阵列（InSb 和 XBn-InAsSb），适用于各种电光 (EO) 系统。InSb 光电二极管阵列基于 SCD 成熟的平面植入 p-n 结技术，该技术覆盖整个 MWIR 波段，设计工作温度为 77K。获得专利的 XBn-InAsSb 屏障探测器技术覆盖了 MWIR 波段的蓝色部分，并提供与平面 InSb 相当的电光性能，但工作温度高达 150 K。两种传感阵列 InSb 和 XBn 均采用倒装芯片接合到我们的 0.18 μm CMOS 技术读出集成电路 (ROIC)。然后将 FPA 组装到定制设计的杜瓦瓶中，这种杜瓦瓶可以承受恶劣的环境条件，同时最大限度地降低探测器的热负荷。专用的近距离电子板为 ROIC 提供电源和定时，并支持通信和视频输出到系统。该系列探测器配有各种低温冷却器和高度灵活的外壳设计，可覆盖广泛的 EO 应用。尺寸较小的探测器特别适用于更紧凑、成本更低的应用，例如微型有效载荷、武器瞄准器、手持式相机和遥控武器站。使用 XBn- InAsSb 传感材料，可提高 F
适用于 MWIR 应用的 10µm 间距探测器
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