军用参考规范 MIL-PRF-55310 晶体控制振荡器,MIL-PRF-38534 混合微电路通用规范,MIL-STD-202 电子和电气元件测试方法标准通用规范 MIL-STD-883 微电子测试方法和程序 MIL-STD-1686 用于保护电气和电子零件、组件和设备的静电放电控制程序
1001 气压,降低(高海拔操作) 1002 浸没 1003 绝缘电阻 1004.7 防潮性 1005.8 稳态寿命 1006 间歇性寿命 1007 一致寿命 1008.2 稳定烘烤 1009.8 盐雾环境(腐蚀) 1010.7 温度循环 1011.9 热冲击 1012.1 热特性 1013 露点 1014.10 密封 1015.9 老化测试 1016 寿命/可靠性特性测试 1017.2 中子辐照 1018.2 内部水蒸气含量 1019.4 电离辐射(总剂量)测试程序 1020.1 剂量率诱发闩锁测试程序1021.2数字微电路的剂量率翻转测试 1022 Mosfet 阈值电压 1023.2线性微电路的剂量率响应 1030.1预封装老化 1031 薄膜腐蚀测试 1032.1封装引起的软错误测试程序(由阿尔法粒子引起) 1033 耐久性寿命测试 1034 芯片渗透测试(针对塑料设备)
辐射硬度保证相关的列表19500年军事绩效规格,半导体设备的一般规范。(http://www.dscc.dla.mil/programs/milspec/listdocs.asp?basicdoc=mil-prf-19500)38510,微电路的一般规范。(http://www.dscc.dla.mil/programs/milspec/listdocs.asp?basicdoc=mil-m-38510)38534,混合微电路的性能规范。(http://www.dscc.dla.mil/programs/milspec/listdocs.asp?basicdoc=mil-prf-38534)38535,集成电路(microcircuits)制造的一般规格。(http://www.dscc.dla.mil/programs/milspec/listdocs.asp?basicdoc=mil-prf-38535)军事手册814,电离剂量和中子剂量和中子剂量的微电路和半管路设备的准则。(http://www.dscc.dla.mil/programs/milspec/listdocs.asp?basicdoc=mil-hdbk-814)815,剂量率ha指南。(http://www.dscc.dla.mil/programs/milspec/listdocs.asp?basicdoc=mil-HDBK-815)816,《开发辐射硬度硬度可确保的设备规格的指南》。(http://www.dscc.dla.mil/programs/milspec/listdocs.asp?basicdoc=mil-HDBK-816)817,系统开发辐射硬度硬度保证。MILITARY TEST METHODS IN MIL-STD-750 (Test Methods for Semiconductor Devices, http://www.dscc.dla.mil/Programs/MilSpec/listdocs.asp?BasicDoc=MIL-STD-750 ): 1017, Neutron Irradiation Procedure(http://www.dscc.dla.mil/programs/milspec/listdocs.asp?basicdoc=mil-HDBK-817)339,定制的大型集成电路开发和空间汽车的收购((( http://combatindex.com/mil_docs/pdf/pdf/hopper/mil-hdbk/ci-339-mh-9849-9849-0284.pdf)1547,电子零件,材料和流程,用于太空和发射工具,((( http://ax.losangeles.af.mil/se_revitalization/aa_functions/parts/attachments/1547c.doc)1766,ICBM武器系统和空间系统的核硬度和生存计划指南。
多年来,NASA 的任务保障组织支持了许多大大小小的太空任务和计划。如今,该范围已经扩大,从旗舰任务(如搭载有毅力号探测器的火星 2020、欧罗巴快船和拟议中的欧罗巴着陆器)到小型卫星/立方体卫星(如风暴和热带系统时间实验——演示 (TEMPEST-D) 和火星立方体一号 (MarCO))。塑料封装微电路 (PEM) 变得更具吸引力,因为尖端替代品无法作为太空级产品提供。PEM 通常比太空级产品中使用的陶瓷封装更小、更轻 [1]。随着太空对非密封和塑料封装微电路的需求和使用增加,未来任务的范围也扩大了。与 EEE 零件选择相关的这种不断变化的环境给 NASA 带来了新的挑战,NASA 一如既往地将每项任务的成功视为重中之重。
大型神经元网络的抽象模拟是理解和解释健康和患病大脑的实验数据的重要方法。由于模拟软件的快速开发以及不同神经元类型的定量数据的积累,因此可以以“自下而上”的方式预测局部微电路的计算和动态性能。可以将这些模型的模拟数据与实验和“自上而下”的建模方法进行比较,并依次桥接尺度。在这里,我们使用软件Snudda来描述开源管道,以预测微电路连接性,并以可复制的方式使用神经元模拟环境来设置模拟。我们还说明了如何进一步“策划”从公共数据库中获得的单个神经元形态的数据。该模型建筑管线用于建立小鼠背纹状体的全尺度蜂窝级模型的第一版。该工作中的模型成分在这里用于说明对皮层下核(例如基底神经节)进行建模时所需的不同步骤。
质量/可靠性工程师职位描述和人员规格CML微电路正在寻找经验丰富的质量/可靠性工程师,他们将确保及时发布和高质量的包装产品/技术,以满足其不断发展的通信半导体组合的客户需求。基本功能 /关键重点领域•根据需要定义和执行新产品,包装技术平台,组装流程,实质性更改和供应商资格的资格计划。•积极参加新产品开发活动;包括向设计工程师和计划经理提供反馈,以识别和解决可靠性风险。•开发用于评估新技术的实验设计,并分析数据以进行比较。•定义质量测试的偏差条件;定义质量电气测试前/后的测试条件。•进行生命测试,施加高温,高湿度或温度循环的应力。•文件资格结果;制定和撰写最终资格报告。•与系统工程,测试工程和设计工程组紧密合作,以了解可靠性失败/问题并制定缓解计划。•需要针对具有积极时间表的多个项目执行多个任务。•推动产品和技术的可靠性和质量提高。文化影响
1/ 超过绝对最大额定值的应力可能会对器件造成永久性损坏。在最大水平下长时间运行可能会降低性能并影响可靠性。2/ 所有电压均以 V SS 为参考。3/ 最大施加电压不得超过 4.4 V。4/ 如果 SRAM 断电,则必须在“断电时间”内保持电源关闭状态,然后才能重新打开。5/ 此处指定的辐射特性和测试限值基于 16Mb 单芯片 SRAM 测试结果 (5962-08202/08203)。有关这些 RHA 参数和测试结果的详细信息,请联系器件制造商。6/ 基于 CREME96 结果预测的性能,该结果适用于太阳活动极小期无耀斑条件下的地球同步轨道,位于 100mil 铝屏蔽后面,使用从实际测试数据得出的威布尔参数(参见 4.4.4.4)。供应商可提供威布尔参数,用于计算其他轨道/环境(如 Adams 90% 最坏情况)的翻转率,并使用不同的翻转率计算程序(如 Space Radiation 5.0)。7/ 保证但未针对 1MeV 当量中子进行测试。
研究课题的相关性 当前,基于“互补金属氧化物半导体”(CMOS)技术的元件库由于其功能性强、速度快、能耗低等特点,在计算技术和控制系统的电子设备中占据主导地位。在现代 CMOS 微电路中,一个特征是闩锁效应或晶闸管效应 (TE),它在暴露于天然或人工来源的电离辐射时发生。由于制造具有 n 型和 p 型通道的紧密间距 MOSFET 的工艺过程的特殊性,在这些微电路中形成了寄生 pnpn 结构,在正常条件下不会影响产品的性能。当这种寄生pnpn结构受到外界影响而导通时,就会发生晶闸管效应,导致电流消耗不可逆增加,只能通过重置电源才能消除。除了故障之外,大电流的流动还可能导致灾难性的故障(CF)。 TE 的发生水平通常决定了 CMOS 微电路的抗辐射能力。
精神分裂症的认知缺陷常常被积极症状所掩盖,显着导致该疾病的发病率。越来越多的注意力突出了这些缺陷,这是各个皮质区域神经回路功能障碍的反射。在宏观和显微镜水平上都报道了与精神病中认知症状有关的许多连通性改变,这强调了在发育期间和更后的阶段的可塑性和微电路障碍的潜在作用。然而,认知障碍和多样化的连通性发现的异质临床表现在将它们汇总到凝聚力的情况下构成了挑战。本综述旨在综合主要的认知改变,最近对网络结构和功能连通性变化的见解以及提议的机制以及微电路的改变,尤其是针对神经发育障碍,E/I平衡和睡眠障碍。最后,我们还将评论一些旨在针对这些机制来解决认知症状的最新且有希望的治疗方法。通过这种全面的探索,我们努力为精神病疾病的认知障碍提供了更新和细微的概述。