XiaoMi-AI文件搜索系统
World File Search System微结构
片上集成人工微结构光场调控（特邀） - 陈树琪
[20] Liu W W，Chen S Q，Li Z C等。使用单层跨表面[J]在Terahertz区域中在Terahertz区域中传输模式下的极化转换实现。光学信，2015，40（13）：3185-3188。
拉伸应变锗微结构
并无需使用载流子注入即可增强电光调制。与此同时，人们正在努力实现完全集成在硅基平台中的发光器，作为 III – V 族材料的经济高效的替代品。这方面的两个主要途径是使用 Ge 及其与 Si 和 Sn 的合金，以及应变工程。硅 – 锗 – 锡 (GeSn) 合金可能是一种很有前途的解决方案 [4]，因为它的能带结构可以通过其成分来控制，从而在宽光谱范围内实现高发射效率，但这些三元合金对材料生长提出了一些技术挑战。[5] 能带结构控制的替代途径是在 Ge 和 GeSn 合金中引入拉伸应变。这里的目标是利用拉伸应变来降低导带 L 和 Γ 最小值之间的能垒，实现准直接带隙材料，从而提高辐射效率。此外，拉伸应变的作用是消除重空穴 (HH) 和轻空穴 (LH) 价带之间的简并性，并降低导带和价带之间的能量差，[6,7] 从而提供对带隙的所需控制。这些能带结构效应可以通过光致发光 (PL) 实验揭示，而半导体中应变的关键测量可以使用拉曼光谱来实现。机械变形会显著影响 PL 发射、谷分裂的不均匀性或重叠
基于微结构多因素校正模型
当前对电解铝阴极碳钠渗透的研究主要是测量阴极膨胀曲线，主要显示宏观特征。然而，显微镜结构通常是不流失的。作为多孔介质，阴极碳块的扩散性能与其内部孔结构紧密相关。将阴极碳块视为多相复合材料，本研究从微结构的角度研究了钠扩散过程。开发了一个预测钠扩散的模型，考虑了孔隙率，温度，结合效应，电流降低和分子比例等因素。在Python中实现了一个随机聚合模型，并将其导入到有限元软件中，以使用Fick的第二定律模拟钠扩散。结果表明，孔隙率提高，温度较高，结合效应降低，电流密度增加和较高的分子比增强了钠浸润，降低了扩散耐药性并增加了扩散系数。模拟与实验结果很好地对齐，证实了其准确性和可靠性。
VLSI电子微结构科学
微电子革命仍在继续。技术创新层出不穷，半导体器件、集成电路和系统的性能成本比不断提高。尽管这可能很有趣，但过去三十年的微电子历史对行业几乎没有直接好处。这本名为《先进 CMOS 工艺技术》的 VLSI 电子系列丛书提供了微电子领域一个高度相关的领域的当前快照。由于文中讨论的原因，CMOS（互补金属氧化物半导体）技术在现在和未来的电子系统中起着主导作用。在为本专著选择合适的材料时，我们指定了两个选择标准。首先，我们寻找对 CMOS 工艺技术的现在和未来发展水平至关重要的主题。其次，由于篇幅和时间限制，我们关注其他论坛中涉及最少的问题。除了介绍性评论和 CMOS 器件和电路考虑因素的背景外，我们将主题列表缩小到金属化、隔离技术、可靠性和产量。读者不应推断被省略的领域（包括光刻和蚀刻技术）排名较低。相反，这些主题在（例如）本 VLSI 电子学系列的早期卷中已经得到大量明确的审查。最后，我们指出，我们的目标是尽可能清楚地报告我们选择交流的 CMOS 工艺技术问题的现状，从而为全球微电子行业做出贡献。此外，我们试图尽可能准确地预测未来的发展。这种贡献是暂时的。我们希望业界能够通过创新、发明和托马斯·爱迪生那样的辛勤努力超越这本专著的技术内容。事实上，我们将本书献给工程师、科学家和技术经理，他们将使我们提出的许多技术问题变得过时。
量子应用的微结构光纤
图2。（a）使用THZ-SNOM设备测量的散射THZ信号的空间映射；图像16×16μm2。丝带的宽度为𝑤= 3.4 µm，它们被空间隙隔开0.5μm；阵列的周期为𝐿= 3.9 µm；石墨烯填充分数为87％。（b）石墨烯丝带研究阵列的AFM高度轮廓（5×5 µm的高分辨率图像！）;明确观察到由于SIC露台步骤而引起的高度变化。（c）同一区域的高分辨率Thz-snom图像。在此视图中，我们还区分石墨烯丝带中的SIC Terrace步骤。（d）对AFM记录的样品高度与在扫描过程中沿面板中指示的绿色水平线扫描期间获得的样品高度之间的比较（b，c）。对于散射的THz信号，减去背景（直线）；减去背景的水平为〜9，（d）中绘制的Thz信号幅度表示使用相同的比例相对于此值的变化。
先进微结构与器件研究中心（CAMD）
路易斯安那州立大学先进微结构与器件中心 (CAMD) 为研究人员提供了美国东南部唯一的同步加速器光源。作为美国七家此类设施之一，超过 80 名研究人员（包括路易斯安那州立大学的教职员工和学生、工业用户、当地初创公司和国家研究实验室的成员）使用 CAMD。它也是吸引主要中心级资助进入大学以及招募顶级教师的重要资源。
水环境中可降解的 3D 微结构
将 DLW 制备的微结构应用于功能设备中，需要具有不同电学、光学、机械和化学特性的各种材料。自适应性材料（即其特性可以在制造后进行定制）是人们所迫切需要的，而可降解性则是人们所最需要的自适应特性之一。[7–9] 然而，DLW 过程中产生的交联聚合物结构（尤其是使用商用光刻胶时）是永久性的。降解此类材料通常需要苛刻的条件，例如经典 (甲基) 丙烯酸网络中酯键的高温水解或激光烧蚀。[7,8] 光刻胶配方中加入了各种化学功能，使印刷结构在特定刺激下破裂，例如化学试剂、[10–12] 酶、[13] 温度或光。[14] 其中，光是首选触发器，可对降解过程进行空间和时间控制。为了将光降解性引入微结构，必须在光刻胶的化学结构中整合一个光不稳定部分。设计光可降解 DLW 光刻胶的一个关键挑战是选择合适的、在写入过程中稳定的光不稳定基团。某些光化学反应，例如香豆素、蒽和肉桂酸酯等化学实体的可逆光二聚化可能适合这些目的，因为它们的二聚化/交联可以在 300 至 400 nm 的紫外线下诱导，而环消除可以在较短波长的紫外线（≤ 260 nm）照射下发生。[15] 然而，这种高能量的 UVA/UVB 照射对于许多应用来说可能过于剧烈，特别是细胞支架。可能更合适的可见光响应光不稳定部分在紫外线下会迅速降解，因此无法在写入过程中存活，而写入过程大多采用这种紫外线波长。 [16] 到目前为止，我们团队只有一份关于从 DLW 中获得光降解网络的报告，其中书写和
通过多层设计控制功能材料的微结构和性能
Claudia Cancellieri 博士是 Empa 连接技术和腐蚀实验室的团队负责人/研究员。2008 年，她在洛桑联邦理工学院 (EPFL) 获得物理学博士学位，专门研究应变下铜氧化物和氧化物薄膜的脉冲激光沉积生长。在日内瓦大学的第一个博士后期间，她专注于复杂氧化物界面的生长和特性。她在同步加速器瑞士光源保罗谢尔研究所继续研究该主题，在那里她广泛使用光谱技术来推导埋藏复杂氧化物界面的电子能带结构。她目前的研究课题包括研究功能材料（包括多层系统）的微观结构、缺陷、应力和电子特性。