摘要:二维材料可访问光子学的最终物理限制,具有吸引人的超级合理光学组件(例如波格和调节剂)。特别是在单层半导管中,强烈的激子共振导致介电常数从正极到均匀的值急剧振荡。这种极端的光学响应使表面激子 - 磨牙能够引导可见光与原子薄层结合。然而,这种超薄波格 - 支持具有低配置的横向电(TE)模式,并且具有短传播的横向磁性(TM)模式。在这里,我们提出,包括单层WS 2和六角形硝酸硼(HBN)的现实分号 - 导管 - 隔离器 - 隔离器超晶格可以提高TE和TM模式的性质。与单个单层相比,分隔两个单层的1 nm HBN间隔物的异质结构可增强TE模式的配置,从1.2到0.5μm左右,而TM模式的平面外扩展则增加了25至50 Nm。我们提出了两个简单的添加性规则,用于在超薄纤维近似中有效的模式结构,用于异质结构,间隔厚度增加。堆栈 -
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