XiaoMi-AI文件搜索系统
World File Search System底部
SPK11R1LM4H-1低功率多模数数字底部port sisonic™麦克风
Parameter Symbol Conditions Min Typ Max Units Supply VoltageVdd1.621.81.98VLow Frequency RolloffLFRO-3dB relative to 1 kHz-20-HzHigh Frequency Flatness+3dB relative to 1 kHz-15-kHzResonant Frequency PeakFresFree Field response-29-kHzLatency@ 4kHz, Fclock = 2.4 MHz-3-μsDC OffsetSEL = 0 / SEL = 1: Fullscale = ±100%-0.0 / -0.39-%DirectivityOmnidirectionalPolarityIncreasing sound pressureIncreasing density of 1'sData Format½ Cycle PDMSensitivity DropVdd(min) ≤ Vdd ≤ Vdd(max)--±0.25dBClock Input CapacitanceCin-8-pFData Output CapacitanceCout-60-pFData Output LoadCload--110pFSELECT (high)Vdd-0.2-VddVSELECT (low)-0.3-0.2VShort Circuit CurrentIscGrounded DATA pin1-20mAFall-asleep Time3,4Fclock < 1kHz--10msWake-up Time3,5Fclock ≥ 380kHz--20msStartup Time3Powered Down →活动，最终值的1dB不超出20mstime到第一个数据位，从有效的VDD和CLK到第一个逻辑位在数据线上驱动到第一个逻辑位。输出为直到第一个数据位为止。初始输出位代表静音音频。音频数据将遵循启动时间。23MMSMODE-CHANGE TIME3，6LOW POWER MODE模式⇔快速模式 - 20ms
电子制造应用中的底部填充材料分配
在某些应用中，无流动底部填充比毛细管流动底部填充更受青睐，因为其独特的特性和优势与制造工艺和性能要求非常吻合。在产量和效率至关重要的大批量生产环境中，无流动底部填充可以通过减少工艺步骤和处理操作来简化制造工艺。在高度自动化的装配线上，这可以节省大量时间和成本。在空间非常宝贵的地方，例如在移动设备、可穿戴电子产品和其他紧凑型消费电子产品中，能够通过一个步骤应用底部填充是非常有利的，因为减少的处理和加工还可以帮助保持小而精密的组件的完整性。对于 BGA 和芯片级封装组件，无流动底部填充也是一个优势。它能够在同一步骤中流动和固化，确保所有细间距连接都得到正确封装，而无需额外的工艺复杂性。
底部反射器增强的光栅耦合器Micro- ...
nitride（Si 3 N 4）已成为综合光子学的广泛利用材料[1]。在近红外且可见的范围中，其低损失和转移良好的新兴应用，例如生物传感[2]，电信[3]和量子计算[4]。此外，Si 3 N 4与互补的金属 - 氧化物 - 氧化型（CMOS）织物兼容，从而实现了大规模的制造。然而，由于模式区域之间的错误匹配，高索引对比度SI 3 N 4波导和光纤维之间的光偶联仍然具有挑战性。光栅耦合器通常用于促进片上波导和光纤维之间光的垂直耦合。具有蚀刻到引导层的周期性结构，在波导中传播的光可以向上衍射朝向光学纤维，反之亦然。与使用边缘耦合器的水平耦合相比，垂直
底部和悬浮的沉积物反向散射测量值 - 定量床和水柱特性
1应用地质与地球物理学系，三角洲，3584 BK UTRECHT，荷兰2地球科学与环境变化系，伊利诺伊大学伊利诺伊大学乌尔巴纳 - 奇普恩大学，香槟，香槟，伊利诺伊州61801，美国3大陆货架服务marc.roche@economie.fgov.be 4独立研究员，法国Locmaria-Plouzane 29280； Xavier.lurton@orange.fr 5Françaisde Recherche Pour l'eploitation de la Mer（Ifremer），法国Plouzane 29280； laurent.berger@ifremer.fr（L.B.）6赫尔大学的能源与环境研究所，英国赫尔Hu6 7rx，7Thünen海洋渔业研究所，27572，德国Bremerhaven，德国8 Scripps海洋学研究所，综合海洋学，加利福尼亚大学，加利福尼亚大学，加利福尼亚大学，圣地亚哥大学，CA 92037，US A 9 Kongsberg Discovery，22529 Hamburg，Ferverg，Ferverg，Ferver， peer.fietzek@kd.kongsberg.com 10沿海结构与浪潮部，三角洲，荷兰2629 HV代尔夫特； mark.kleinbreteler@deltares.nl *通信：thaienne.vandijk@deltares.nl;电话。 ： +31-6-5289-0378†这些作者对这项工作也同样贡献并共享第一作者。 ‡目前退休。 §当前地址：拉夫堡大学，拉夫伯勒大学，拉夫堡大学3TU，英国，地理与环境。6赫尔大学的能源与环境研究所，英国赫尔Hu6 7rx，7Thünen海洋渔业研究所，27572，德国Bremerhaven，德国8 Scripps海洋学研究所，综合海洋学，加利福尼亚大学，加利福尼亚大学，加利福尼亚大学，圣地亚哥大学，CA 92037，US A 9 Kongsberg Discovery，22529 Hamburg，Ferverg，Ferverg，Ferver， peer.fietzek@kd.kongsberg.com 10沿海结构与浪潮部，三角洲，荷兰2629 HV代尔夫特； mark.kleinbreteler@deltares.nl *通信：thaienne.vandijk@deltares.nl;电话。： +31-6-5289-0378†这些作者对这项工作也同样贡献并共享第一作者。‡目前退休。§当前地址：拉夫堡大学，拉夫伯勒大学，拉夫堡大学3TU，英国，地理与环境。
深井底部宽度的无损测量...
Charavel, R. 等人。下一代深沟槽隔离，适用于具有 120 V 高压设备的智能电源技术。微电子可靠性 50，1758–1762（2010 年）。Voldman, SH 新型接触式多晶硅填充深沟槽 (DT) 偏置结构及其电压偏置状态对 CMOS 闩锁的影响。2006 年 IEEE 国际可靠性物理研讨会论文集 151–158（2006 年）。doi：10.1109/RELPHY.2006.251208。
威斯康星州莱克县底部
。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 1. 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 2. 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 4. 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 8. 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 12. 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 14. 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 17. 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 22. 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 24. 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 30 . 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 31
锂和钠离子电池存储的底部成本分析
电池越来越被视为能量过渡快速进展中必不可少的元素。随着对全球需求的预测，到2030年将达到2个TWH，并增加了对电池制造商的政策支持，因此，关于电池制造业当前的快速扩展是否可持续发展，出现了许多疑问。有关供应链稳定性和能源安全问题的稳定性问题，导致人们对替代电池技术的关注不断扩大。钠离子细胞通常被认为是针对锂离子电池行业面临的许多当前问题的潜在解决方案。随着钠离子细胞的商业化，本论文希望通过自下而上的制造和钠层的氧化钠和钠分层氧化物的自下而上的制造和区域成本分析来探索商业钠离子细胞的生存能力。为了说明区域电池制造的更定性方面，简要探讨了当前的政策框架和供应链。
AI Technology 应力消除液体毛细管底部填充
用于倒装芯片和板载BGA的创新型底部填充膜和浆料 先进电子封装保护 AI Technology的底部填充材料采用分子结构设计，具有无与伦比的能力，可为芯片和元件焊接互连提供压缩应力，同时在热循环和操作过程中吸收平面剪切应力。设计的分子结构不仅具有高Tg，而且还具有出色的防潮性能和低吸湿性，可实现MSL 1级元件级可靠性。这些功能是通过非常规聚合物工程和设计实现的。AI Technology先进的微电子保护产品已在军用和先进商用设备上证明了其性能。创新的底部填充解决方案：
Fetch AZA – 自校准底部压力记录仪
特性 类型 8306 深度额定值 3,000 m 工作频率 MF (20–34 kHz) 换能器波束形状 定向/全向 发射源级别 (dB re 1 µPa @ 1 m) 190–202/187–196 dB 接收灵敏度 (dB re 1 µPa) <85 dB 通信 声学调制解调器和蓝牙无线 电池寿命 (锂电池) 典型 10 年，(504 Ah) (取决于传感器和采样间隔) 机械结构 玻璃球、双层不锈钢防护罩、PVC 外壳和钛合金端口 工作温度 -5 至 +35°C 存储温度 带电池 0 至 +30°C 不带电池 -5 至 +35°C 重量 带支架 145 kg 不带支架 62 kg 水中重量 带支架 830 N 不带支架 25 N (负浮力) 传感器和选项 AZA 现场自校准机制 标准 高精度温度传感器(±0.015°C) 标准 传递压力传感器 石英, (±0.01%) 标准 第二石英 选配 环境压力传感器 应变计, (±0.01%) 标准 应变计, (±0.19%) 选配 低量程压力传感器 (应变计, 2 bar (±0.01%)) 标准 声速传感器 校准条件下精度为 ±0.02 m/s