摘要:二维材料可访问光子学的最终物理限制,具有吸引人的超级合理光学组件(例如波格和调节剂)。特别是在单层半导管中,强烈的激子共振导致介电常数从正极到均匀的值急剧振荡。这种极端的光学响应使表面激子 - 磨牙能够引导可见光与原子薄层结合。然而,这种超薄波格 - 支持具有低配置的横向电(TE)模式,并且具有短传播的横向磁性(TM)模式。在这里,我们提出,包括单层WS 2和六角形硝酸硼(HBN)的现实分号 - 导管 - 隔离器 - 隔离器超晶格可以提高TE和TM模式的性质。与单个单层相比,分隔两个单层的1 nm HBN间隔物的异质结构可增强TE模式的配置,从1.2到0.5μm左右,而TM模式的平面外扩展则增加了25至50 Nm。我们提出了两个简单的添加性规则,用于在超薄纤维近似中有效的模式结构,用于异质结构,间隔厚度增加。堆栈 -
持续分数类型的扩展目的(除其他属性)提供了越来越好的实际数字合理性二磷酸近似值。更重要的是,预期的多维持续分数将产生越来越更好的理性近似值,具有相同的分母B旧p上p左括号n右括号n右括号基线除以q上额本额外额外的额外额外额外的额外括号n右括号n右括号n右额外的左额外额外的固定额外的固定额外的固定额外的基线置于左额外的基线,并置于固定的左额外的固定范围内置额的固定范围内的右置态固定范围内的右手置态置于固定范围内的右手置态,并置于左右的左态,并置于左右的固定。 COMMA ELLIPSIS P下标D上标左括号n右括号基线除以Q上标左括号n右括号n右括号右括号右括号n下标n double double doupter n p(n) /q(n) /q(n)=(p(n)1 /q(n)1 /q(n)1 /q(n),。< /div> < /div> < /div> < /div> < /div>。。p(n)d /q(n))n∈Nd -tuples粗体斜体alpha等于左括号alpha 1 comma ouripsis chripsis comma comma comma comma alpha alpha下标d基线右括号α=(α1,。< /div>,。< /div>。。,αd)实数,分数p下标i上标左括号n右括号基线除以q superscript左括号n右括号n右括号p(n)i /q(n)i /q(n),收敛到lpha sisscriptiαiαiiαiiαiiαiiαi小于或等于i小于或等于或等于或等于或等于或等于或等于d或equals d by或equals d by或equal d f d f d by或equals d by或equals d use。已知通常的常规持续分数为正实数提供了极好的(甚至是最好的)合理近似值[41,89]。
基于石墨炔 (GY) 和石墨炔 (GDY) 的单层代表了下一代二维富碳材料,其可调结构和性能超越石墨烯。然而,检测原子级厚度的 GY/GDY 类似物中的能带形成一直具有挑战性,因为该系统必须同时满足长程有序和原子精度。本研究报告了在表面合成的金属化 Ag-GDY 薄片中形成具有介观(≈ 1 μ m)规律性的能带的直接证据。采用扫描隧道和角度分辨光电子光谱,分别观察到费米能级以上实空间电子态的能量相关跃迁和价带的形成。此外,密度泛函理论 (DFT) 计算证实了这些观察结果,并揭示了蜂窝晶格上双重简并的前沿分子轨道产生接近费米能级的平坦、狄拉克和 Kagome 能带。 DFT 建模还表明原始薄片材料具有固有带隙,该带隙保留在具有 h-BN 的双层中,而吸附诱导的带隙内电子态在 Ag-GDY 装饰银的 (111) 面的合成平台上演变。这些结果说明了通过原子精确的二维碳材料中的分子轨道和晶格对称性设计新型能带结构的巨大潜力。
两片石墨烯以扭曲的方式堆叠在一起,形成一个系统,该系统最近引起了人们的极大兴趣,因为它具有令人着迷的电子特性,这些特性通常出现在由此产生的莫尔超晶格的尺度上,而莫尔超晶格通常比石墨烯晶格常数大 10 到 100 倍。特别是对于小的扭曲角度,莫尔超晶格常数在 10-20 纳米范围内,这使得扫描探针显微镜 (SPM) 成为研究扭曲双层系统的理想工具。通过本应用说明,我们展示了具有纳米级横向分辨率的 attoAFM I 低温显微镜如何配备先进的 AFM 模式,如导电尖端原子力显微镜 (ct-AFM) 和压电响应力显微镜 (PFM),可用于探索扭曲双层的电气和机电特性。
摘要Moiré超级晶格是通过精确堆叠范德华(VDW)层设计的,对探索密切相关的1-4和拓扑现象的巨大承诺具有巨大的希望。但是,这些应用已通过常见的制备方法阻止了:苏格兰胶带去角质单层的撕裂7。它具有低效率和可重复性8,以及扭曲角度不均匀性,界面污染9,微米尺寸8的挑战,以及在升高温度下脱离twist的趋势10。在这里,我们报告了一种有效的策略,可以构建具有高产量吞吐量,接近统一的收益率,原始接口,精确控制的扭曲角度和宏观尺度(至百万计)具有增强的热稳定性的高度一致的VDWMoiré结构。我们进一步证明了各种VDW材料的多功能性,包括过渡金属二甲化物,石墨烯和HBN。Moiré结构的膨胀尺寸和高质量的大小和高分辨率映射可将相互空间回折的晶格和具有低能电子衍射(LEED)和角度分辨光发射光谱光谱光谱(ARPES)的Moiré迷你带结构进行高分辨率映射。该技术将在基本研究和互惠设备的大规模生产中都有广泛的应用。主要的莫伊尔超晶格是由两个晶格晶格平面之间的界面干扰引起的,这些晶格晶格平面与晶格常数和/或对齐角不同。具有可调的带填充和掺杂条件,Moiré超级晶格成为研究电子11,Ickitons 12,Solitons 13和拓扑带结构的集体行为的多功能平台。6,14在特定的扭曲角度(即范德华(VDW)双层界面的魔法角度),这些超级峰值大大降低了电子动能,从而使库仑相互作用占主导地位,从而促进了强电子相关性,从而导致了FERMI水平附近的平坦电子带。15,16除了双层外,最近的实验发展正在探索混合尺寸系统中的Moiré系统,具有更健壮的超导性和更丰富的兴奋性物理学16-19。例如,为扭曲的石墨烯/石墨结构展示了魔术角的Van Hove奇异性。20在石墨烯/石墨系统上的最新传输测量图说明了单个准二维杂交结构的形成,这是通过栅极可调的Moiré电位和石墨表面状态组合的21,22,其中散装晶体的性质被超级晶体势能调整为在界面处的超级乳势。
▶KeyGen将其作为输入安全参数λ并输出键(PK,SK),▶ENC将作为输入为输入public键pk和message m and a the Message m and optups c = eng(pk,m),▶dec作为输入秘密键SK和cipher c和cipher c和cipher c and a cipher c and a c and a c and a c and a c and c and optucs m = dec,sk,c),c),
尤其是,我们调查了针对基于晶格的密码系统中多项式乘法的实施工程,其中具有指令套件的架构架构/扩展ARMV7-M,ARMV7E-M,ARMV7E-M,ARMV8-A和AVX2。本文有三个重点:(i)模块化算术,(ii)同态和(iii)矢量化。对于模块化算术,我们调查了蒙哥马利,巴雷特和panthard乘法。对于同构,我们调查(a)各种同态,例如cooley-tukey FFT,良好 - 托马斯FFT,Bruun的FFT,Rader's FFT,Rader's FFT,Karat-suba和Toom – Cook; (b)与系数环相邻的各种代数技术,包括定位,Schönhage的FFT,Nussbaumer的FFT和系数环开关; (c)与多项式模量相关的各种代数技术,包括扭曲,组成的乘法,∞评估,截断,不完全转化,步骤和toeplitz矩阵矢量 - uct。为矢量化,我们调查了同态和矢量算术之间的关系。然后,我们进行了几个案例研究:我们比较了二锂和kyber中使用的模块化乘法的实现,解释了如何在Saber中利用矩阵对矢量结构,并回顾了NTRU和NTRU Prime与矢量化的转换设计选择。最后,我们概述了几个有趣的实施项目。
▶少量[1]←线性代码的等效性▶Meds [7]←矩阵代码的等效性▶Alteq [4]←交替的三线性形式的等效性▶霍克[5]←lattices的同态形态,lattices的同构嵌件,
这项工作完全打破了基于候选晶格的顺序工作证明(POSW)(POSW)的依次假设(以及其广泛的概括),该证明是由Lai和Malavolta在Crypto 2023上提出的。此外,它破坏了POSW的本质相同的变体,该变体与原始变体不同,仅在一个任意选择中与设计和安全性证明(在伪造的假设下)无关。这表明原始POSW可能具有的任何安全性都是脆弱的,并进一步激励基于基于晶格的假设来寻找建筑。具体而言,对于顺序性参数t和sis参数n,q,m = n log q,对顺序性假设的攻击找到了仅在仅在QuasipolyNomial Norm M log tt⌉(或norm o(√m)⌈logt⌉t⌉t⌉t⌉t⌉t⌉t⌉(差异)中,仅在GOOLANITHMIC -ogarithMic -ogarithmic〜o o n,q o n,q n,q(log)tt⌉中。这强烈伪造了这样的假设,即找到这种溶液需要在t中进行深度线性。(〜o n符号隐藏了在其下标出的变量中的多聚群因子。)另外,对于任何常数ε> 0,攻击在深度〜o o n,q(tε)中找到多项式标准m 1 /ε的解决方案。同样,对(稍微修改)POSW的攻击构建了一个有效的证据,以pologogarithmic〜o o n,q(log 2 t)深度构建,因此强烈伪造了这样做需要线性顺序工作的期望。