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World File Search System散热性能
交叉肋微通道热沉的评估与优化
摘要：提出一种新型交叉肋条微通道（MC-CR）热沉，使流体自旋转。针对100 w/cm 2 的热测试芯片（TTC），将交叉肋条微通道与矩形（MC-R）和水平肋条微通道（MC-HR）热沉进行了比较。结果表明：采用交叉肋条微通道后，热测试芯片的结温为336.49 K，压降为22 kPa。与矩形和水平肋条热沉相比，交叉肋条微通道的冷却能力分别提高了28.6%和14.3%，但压降增加了10.7倍和5.5倍。然后，研究了不同流速下微通道长宽比（λ）的影响，发现长宽比与冷却性能呈非线性关系。为降低压降，对横肋的倾角（α）和间距（S）进行了优化，当α=30°、S=0.1mm、λ=4时，压降由22kPa降至4.5kPa。另外，在相同压降条件下，分析了矩形、交错翅片（MC-SF）、交错肋片（MC-SR）及横肋微通道的散热性能，MC-CR仍具有优越的散热性能。
Byd密封U DM-I
电动混合系统电动混合动力系统（EHS）是一种高度集成的动力总成，可使高速双电动机，双控制器和先进的油冷水技术不断增加，以提高电动机的功率密度和效率。ehs使用高速速度高达15,000 rpm的高速双电动机。具有两个单独的功能，P1电动机会生成功率，P3电动机驱动车轮。此外，电动机还使用创新的发夹技术，可显着改善散热性能。峰值效率可能高达97％，大部分时间保持稳定在90％以上。EHS也受益于石油
TC350 Plus 层压板数据表
TC350™ Plus 层压板是陶瓷填充的 PTFE 基玻璃编织增强复合材料，可为电路设计人员提供经济高效、性能卓越、热性能增强的材料。这种新一代 PTFE 基层压板的热导率为 1.24W/mK，非常适合高功率微波和工业加热应用，这些应用需要更高的最高工作温度、低电路损耗和出色的电路板内散热性能。此外，与其他竞争层压板相比，所使用的先进填料系统使复合材料具有更好的机械钻孔性能。这将降低电路板制造过程中的制造成本。
T-Force Z44A7Q M.2 PCIE SSD
[1] 1GB = 1,000,000,000字节。在OS系统中，它将显示为1,000,000,000个字节/1024/1024/1024 = 0.93GB [2] TBW（书写的Terabytes）的定义和条件基于JEDEC标准[3]传输速度[3]将根据不同的硬件/软件条件而有所不同，因此数据仅用于基本参考。[4]所有测试数据均由TeamGroup的实验室提供，测试数据的信息仅供参考。我们保留修改产品规格的权利，而无需事先通知。※结果基于团队组的内部实验室测试，对M.2 SSD的温度，没有散热器的温度以及带有散热的石墨烯标签的M.2 SSD温度。实际散热性能可能会根据不同的环境条件而有所不同。
Ra Soto Ortega，JrRamírezRazo，VH Tovar Jasso
在这项研究中，通过比较提出的冷却通道与蛇形冷却通道的热量耗散能力和电池堆栈中U形冷却通道的热量耗散能力来评估圆柱形锂离子电池组的热量耗散系统。提议的冷却通道采用了蛇形设计，其中包括通过电池堆栈的额外途径，从而增强了与电池的热量交换。在第二个配置中，将通道分叉为两个支流，将流体流体交替出现在另一种流出中，从而产生了逆流配置。利用ANSYS Fluent进行模拟和分析，我们确认所提出的设计提供了出色的散热性能，这归因于增加的接触面积。
三维热分析模型...
硅通孔技术是一种有前途的、可优先实现三维集成电路（3-D IC）可靠互连的方法，可将多个芯片的热量沿垂直方向传递到热沉。本文提出了一种新的硅通孔（TSV）通用模型来研究3-D IC的热性能。首次研究了锥环TSV的传热特性。详细比较和分析了不同侧壁倾角和TSV绝缘层厚度对3-D IC散热的影响。正如预期的那样，我们提出的模型与现有模型的结果一致性很好，这表明考虑横向传热和TSV结构的模型可以更有效、更准确地预测温度分布。此外，研究发现锥环TSV具有更优异的散热性能。关键词 : 3-D集成电路，解析热模型，
薄型和矩形芯片粘合拾取机制...
芯片贴装是集成电路 (IC) 封装工艺中最关键的工艺之一。过去几年，芯片厚度越薄，漏源导通电阻 RDS(on) 越小，顶部金属和焊盘之间的硅电阻越低，散热性能越好，堆叠封装厚度越薄，重量越轻，这些要求就越高。这种三维技术代表了封装创新的下一波浪潮，并将在未来几年内实现大幅增长 (Ibrahim 等人，2007 年)。这些趋势对现有的电子封装技术（主要是芯片拾取工艺）提出了相当大的挑战。必须特别注意处理更薄芯片的工艺，以确保半导体产品的可靠性和质量 (Huiqiang 等人，2015 年；Carine 等人，2014 年)。
加州大学伯克利分校
同位素纯化半导体具有更高的热导率（κ），因此散热性能可能比天然的、同位素混合的半导体更好。但对于室温下的 Si 来说，这种好处很低，块状 28 Si 的 κ 仅比块状天然 Si（nat Si）高约 10%。我们发现，与这种块体行为形成鲜明对比的是，28 Si（99.92% 富集）纳米线的 κ 比具有相似直径和表面形貌的天然 Si 纳米线高出 150%。使用第一性原理声子色散模型，这种巨同位素效应归因于天然 Si 纳米线中同位素散射和声子表面散射的相互增强，通过将声子传输到原生非晶态 SiO 2 壳层来实现相关。这项工作发现了迄今为止报道的所有材料中室温下 κ 的最强同位素效应，并启发了同位素富集半导体在微电子领域的潜在应用。