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应用于干涸的马尔底部
（DSM）是位于墨西哥帕兰格奥的 1.2 千米×1.2 千米干涸的玛珥湖底部的影像。这个玛珥湖的独特之处在于它展示了大量与活跃变形和高反照率沉积物相关的结构。我们使用了一架小型无人机（四轴飞行器）和一台消费级相机，通过使用商用软件 PhotoScan Pro 中的运动结构 (SfM) 算法，开发了分辨率为 4.7 厘米的 DSM 和正射影像。使用 RTK GPS 测量的 31 个地面控制点的坐标，DSM 残差在水平方向上的 RMSE=3.3 厘米，平均值为 2.6 厘米，在垂直方向上的 RMSE=1.8 厘米，平均值=-0.3 厘米。利用这种方法，我们能够构建一个前所未有的详细三维模型，显示由于干床湖的主动变形而形成的所有结构（裂缝、穹顶和悬崖）。我们得出结论，使用 UAV 和 SfM 可以提供精确的高分辨率 DSM，即使在表面反射率高的地区也可以以低成本获得。此外，这种方法可以应用于不同的日期，以创建高分辨率 DSM 的时间序列，可用于确定主动变形区域的沉降或隆升速率。
威斯康星州莱克县底部
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深井底部宽度的无损测量...
Charavel, R. 等人。下一代深沟槽隔离，适用于具有 120 V 高压设备的智能电源技术。微电子可靠性 50，1758–1762（2010 年）。Voldman, SH 新型接触式多晶硅填充深沟槽 (DT) 偏置结构及其电压偏置状态对 CMOS 闩锁的影响。2006 年 IEEE 国际可靠性物理研讨会论文集 151–158（2006 年）。doi：10.1109/RELPHY.2006.251208。
从底部构建图案：光刻的补充方法
几年前，DSA 被提议作为一种有前途的互补图案化选择。DSA 基于一类称为嵌段共聚物 (BCP) 的分子的自组装特性。在适当的情况下，这些材料在涂覆到晶圆上时会发生微相分离。这会产生具有 5-30 纳米特征的规则纳米尺寸图案。可以通过调整聚合物的成分及其尺寸来设计图案。可以使用线/空间或孔的预图案进一步引导（定向）该组装 - 这两种结构是半导体行业感兴趣的。最终图案的间距将比导向模板小得多。因此，DSA 是一种非传统的自下而上的技术，可以提高图案的密度和分辨率。
从底部拖网的二氧化碳排放的潜力...
氧气通过在呼吸过程中加速电子的转移来帮助生物产生能量。由于呼吸，微生物和海床的土壤动物自然释放二氧化碳。在有许多动物和有机碳的栖息地中，您通常具有海床的总呼吸（动物 +细菌）和高CO 2排放/排放。这种排放量最高，在海底的上层中，氧气大量存在，并且较高的温度加快了溶解的速度。在富含有机物质的细小沉积物中，氧气通常仅穿透表面下的1 mm。没有氧气，某些微生物仍然可以破坏有机碳，但是该过程要慢得多。如果干扰将有机碳暴露于氧气中，它将更快地分解为Co 2。
成功在金字塔市场底部有利可图的策略
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倒装芯片底部填充 RF 特性
摘要 为了开发可靠的高速封装，倒装芯片工艺中使用的底部填充材料的特性分析变得越来越重要。底部填充材料通常是一种环氧树脂基材料，可为封装上的集成电路 (IC) 提供热和结构优势。由于如此多的输入和输出 (IO) 彼此靠近，封装上的集成电路可能会出现意外的信号和电源完整性问题。此外，芯片封装只能支持最高频率的信号，在此频率下噪声耦合（例如串扰、开关噪声等）会导致系统故障。垂直互连（例如通孔和焊料凸块）是噪声耦合的主要来源。在每个信号网络之间插入接地参考是不切实际的。对于焊料凸块，噪声耦合取决于底部填充材料的介电常数。因此，表征底部填充材料的介电常数有助于预测信号和电源完整性问题。这种液体或半粘性材料通常通过浸入材料中的开端同轴探针的简单边缘电容模型来表征。但是，开口同轴方法不如基于谐振器的方法准确。需要一种方法来准确提取高频下液体或半粘性材料的介电常数。所提出的方法使用实壁腔体谐振器，其中谐振器用底部填充材料填充并固化。介电特性分析是一个复杂的过程，其中必须了解或准确测量腔体的物理特性。这包括导体的电导率、导体的粗糙度、腔体的尺寸和端口引脚位置。本文讨论了在使用腔体谐振器表征介电体时遇到的一些挑战。这种表征方法也可用于表征其他感兴趣的材料。关键词介电体、倒装芯片、介电常数、谐振器、底部填充。
封装堆叠 (POP) 底部填充工艺 ...
摘要 近年来，电子行业的发展引入了多堆叠球栅阵列 (BGA)，以满足消费者对高性能和小尺寸芯片封装日益增长的需求。本研究重点是对使用材料坝法的封装堆叠 (PoP) 底部填充工艺进行了初步研究。底部填充工艺考虑使用高粘度类型的底部填充材料。在当前的实验工作中，由于 L 路径分配方法具有优势，因此选择了该方法，如前文所述。材料坝法用于防止底部填充材料向后移动并从分配区域流出。材料坝建在 PoP 封装周围。根据循环时间和横向搭接分析了底部填充工艺的有效性，这两个因素是材料选择的重要因素。实验结果表明，缓慢的底部填充流动可能导致材料在分配工艺仍在进行时快速硬化。这种情况限制了底部填充流动并在 PoP 封装中产生空隙。材料坝法成功增强了第 3 层和第 4 层堆叠封装的底部填充工艺。本研究旨在提供堆叠PoP封装的初步底部填充工艺，为微电子行业的工程师提供参考。关键词：堆叠PoP封装、底部填充工艺、L路径分配法、材料坝法、球栅阵列。
锂和钠离子电池存储的底部成本分析
电池越来越被视为能量过渡快速进展中必不可少的元素。随着对全球需求的预测，到2030年将达到2个TWH，并增加了对电池制造商的政策支持，因此，关于电池制造业当前的快速扩展是否可持续发展，出现了许多疑问。有关供应链稳定性和能源安全问题的稳定性问题，导致人们对替代电池技术的关注不断扩大。钠离子细胞通常被认为是针对锂离子电池行业面临的许多当前问题的潜在解决方案。随着钠离子细胞的商业化，本论文希望通过自下而上的制造和钠层的氧化钠和钠分层氧化物的自下而上的制造和区域成本分析来探索商业钠离子细胞的生存能力。为了说明区域电池制造的更定性方面，简要探讨了当前的政策框架和供应链。